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171.
172.
Xiao-Xin Xu 《中国物理 B》2021,30(5):58702-058702
The resistive random access memory (RRAM) has stimulated a variety of promising applications including programmable analog circuit, massive data storage, neuromorphic computing, etc. These new emerging applications have huge demands on high integration density and low power consumption. The cross-point configuration or passive array, which offers the smallest footprint of cell size and feasible capability of multi-layer stacking, has received broad attention from the research community. In such array, correct operation of reading and writing on a cell relies on effective elimination of the sneaking current coming from the neighboring cells. This target requires nonlinear I-V characteristics of the memory cell, which can be realized by either adding separate selector or developing implicit build-in nonlinear cells. The performance of a passive array largely depends on the cell nonlinearity, reliability, on/off ratio, line resistance, thermal coupling, etc. This article provides a comprehensive review on the progress achieved concerning 3D RRAM integration. First, the authors start with a brief overview of the associative problems in passive array and the category of 3D architectures. Next, the state of the arts on the development of various selector devices and self-selective cells are presented. Key parameters that influence the device nonlinearity and current density are outlined according to the corresponding working principles. Then, the reliability issues in 3D array are summarized in terms of uniformity, endurance, retention, and disturbance. Subsequently, scaling issue and thermal crosstalk in 3D memory array are thoroughly discussed, and applications of 3D RRAM beyond storage, such as neuromorphic computing and CMOL circuit are discussed later. Summary and outlooks are given in the final. 相似文献
175.
Theoretical investigation of total-asymmetric simple exclusion processes with attachment and detachment
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In this paper, traffic systems with attachment and detachment have been studied by total-asymmetric simple exclusion processes (TASEPs). Attachment and detachment in a one-dimensional system is a type of complex geometry that is relevant to biological transport with the random update rule. The analytical results are presented and have shown good agreement with the extensive Monte Carlo computer simulations. 相似文献
176.
177.
在磁通调制超导量子干涉器件(SQUID)的读出电路中, 匹配变压器具有放大信号和阻抗匹配的功能, 是实现SQUID低噪声读出的关键元件. 利用模拟SQUID电路对匹配变压器进行性能测试, 研究了不同绕制匝数变压器的传输特性, 确定最佳绕制匝数比. 在变压器拾取SQUID电压信号的耦合网络中, 研究了不同电容对变压器传输特性的影响, 实现了变压器耦合网络参数的匹配和优化. 室温下匝数比为1:20的匹配变压器在匹配电容C=1μF时, 输出源电压增益为21.2, 带宽范围可达到210 kHz. 最后在基于磁通调制式DC SQUID读出电路中, 对匹配变压器的工作性能进行了评估与验证.
关键词:
超导量子干涉器件读出电路
匹配变压器
低噪声
传输特性 相似文献
178.
在心磁信号探测中, 抑制环境噪声是提取心磁信号的关键. 为了提高心磁信号的信噪比, 信号平均得到了广泛地使用. 然而, 由于局部干扰噪声的存在, 对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真. 本文通过采取模版匹配的方式, 提出了一种选择性平均方法. 结果显示, 本方法能有效剔除带有低频波动、脉冲毛刺等干扰的数据段, 获取高质量的平均心磁信号.
关键词:
心磁
信号平均
噪声抑制
信噪比 相似文献
179.
本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似对过渡金属团簇Pd5(CO)n(n=1~6)的几何结构、电子性质、前线轨道和磁性进行计算研究,由结构优化可知:当CO分子的C原子吸附在面桥位时形成的单重态Pd5CO结构热力学最稳定,和Zanti等人(Eur.J.Inorg.Chem.2009,3904)得到的结论一致.Pd5(CO)2和Pd5(CO)3最稳定结构中,第二个和第三个CO分子都吸附在边桥位,而第一个CO分子吸附在面桥位.但是对于最稳定的Pd5(CO)n(n=4,5,6),所有的CO分子都位于边桥位.从吸附能的角度看,Pd5(CO)2应该是最容易得到的吸附产物.由能隙可知:Pd5(CO)n(n=1~6)的动力学稳定性相比较Pd5有所增加,但是并不会随着CO分子数目的增加而呈现递增或者递减的规律.其中Pd5(CO)3具有最好的动力学稳定性.CO在Pd5上发生非解离性化学吸附,CO健的强度变化逐渐变小.CO对HOMO和LUMO贡献很小,使得HOMO和LOMO的成分发生一定的改变.由VIP和VEA计算可知:随着CO数目的增加,Pd5(CO)n(n=1~6)的失电子能力逐渐降低,而得电子能力逐渐增强.Pd5具有2μB的磁矩,但是Pd5(CO)n(n=1~6)的磁性完全淬灭. 相似文献
180.
本文利用模板导向的方式合成了一种含有不对称侧链的大环双核金属Ni(Ⅱ)配合物(大环配体由3-溴甲基-5-甲基水杨醛,乙二胺,N,N-二(氨丙基)-2呋喃甲胺分步合成得到),其结构通过红外光谱、元素分析、X-射线单晶衍射进行了表征。利用紫外光谱、分子荧光和粘度试验对配合物与DNA的相互作用进行了研究,结果表明配合物与CT-DNA的结合常数K=4.8×104mol-1.L荧光淬灭常数Ksv=7.12×103mol-1.L;同时机理研究表明配合物与CT-DNA结合方式为插入模式。 相似文献