一种折中的小波阈值方法对γ能谱平滑处理的研究

采用小波软、硬阈值函数折中后的小波阈值方法对天然放射性环境下γ谱数据进行平滑处理。通过Matlab数据分析软件,分析对比了五种不同的平滑去噪方法:五点平滑法、傅里叶变换法、小波软阈值法、小波硬阈值法,以及折中的小波阈值方法。结果表明:折中的小波阈值方法在反映γ能谱特征的峰本比和峰总比分别为7.1609,0.3945,平滑去噪效果要明显优于其他四种方法,能最大程度地保留原始信号特征,具有较高的应用价值。     

一种应用于心磁噪声抑制的选择性平均方法研究

在心磁信号探测中, 抑制环境噪声是提取心磁信号的关键. 为了提高心磁信号的信噪比, 信号平均得到了广泛地使用. 然而, 由于局部干扰噪声的存在, 对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真. 本文通过采取模版匹配的方式, 提出了一种选择性平均方法. 结果显示, 本方法能有效剔除带有低频波动、脉冲毛刺等干扰的数据段, 获取高质量的平均心磁信号. 关键词： 心磁 信号平均 噪声抑制 信噪比     

Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法

利用反应射频磁控溅射技术，采用两步生长方法制备了ZnO薄膜，探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明，低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时，ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大，薄膜应力较大；当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后，ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小，薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加，ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降，表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小. 关键词： ZnO薄膜 反应射频磁控溅射 两步生长 形貌分析     

定量核磁共振法同时测定复合维生素B片中B1、B2、烟酰胺和泛酸钙

建立了同时测定复合维生素B片中4种有效成分——维生素B1(VB1)、维生素B2(VB2)、烟酰胺和泛酸钙的定量核磁共振氢谱(~1H qNMR)方法.选择延迟时间(D_1)为1.0 s、脉冲宽度(P_1)为3.0μs、采样次数(NS)为500次.以对苯二甲醛为内标,其质子峰δ10.12(2H)为内标峰;溶剂为氘代二甲亚砜(DMSO-d_6).定量峰的化学位移VB1选择δ9.60~9.90(~1H),VB2选择δ11.36(~1H),烟酰胺选择δ9.01(~1H),泛酸钙选择δ0.78(12H).通过标定VB1和泛酸钙对照品的纯度,测定各成分的零截距标准曲线斜率与理论值相符,说明可以直接用绝对定量公式计算其含量.测定各成分的回收率均接近100%,且重复性很好.结果表明该方法准确度高、结果可靠,可用于复合维生素B片中VB1、VB2、烟酰胺和泛酸钙含量的测定.     

含钙添加剂处理下不同秸秆腐解产物可溶性有机质三维荧光特征变化

秸秆是优质的有机资源,研究含钙添加剂种类及添加量对不同秸秆腐解产物可溶性有机物(DOM)组成性质差异,可为秸秆高效腐熟利用提供理论依据和技术参考。以花生秸秆和水稻秸秆为供试物料,通过添加不同含钙添加剂草酸钙(CaC₂O₄)和氢氧化钙[Ca(OH)₂]及不同添加量(4%、 8%),进行秸秆腐解试验。测定腐解产物养分含量,并利用三维荧光光谱(3DEEM)技术和平行因子方法(PARAFAC)探究秸秆腐解产物DOM的化学组成变化特征。结果表明：(1)总体上,草酸钙处理的秸秆腐解物总碳含量显著大于氢氧化钙处理;高量添加剂处理的秸秆腐解产物总碳含量小于低量处理;花生秸秆腐解产物的总氮、总磷和总钾高于水稻秸秆腐解产物。(2)通过3DEEM-PARAFAC方法分析腐解产物DOM组成,共识别出类胡敏酸(C1)、类胡敏酸(C2)和类色氨酸(C3)三种荧光组分;不同添加剂类型、添加量和不同秸秆类型对腐解产物DOM荧光组分的影响较为复杂,没有明显规律,但是总体上氢氧化钙处理的秸秆腐解产物DOM的C1和C2组分比例大于草酸钙处理,而草酸钙处理的秸...     

Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory

Upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory induced by accelerated ~(129)Xe and ~(209)Bi ions are investigated in detail. The linear energy transfer covers the range from 50 to 99.8 Me V/(mg/cm~2). When the memory chips are powered off during heavy ions irradiation, single-event-latch-up and single-event-function-interruption are excluded,and only 0-1 upset errors in the memory array are observed. These error bit rates seem very difficult to achieve and cannot be simply recovered based on the power cycle. The number of error bits shows a strong dependence on the linear energy transfer(LET). Under room-temperature annealing conditions, the upset errors can be reduced by about two orders of magnitude using rewrite/reprogram operations, but they subsequently increase once again in a few minutes after the power cycle. High-temperature annealing can diminish almost all error bits, which are affected by the lower LET ~(129)Xe ions. The percolation path between the floating-gate(FG) and the substrate contributes to the radiation-induced leakage current, and has been identified as the root cause of the upset errors of the Flash memory array in this work.     

用于高温太阳能光热发电的S-CO_2循环优化研究

在高温太阳能光热发电的应用背景下,本文研究了引入压缩机级间冷却的超临界二氧化碳再压缩布雷顿循环改进构型的性能提升潜力;在建立热力学模型的基础上,利用遗传算法对改进构型进行了参数优化,并在基准工况下与典型再压缩循环进行了性能对比;基于图像分析方法揭示了压缩机级间冷却提升循环性能的机理。结果表明:对再压缩S-CO2循环而言,引入主压缩机级间冷却将可能提升循环效率,改善循环性能,而再压缩机级间冷却的引入则无益于循环性能的提升。级间冷却式再压缩循环性能提升的主要原因在于冷源放热损失与高温回热过程耗散的降低。基准工况下,改进构型循环比功最高可提升22.87%,循环热效率与循环效率最高可分别提升2.767%与3.389%。     

德布罗意和物质波的诞生

文章从历史的角度出发,记述德布罗意的学术成长道路,侧重考察和较详细地分析他创立物质波理论的光辉历程。     

Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid thermal annealing

The early stages of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) films deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition were characterized by atomic force microscopy. To increase the density of nanocrystals in the nc-Si:H films, the films were annealed by rapid thermal annealing (RTA) at different temperatures and then analysed by Raman spectroscopy. It was found that the recrystallization process of the film was optimal at around 1000℃. The effects of different RTA conditions on charge storage were characterized by capacitance--voltage measurement. Experimental results show that nc-Si:H films obtained by RTA have good charge storage characteristics for nonvolatile memory.     

利用圆锥压头微米划痕测试材料断裂韧性

利用Rockwell C金刚石压头对铜、聚碳酸酯、熔融石英和钠钙硅玻璃4种材料进行了微米划痕测试,这是国内首次利用划痕方法测量材料的断裂韧性. 研究表明:在划痕深度较浅时,必须要考虑压头顶端的球体区域,考虑和未考虑压头顶端球体区域时的压头形函数差别较大;考虑压头顶端的球体区域后,采用线弹性断裂力学(LEFM)模型评估断裂韧性的结果和能量尺寸效应(SEL)模型的计算结果接近,与单边切口梁(SENB)法、山形切口梁(CNB)法或压痕断裂(IF)法评估的断裂韧性相吻合,而未考虑压头顶端球体区域时计算断裂韧性的结果偏大;采用SEL模型评估断裂韧性时,按照投影接触面积等效的压头半顶角评估的断裂韧性相对按照周长等效的压头半顶角评估的断裂韧性误差更小,与LEFM模型的评估结果更接近.