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561.
HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤 总被引:1,自引:0,他引:1
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2~ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一 相似文献
562.
本文分析了目前测交流电致发光屏功耗通用的补偿法所存在的问题,并通过计算导出此法适用的范围.在此基础上设计了交流电桥法,直接测量发光屏等效电阻和等效电容,通过等效电阻计算发光屏功耗.这样,克服了补偿法存在的问题,并在一定程度上消除了发光屏非线性阻抗特性对功耗测量的影响. 相似文献
563.
564.
Cross-section ratios σTI/σSC of transfer ionization (TI) to single capture (SC) of C^q+- and O^q+-He (q = 1 - 3) collisions in the energy range of 15-440 keV/u (0.8-4.2 vBohr) are experimentally determined. It is shown that σTI/σSC strongly depends on the projectile velocity, and there is a maximum for E(keV/u)/q1/2 ≈, 150. Combining the Bohr-Lindhard model and the statistical model, a theoretical estimate is presented, in reasonable agreement with the experimental data when E(keV//u)/q^1/2 〉 35. 相似文献
565.
四苯硼酸盐PVC膜铵离子选择电极的研制 总被引:4,自引:0,他引:4
以往,常用氨气敏电极测定铵盐,测定时须加入强碱(如氢氧化钠)使 NH_4~+转化为 NH_3。为了直接测定 NH_4~+,同时简化电极,我们研制了四苯硼酸盐 PVC 膜 NH_4~+离子选择电极。 相似文献
566.
处于变化磁场中,由电阻不同的两半环组成的导体圆环,其两半环连接处的龟势差问题可近似地作为两半环各自具有相同电动势及不同集中电阻的环形电路问题处理.这种近似的成立条件是:(1)导体圆环的电阻很大,自感作用可以忽略.(2)不考虑暂态过程.(3)环内磁通量变化频率很低,其影响可以略去. 相似文献
567.
测量线圈自感的方法很多,但由于实验教学仪器短缺,多数大、中学校未能开出这方面的实验题目。本文提出了利用RL电路的瞬态过程,用示波器法测量电压、时间求得线圈自感的实验方案。笔者认为用此种方法测定线圈自感,虽说精度不很高,但其测试方法直观,物理思想明确,只要借助于实验室常用的方波信号发生器、学生示波器、电阻箱即可完善地开出,有利于推广。原理和方法电路装置如图1所示,电路输入端加上具有一定的重复频率、一定宽度的方波信号。由于线圈的作用,无论是信号电压由低 相似文献
568.
569.
570.
直边上具有混合支撑段薄砑矩形板的弯曲 总被引:1,自引:0,他引:1
在本文中,应用功的互等定理法首次给出直边上具有简支段与自由段混合支撑的矩形板的精确解析解。作为比较,我们用有限元法计算了同一问题,比较表明,该解析解是正确的。 相似文献