有或没有Alq3参与情况下LiF和Al的化学反应

利用X光电子能谱（XPS）和高分辨电子能量损失谱（HREELS）研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li 1s的峰发生了0.25 eV的位移,同时F 1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350 K后,在Li 1s峰的低能端0.85 eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li 1s.HREELS的结果也验证了这一结论.     

C_2H_2,C_2H_4与K在Ru(100)表面上共吸附的UPS研究

利用紫外光电子谱 (UPS)对乙烯 (C2 H4)和乙炔 (C2 H2 )气体在Ru(10 10 )表面的吸附及与K的共吸附进行了研究 ,实验结果表明 :当衬底温度超过 2 0 0K ,乙烯即发生脱氢反应后 ,σCH 和σCC 能级均向高结合能方向移动 .在室温下 ,σCH和σCC 能级位置与乙炔在Ru(10 10 )表面的吸附时的分子能级完全一致 .乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔 .衬底温度从 12 0K升到室温 ,Ru(10 10 )表面上乙炔的σCH 和σCC 能级均未发现变化 .室温下乙炔仍然可以在Ru(10 10 )表面以分子状态稳定吸附 .在有K的Ru(10 10 )表面上 ,室温时σCC谱峰几乎消失 .碱金属K的存在促进了乙炔的分解 .     

机械球磨对石墨结构的影响

对石墨进行了150h机械球磨,发现石墨原有的晶体结构被破坏,引入各种晶格缺陷的同时,生成了巴基洋葱、三脚架形碳纳米结构和纳米弓形等具有高度弯曲石墨面的碳纳米结构材料.还研究了其结构特征,并讨论了其形成机理 关键词：     

NO在清洁和Cs覆盖的Ru(10-10)表面上吸附的热脱附谱

用热脱附谱等方法研究了ＮＯ分别在清洁和Ｃｓ覆盖的Ｒｕ（１０＾－１０）表面上的吸附。结果表明：存在两种ＮＯ分子吸附态（ａ１,ａ２）,脱附温度分别处于３２５℃和５５０℃附近。Ｃｓ的存在增加了Ｒｕ（１０＾－１０）表面上ａ２态的吸附位置,提高了该态的脱温度。Ｃｓ在Ｒｕ（１０＾－１０）表面的存在同时促进了吸附ＮＯ分子的分解。ＮＯ在Ｒｕ（１０＾－１０）表面上分解后形成吸附Ｏ原子和Ｎ原子。Ｎ原子复合以Ｎ２在约５     

Ru(0001)表面上O-Ru伸缩振动的覆盖度依赖特性

在Ru(0001)表面上,通过氧气以及二氧化氮气体的分解吸附,制备了具有不同氧覆盖度的氧覆盖层.高分辨电子能量损失谱的测量表明,O-Ru伸缩振动具有强烈的覆盖度依赖特性,其振动能量从低覆盖度时(θ_O→0.0)的54meV变化到高覆盖度时(θ_O=1.0)的81meV. 关键词：     

用ARUPS研究在Cs/Ru(1010)面上的CO分子轨道对称性

用同步辐射角分辨紫外光电子能谱对CO与Cs在Ru(1010)面上共吸附的研究结果表明,由于Cs的强烈影响,CO的分子轨道重新排列.对应清洁表面上CO分子的(5σ+1π)轨道的7.5eV谱峰分裂成两个,分别处于6.3和7.8eV,6.3eV谱峰关于一个垂直于Ru(1010)面而平行于〈0001〉晶向的镜象面反对称性. 关键词：     

C2H2,C2H4与K在Ru（1010）表面上共吸附的UPS研究

利用紫外光电子谱(UPS)对乙烯(C2H4)和乙烯(C2H2)气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附进行了研究,实验结果表明：当衬底温度超过200K,乙烯即发生脱氢反应后,σCH和σCC能级均高结合方向移动．在室温下、σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010)表面的吸附时的分子能级完全一致．乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K升到室温,Ru(1010)表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化．室温下乙炔仍然可以在Ru(1010)表面以分子状态稳定吸附．在有K的Ru(1010）表面上．室温时σCH谱峰几乎消失．碱金属K的存在促进了乙炔的分解．     

单根纳米导线场发射增强因子的计算

利用镜像电荷模型，对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算，得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为β０＝h/ρ+35. 若考虑极板间距对场增强因子的影响，则场增强因子的表达式调整为β＝〖SX(〗h〖〗ρ〖SX)〗+35+A〖JB((〗〖SX(〗h〖〗d〖SX)〗〖JB))〗3,其中h，ρ分别为纳米导线的长度和半径，d为极板间距，A为常数. 结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著，而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响，随极板距离的增加而减小. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 极板间距     

Pits and adatoms at the interface of 1-ML C84/Ag （111）

We prepare a well-defined C84 monolayer on the surface of Ag （111） and study the geometric structure by scanning tunneling microscopy （STM）. The C84 molecules form a nearly close-packed incommensurate R30° lattice. The lattice is long-distance ordered with numerous local disorders. The monolayer exhibits complex bright/dim contrast; the largest height difference between the molecules can be greater than 0.4 nm. Annealing the monolayer at 380 ℃ can desorb part of the molecules, but more than sixty percent molecules stay on the Ag （111） surface even after the sample has been annealed at 650 ℃. Our analyses reveal that the 7-atom pits form beneath many molecules. Some other molecules sit at the 1-atom pits. Ag adatoms （those removed substrate atoms, accompanying the pit formation） play a very important role in this system. The adatoms can either stabilize or destabilize the monolayer, depending on the distribution manner of the adatoms at the interface. The distribution manner is determined by the co-play of the following factors： the dimension of the interstitial regions of the C84 overlayer, the number of the adatoms, and the long-distance migration of part adatoms.     

Ferromagnetism in Eu-doped ZnO films deposited by radio-frequency magnetic sputtering

This paper reports that Eu-doped ZnO films were successfully deposited on silicon (100) by radio-frequency magnetic sputtering. The x-ray diffraction patterns indicate that Eu substitutes for Zn in the lattice. Ferromagnetic loops were obtained by using superconducting quantum interference device at 10 K and room temperature. No discontinuous change was found in both of the zero-field-cooled and field-cooled curves. The observed ferromagnetism in Eu-doped ZnO can be attributed to a single magnetic phase. The saturation magnetisation decreased remarkably for the Eu-doped ZnO prepared by introducing 5% of oxygen in the sputtering gas or by the post annealing in O2, suggesting that the defects play key roles in the development of ferromagnetism in Eu-doped ZnO films.