Fabrication of Mn-Doped GaN Nanobars

We report a new method for large-scale production of GaMnN nanobars, by ammoniating Ga2O3 films doped with Mn under flowing ammonia atmosphere at 1000oC. The Mn-doped GaN sword-like nanobars are a single-crystal hexagonal structure, containing Mn up to 5.43 atom%. Thickness is about 100 nm and with a width of 200-400 nm. The nanobars are characterized by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence. The GaN nanobars show two emission bands with a well-defined PL peak at 388 nm and 409 nm respectively. The large distinct redshift （409 nm） are comparable to pure GaN（370 nm） at room temperature. The red-shift photoluminescence is due to Mn doping. The growth mechanism of crystalline GaN nanobars is discussed briefly.     

西安市PM2.5相关因素多元回归分析模型

为了探索空气污染的主要因素,对空气污染监测指标PM2.5与AQI中其他监测指标进行相关性分析,得到PM2.5与SO2、NO2、CO呈正相关,与O3和温度呈负相关,同时利用多元回归模型得到PM2.5与主因子的数量关系,给西安市PM2.5防控提供参考意见.     

利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.     

实验教学用简易光谱仪的研制

研制了实验教学用简易光谱仪,分光器件用全息光栅和棱镜构成,使各波长衍射光成像在CCD平面上不同位置,显示器显示出光谱线和光强曲线.整机体积小,精度较高.利用已知单色光波长进行光谱仪定标,建立(横坐标)像素坐标与被测光波长(纵坐标)之间的函数关系,采用假设性检验法求出测量单色光波长的置信区间.     

属性依赖性及重要性度量

首先分析了粗糙集理论中现在常用的属性依赖性度量中的不合理性,然后结合概率统计中的卡方分布的思想,给出一种新的属性依赖性度量,根据这种依赖性度量,给出属性重要性的定义,最后详细讨论了它们的性质.     

一种基于模糊聚类的区间值属性约简算法

针对区间值信息系统基于粗糙集理论提出一种新的属性约简算法:首先计算同一属性下对象间的相似度,然后通过合取算子计算出所有属性下对象之间的相似度矩阵,再用模糊聚类中的传递闭包算子得到等价矩阵,将区间值信息系统转化为具有等价关系的信息系统并且进行约简,从而得到λ-核,同时给出了该算法的复杂度.最后通过一个实例表明这种算法的有效性和合理性.