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本文将Hilbert空间中关于平衡与不动点问题的Halpern次外梯度算法推广到粘滞次外梯度算法,并且证明由该算法产生的迭代序列强收敛到两个集合的公共点,这两个集合分别是伪单调平衡问题的解集和一个demi-压缩映射的不动点集.我们的结果提升和统一了一些相关结论. 相似文献
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The structural, magnetic properties, and electronic structures of hexagonal Fe Co Sn compounds with as-annealed bulk and ribbon states were investigated by x-ray powder diffraction(XRD), differential scanning calorimetry(DSC), transmission electron microscope(TEM), scanning electron microscope(SEM), magnetic measurements, and first-principles calculations. Results indicate that both states of FeCoSn show an Ni_2In-type hexagonal structure with a small amount of FeCo-rich secondary phase. The Curie temperatures are located at 257 K and 229 K, respectively. The corresponding magnetizations are 2.57 μB/f.u. and 2.94 μB/f.u. at 5 K with a field of 50 kOe(1 Oe = 79.5775 A·m~(-1)). The orbital hybridizations between 3 d elements are analyzed from the distribution of density of states(DOS), showing that Fe atoms carry the main magnetic moments and determine the electronic structure around Fermi level. A peak of DOS at Fermi level accounts for the presence of the FeCo-rich secondary phase. The Ni_2In-type hexagonal FeCoSn compound can be used during the isostructural alloying for tuning phase transitions. 相似文献
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低温灌注保存箱可保证移植肾在摘离人体后的质量,而目前存在的保存箱内温度不均、设备运行时间短等不足会影响移植肾的保存质量。针对这些不足,通过加装一套小型半导体制冷系统,该保存箱可在两小时内将箱内仿离体肾脏降至4℃,并稳定运行时长达35小时。实验结果表明,新型保存箱提升了使用性能,离体肾脏保存温度得到保障,病人术后生存质量和存活率也得以提高。 相似文献
219.
Jianwei Ben 《中国物理 B》2022,31(7):76104-076104
Introducing voids into AlN layer at a certain height using a simple method is meaningful but challenging. In this work, the AlN/sapphire template with AlN interlayer structure was designed and grown by metal-organic chemical vapor deposition. Then, the AlN template was annealed at 1700 ℃ for an hour to introduce the voids. It was found that voids were formed in the AlN layer after high-temperature annealing and they were mainly distributed around the AlN interlayer. Meanwhile, the dislocation density of the AlN template decreased from 5.26×109 cm-2 to 5.10×108 cm-2. This work provides a possible method to introduce voids into AlN layer at a designated height, which will benefit the design of AlN-based devices. 相似文献
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模拟相机磁场分布和光电子运动轨迹,建立传输时间和距离的二维分布模型,分析磁聚焦时间弥散和畸变的成因及其降低方法。研究结果表明,时间弥散和畸变与物点(即阴极位置)沿轴磁场强度密切相关,并随物点离轴距离的增大而变大,通过适当提升轴对称磁场均匀性可降低磁聚焦时间弥散和畸变。当漏磁缝隙由4 mm扩宽至40 mm时,轴上与离轴30 mm物点的沿轴磁场强度峰值比由0.82提高到0.89,时间弥散由127 fs和435 fs分别减小至120.6 fs和378.4 fs,离轴30 mm物点的时间畸变率由4.61%下降至4.01%。 相似文献