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861.
利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜,对在低温(25~210℃)下制备薄膜的结构和光电特性进行了比较研究. 铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率分别为1.0×10-3和8.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%. 相似文献
862.
863.
864.
富氧条件下贵金属催化剂上丙烯选择性还原NO研究 总被引:8,自引:0,他引:8
用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了以γ-Al2O3为载体,以Pt,Pd和Rh等为活性组分的单组分及双组分催化剂,在稀燃汽油机条件下评价了丙烯对NO的选择性催化还原活性.结果表明,在单组分催化剂中,催化剂的活性及顺序为Rh(73%)>Pt(65%)>Pd(47%),最高活性对应的温度分别为Pt(225℃),Pd(275℃)和Rh(375℃),N2选择性顺序为Rh,Pd(>80%)>Pt(48%),氧化性顺序为Pt>Rh>Pd.Sol-gel制备的双组分催化剂中的不同贵金属活性位具有一定的协同效应,可明显拓宽活性温度范围,其中以Pt-Rh组合活性最好.Rh/Al2O3和Pt/Al2O3两种催化剂分层有序填装时,可提高C3H6的利用率,在200~450℃范围内,可有效地催化净化NO. 相似文献
865.
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论. 相似文献
866.
利用薄层法(TLCV)研究了硝基苯(NB)/水(W)界面上二茂铁(Fc)-多巴胺(DA)体系的电子迁移(ET)过程,得到该体系界面电子转移速率常数为1.012cm.s-1.mol-1.L,界面电子转移反应为单电子过程(n=0.89).采用扫描电化学显微镜(SECM)对同一体系进行研究,得到电子迁移速率常数为(1.10±0.2)cm.s-1.mol-1.L,两种方法所得结果吻合,证明了薄层法的可行性.同时,低的反应物浓度比又一次验证了Barker理论. 相似文献
867.
LaBO3(B=Fe,Co)中氧的迁移与光催化反应活性 总被引:10,自引:0,他引:10
以柠檬酸法合成的钙钛矿型复合氧化物LaBO3(B=Fe,Co)为催化剂,对水溶性染料进行光催化降解,实验结果表明,其光催化活性与钙钛矿型结构中氧空位沿BO6八面体棱边以曲线而非直线的迁移机制有关.在光催化氧化过程中,光生电子首先被表面氧空位束缚,再与表面的吸附氧反应生成超氧基(O2-·)而加速对染料分子的降解.钙钛矿型复合氧化物中的氧空位是由氧的迁移产生的,它可以作为电子的陷阱而捕俘电子,并作为氧的吸附中心而提高催化剂表面的吸附氧量. 相似文献
868.
桂林西瓜霜喷剂中盐酸小檗碱、苦参碱与黄芩苷的毛细管电泳测定 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了毛细管电泳法同时测定中药复方制剂桂林西瓜霜喷剂中盐酸小檗碱、苦参碱和黄芩苷含量的分析方法.通过研究缓冲溶液的酸度和浓度、工作电压、进样时间和有机添加剂的影响,优化了分析条件,以20 mmol/L硼砂缓冲溶液(含体积分数10%乙醇)作电解质(pH 9.0),于206 nm紫外检测.在优化的条件下,3种被测物在7 min内得到了良好分离,盐酸小檗碱、苦参碱和黄芩苷的峰面积和质量浓度分别在4.0 ~160 mg/L、14 ~420 mg/L和25~600 mg/L范围内呈良好线性,检出限分别为1.0、6.0和8.0 mg/L(S/N=3).此方法快速、简便,已成功地用于实际样品的分析. 相似文献
869.
Choice of crucible material is a key issue during the growth of AlN crystal. The stabilities at high temperature and life-spans of boron nitride (BN) crucible,tantalum (Ta) crucible and tungsten (W) crucible were compared. Tantalum crucible behaved worse at high temperature and life-span was shortened as compared with the other two crucible materials. It was very crisp and easy to crack. In contrast,self-seeded AlN crystals with different morphologies could be obtained at different high temperatures using BN crucible. The boron nitride crucible was stable below 2200 ℃,above which it would decompose. Thus it was unsuitable for the bulky AlN crystal growth. Tungsten crucible could endure the temperatures higher than 2200℃. Unfortunately we could only get AlN polycrystallines using tungsten crucible. After 50~100 hours’ run,the crucible was destroyed completely due to the multiple deep cracks. XRD results of destroyed tungsten crucible indicated that the main phases are tungsten carbide and tungsten nitride. 相似文献
870.
将增益介质加入金属环构成的表面等离子体激元耦合共振波导,利用传输矩阵及时域有限差分方法研究了不同增益系数下该耦合共振波导的透射谱线、色散关系以及群折射率.结果表明,增益介质共振频率附近的反常色散及正常色散变化能有效影响由共振波导几何结构决定的色散关系曲线,且具有相反的效果,分别使其变得平坦和陡峭,从而放大和缩小由共振波导几何结构决定的群折射率.另外,增益系数随外加抽运光改变的特点使得加入增益介质的耦合共振波导具有传输性能可灵活调节特性.文章的研究对促进耦合共振波导在高密度光学集成中的广泛应用具有积极意义.
关键词:
增益介质
耦合共振波导
表面等离子体激元
群折射率 相似文献