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111.
碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层-电荷控制层-雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向吸收层扩展,从而减小了雪崩倍增层内电场强度变化率,最终将器件过偏压承受能力提高到10 V;得益于吸收层的分压,雪崩倍增层的电场强度得到有效降低,载流子隧穿可能性减小,这能够有效降低器件暗计数,从而有利于提高器件探测灵敏度;此外,设计的SiC SACM APD倾斜台面仅刻蚀到雪崩倍增层上表面,这能够让器件填充因子提高至约60%,显著改善了深刻蚀导致的传统SACM结构有效光敏区域减小的问题。 相似文献
112.
对NaYF4∶Yb3+,Er3+纳米材料的发光强度与激发光功率的依赖关系进行了研究,分析了NaYF4∶Yb3+,Er3+裸核纳米体系及其核包壳纳米体系的上转换红光真实来源.结果表明:核包壳的纳米体系完全不同于裸核纳米体系,交叉弛豫对于NaYF4∶ Yb3+,Er3+纳米体系的上转换红光发射起主导作用,而多声子弛豫过程几乎可以忽略.这个结果对于提高上转换发光纳米材料的上转换效率、调控各发光带之间的相对强度和实现上转换发光的单色性具有重要的指导意义. 相似文献
113.
114.
115.
The movement of a particular component along an HPLC column is studied on the ba-sis of equilibrium equations. Numerical simulation of multi--step gradient elution HPLC isperformed by means o? a personal computer program. The location x, as a fraction of thecolumn length, for a given time t o? each compound is calculated, the velocity and corre-sponding acceleration are given as well. Diagrams for x,dx/dt and d~2x/dt~2 versus t display themovement process of the different components along the HPLC column during gradient elu-tion. The prediction of the retention time and peak width, and the optimization for the multi-step gradient elution HPLC are all based on such simulation and the molecular structure ofthe. components is separated as well. 相似文献
116.
阳,阴,非离子表面活性剂胶束对酯碱性水解的影响 总被引:4,自引:1,他引:4
应用紫外分光光度法和热动力学方法研究了芳香酸酯和正脂肪酸酯在表面活性剂DTAB、TTAB、CTAB、SDS、Brij35、Triton X-100胶束中的碱性水解反应,阳、阴、非离子表面活性剂胶束对酯的碱必水解均有禁阻作用,讨论了胶束对酯碱性水解禁阻作用的原因。 相似文献
117.
118.
本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Pb(Zr,Ti)O3薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明,由1200℃时烧结的靶所制备的薄膜中PbO的含量偏低,而900℃时的薄膜中PbO的含量却大于1;由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构,但900℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好,具有较好的铁电性能,其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为73.2kV/cm和25.9μC/cm^2 相似文献
119.
本讨论了一种新型期权--两值期权的定价问题。建立由Possion跳-扩散过程驱动下的股票价格模型,在此模型下推导出期权的价值方程,并给出期权定价公式。 相似文献
120.
二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷输运沟道和极少的晶面内缺陷能够为研究本征的有机电子输运特性创造可能。目前,对于二维有机半导体晶体的生长工艺研究已经取得了较大的进展,但是从理论层面上研究二维晶体生长的自组装过程仍然十分匮乏。本工作利用添加剂辅助结晶技术成功制备出二维有机半导体晶体,并通过偏光显微镜和原子力显微镜对二维晶体进行了全面的表面形貌和结构表征。通过SEM结合EDS技术对关键的形核界面进行了结构和组成的表征以研究晶体生长的机制。研究结果表明:在添加剂界面上,生长材料能够稳定形核,并计算出添加剂构建的有利界面能够将形核势垒降低为SiO2界面上的1/5。这项工作充分展现了生长界面对于晶体生长的关键作用,并从理论上揭示了界面的调控行为,为二维有机半导体晶体的生长工艺设计提供了可靠的思路。 相似文献