X-Ray Emission from Zr, Mo, In and Pb Targets Bombarded by Slow Highly Charged Ar^q＋（q = 13, 14, 15, 16） Ions

We study the L x-ray emission from Zr, Mo and In targets and M x-ray emission from Pb target under bombardment of low energy Ar^q (q = 13, 14, 15, 16) ions. The relative x-ray yields were measured in the projectile kinetic energy range 210-360 keV. It is found that the relative x-ray yields from Zr, Mo and Pb targets increase with the increasing projectile kinetic energy for Ar^14 and Ar^16 projectiles and depend on the potential energy of the projectile remarkably.     

稳健估计下的声源定位最小二乘算法

采用声波技术测量落点坐标时,由于多种原因不可避免会产生粗差,严重影响定位结果。针对上述问题,提出了一种粗差探测方法和稳健估计下的声源定位最小二乘算法。该算法按照逐次迭代平差的方法,不断地改变观测值的权,使粗差观测值的权趋于零,从而降低粗差的影响。通过算例对文章算法进行了验证,结果表明:新算法的解算精度明显优于传统最小二乘算法。     

高温高压下β相硼的电导率测量

 硼在高压下具有复杂的结构和多样的物理性质,对其结构和性质的深入研究具有很重要的意义,一直引起理论和实验研究领域的关注。高压下进行电学性质测量是获得物质物理性质的有效手段,利用集成在金刚石对顶砧上的微电路,在高压下和两个不同温度范围内对β相硼进行了电导率测量,分析了导电机制随压力的变化规律。在0～28.1 GPa范围内,β相硼的电导率随着压力的增大是逐渐增大的,卸压后样品的电导率不能回到最初的状态,是一个不可逆的变化过程;由室温到423 K的范围内,β硼的电导率随着温度的不断增加有明显的上升趋势,并且随着压力的升高,电导率变化逐渐加快。此外,对样品在14.5 GPa和18.6 GPa压力下,用溅射到金刚石对顶砧上的氧化铝薄膜做绝热层,对样品进行了激光加热实验,最高温度达到2 224 K,电导率随着温度的上升而增大,结果显示,β相硼的电学特征仍然属于半导体的特征范围内。     

YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性

利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa₂Cu₃O_7-x薄膜的外延生长.在外延YBa₂Cu₃O_7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO₂作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织 关键词： 2Cu₃O_7-x镀膜导体')" href="#">YBa₂Cu₃O_7-x镀膜导体 2缓冲层')" href="#">CeO₂缓冲层 厚度依赖性 外延生长     

稀土钐离子可见荧光量子产率的精确测试与计算

采用积分球配以CCD光谱测试系统,在蓝色半导体发光二极管激发下,对Sm3 掺杂的低声子能量、高折射率铋碲酸盐玻璃的荧光光谱进行测试。实现了荧光发射特性绝对评价为目的的绝对光谱功率分布测定,为发光与激光材料荧光发射特性的精确测量与表征提供了一种准确方法。荧光测试系统由直径为25.4cm的积分球配以CCD探测器组成,通过标准卤素灯定标,辅助卤素灯校正积分球内环境变化,解析出样品的绝对光谱功率分布,并进一步计算出光量子数分布,求得荧光量子产率等荧光特征参量。测试与计算结果表明,对应可见区Sm3 四个特征发射峰,总荧光量子产率为7.55%。     

对电感电容损耗电阻的研究

电感电路和电容电路在电子技术的滤波电路中有着重要作用,损耗电阻的大小是设计滤波电路参数的重要依据．人们通常在讨论电感和电容特性时,都把电感和电容当作纯电抗性元件,认为在低频段它们不存在损耗电阻,只有在10。Hz以上的高频范围内才有损耗电阻存在,事实是这样吗？事实并非如此,本文试图通过实验测试分析电感电容在10^3～10^4Hz的频率范围内它们的损耗电阻不能忽略,而且电感的损耗电阻随着频率的升高而增大,电容的损耗电阻随着频率的升高而降低．     

High Power Continuous-Wave and Acousto-Optic Q-Switched Nd：GdVO4 Laser Operated at 912 nm

We present a high power and efficient operation of the ^4F3/2 → ^4I9/2 transition in Nd：GdVO4 at 912nm. In the cw mode, the maximum output power of 8.6 W is achieved when the incident pump power is 40.3 W, leading to a slope efficiency of 33.3% and an optical-optical efficiency of 21.3%. To the best of our knowledge, this is the highest cw laser power at 912nm obtained with the conventional Nd：GdVO4 crystal. Pulsed operation of 912nm laser has also been realized by inserting a small aeousto-optie （A-O） Q-Switch inside the resonator. As a result, the minimal pulse width of 20ns and the average laser power 1.43 W at the repetition rate of lOkHz are obtained, corresponding to 7.1 kW peak power. We believe that this is the highest laser peak power at 912nm. Furthermore, duration of 65ns has also been acquired when the repetition rate is 100 kHz.     

高重复频率锁模光纤激光器及其超连续谱产生

设计并实验研究了一种结构简单的主动调制锁模高重复频率窄脉宽光纤激光器。采用窄线宽连续激光调制4 GHz高重频后,通过拉曼增益孤子压缩效应将脉宽由27 ps压窄至2.6 ps。该高重频锁模激光泵浦一段300 m长高非线性光纤,同时脉冲被展宽至7.4 ps。产生的超连续谱平坦度20 dB宽带可达250 nm,功率波动为±0.2 dB。     

8毫米相对论orotron的实验研究

文章简述了强相对论毫米波器件的研究动态和相对论orotron(奥罗管)的基本原理，并给出了8毫米相对论orotron的初步实验结果。理论计算与冷测、热测得到的工作波长符合良好，输出功率与脉冲磁场和脉冲电压的关系与预期的一致，所得到的E131模的输出功率为10千瓦量级。同时也讨论了进一步提高功率的努力方向。     

计及各项电流的SIS结电模拟——计算机辅助设计Padé逼近法的一种应用

本文介绍了利用计算机辅助设计Padé逼近法实现SIS结各项电流(ReJ:(w)、ImJ_1(w),ReJ_2(w)及ImJ_2(w))的电模拟。j_1(t)、j_2(t)是实的因果函数,其付里叶变换为J_1(w),J_2(w)。实现计及全部电流的SIS结电模拟的关键就是在给定J_1(w)、J_2(w)的实部与虚部条件下,设计出能同时严格满足其实部与虚部特性曲线形状的滤波器。但是,由于在一般情况下无法写出包含系统零、极点信息的J_1(w)、J_2(w)的解析表示式,用传统的滤波器设计方法也无法实现。利用本文介绍的方法可以实现较高精度的电模拟。