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131.
电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.  相似文献   
132.
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.  相似文献   
133.
By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices.  相似文献   
134.
A highly efficient W3 Y-branch filter in a two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice of air holes is designed and fabricated, and its transmission properties are measured. By accurately adjusting the size of the resonant cavities, the minimum wavelength spacing of 7 nm between two channels is realized. The corresponding resonant wavelengths of the two cavities agree well with the calculated ones. This implies that this kind of fiIter may be promising in integrated wavelength division multiplexing system.  相似文献   
135.
基于弹性波散射对二维障碍物边界的识别   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了二维障碍物弹性波散射场的一种近似积分形式 ,基于 Fourier变换法建立了均匀障碍物特征函数与其远场散射振幅中形状因子的关系式 ,最后就基体为锌 ,对圆形和椭圆形截面铁夹杂进行了计算机模拟 ,结果表明该反演方法对定量无损检测技术具有应用价值。  相似文献   
136.
137.
石墨炉原子吸收光谱法测定银杏中锗   总被引:1,自引:0,他引:1  
银杏为银杏科植物银杏树的种子,具有清肺止咳,抗结核,治疗小便频,淋浊白带以及抗癌、提高人体免疫力等功能[1],它的药用价值引起了人们的关注.  相似文献   
138.
SY-01型液相色谱仪目前虽已停止生产,但有不少单位购有此种仪器,并仍在使用。该仪器的气动泵易出故障,主要是因为使用的电子元件质量欠佳,使气动泵电气部件失灵。另外气动泵中使用两个交流电磁阀,因交变电流使铁芯振动,易使上阀门橡皮部份损坏而漏气或粘住。我们针对上述两方面的弊病对气动泵进行改进。改进中省去了气动泵电气部件,克服了这部份易出故障的弊病;将气动泵的两个交流电磁阀的  相似文献   
139.
课题的提出想一想,程序Ⅰ揭示了怎样的数学关系?S1:(a)2=a(a≥0).(公式1)T:对不对呢?我们来验证一下.分别向公式1中输入数据a=0;a=2;a=13,输出的结果依次是(0)2=0;(2)2=2;(13)2=13.结论与公式1相符,说明S1同学有较强的观察力,一下就抓住了问题本质.结合程序Ⅰ,请同学们谈谈对公式1的认识.S2:公式1包含有两种运算,先‘取算术平方根’,后‘平方’.S3:要使a有意义,输入的数据a必须是非负实数,输出的数据仍是a.T:认识深刻!下面请同学们在不改变上述两…  相似文献   
140.
采用一种特征值反求形式的方法用来近似层状复合板的波动特性修改。通过敏感度分析,确定层合板中能最显著地改变结构波动特性的结构参数为设计变量。采用二阶泰勒展式近似特征值和特征频率相对于设计变量的改变率。计算了不同结构变化时的色散特性,并与精确计算结果进行了比较。结果证明本方法对于层状复合板波动特性修改的近似是可行并且有效的。  相似文献   
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