闵氏几何法解析“双生子佯谬”及结果讨论

在闵可夫斯基四维时空中利用二维坐标图解析了双生子效应.特别对飞船转向所引起的同时线跃变而导致的地球人年龄的跃变作出了定量解析,得出了孪生子重逢时经历过加速运动的飞船人比可以看作为惯性系的地球人更年轻的绝对性结论.然后通过对解析结果的讨论并辅之以数值计算,给出了飞船往返飞行的两个不同阶段及全程在两个不同参考系的具体的观测结果.     

Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.     

EXISTENCE OF SOLUTIONS FOR NON-PERIODIC SUPERLINEAR SCHRODINGER EQUATIONS WITHOUT （AR） CONDITION

The existence of solutions is obtained for a class of the non-periodic Schrdinger equation -Δu + V (x)u = f (x, u), x ∈ R N , by the generalized mountain pass theorem, where V is large at infinity and f is superlinear as |u| →∞.     

The enhancement of light-emitting efficiency using GaN-based multiple quantum well light-emitting diodes with nanopillar arrays

The quest for higher modulation speed and lower energy consumption has inevitably promoted the rapid development of semiconductor-based solid lighting devices in recent years. GaN-based light-emitting diodes （LEDs） have emerged as promising candidates for achieving high efficiency and high intensity, and have received increasing attention among many researchers in this field. In this paper, we use a self-assembled array-patterned mask to fabricate InGaN/GaN multi- quantum well （MQW） LEDs with the intention of enhancing the light-emitting efficiency. By utilizing inductively coupled plasma etching with a self-assembled Ni cluster as the mask, nanopillar arrays are formed on the surface of the InGaN/GaN MQWs. We then observe the structure of the nanopillars and find that the V-defects on the surface of the conventional structure and the negative effects of threading dislocation are effectively reduced. Simultaneously, we make a comparison of the photoluminescence （PL） spectrum between the conventional structure and the nanopillar arrays, achieved under an experimental set-up with an excitation wavelength of 325 mm. The analysis demonstrates that MQW-LEDs with nanopillar arrays achieve a PL intensity 2.7 times that of conventional LEDs. In response to the PL spectrum, some reasons are proposed for the enhancement in the light-emitting efficiency as follows： 1） the improvement in crystal quality, namely the reduction in V-defects; 2） the roughened surface effect on the expansion of the critical angle and the attenuated total reflection; and 3） the enhancement of the light-extraction efficiency due to forward scattering by surface plasmon polariton modes in Ni particles deposited above the p-type GaN layer at the top of the nanopillars.     

用反应48Ca+254Es合成119号元素的可能性研究

利用最近发展起来的两步模型分析重离子核反应48Ca+254Es 的熔合过程。在这个模型中,熔合过程被分为前后独立的两个过程,即粘连过程和形成过程。本研究组计算了对应的粘连概率和形成概率,并结合适用于蒸发过程的统计蒸发模型,计算了该反应合成119 号超重元素的剩余截面,即当Elab = 250:2 MeV时,得到最大剩余截面为0.7 pb。Two-step model is adopted to analyze the fusion process of heavy-ion reaction 48Ca+254 Es. Based on this model, the fusion process is divided into two consecutive steps, i.e., the sticking step and the formation step, and corresponding sticking probability and formation probability are calculated. Combining the statistical evaporation model for the evaporation stage, the maximum evaporation residue cross section for reaction 48Ca+254 Es is 0.7 pb at 4n, Elab =250.2 MeV.     

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究

由于尺寸缩小引起的量子效应, 硒(Se) 材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性, 因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向. 本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒, 退火温度在100–180℃之间时, 结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构, 其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增大. 光致发光谱测试发现三个发光峰, 分别位于1.4eV, 1.7eV和1.83eV. 研究发现位于1.4eV处的发光峰来源于非晶硒缺陷发光, 位于1.83eV处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光; 而位于1.7eV处的发光峰强度随激发功率增强而指数增大, 且向短波长移动, 该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光. 关键词： 硅基 硒纳米颗粒 光致发光 施主-受主对     

外场下SnS分子结构及其特性

对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(-0.04 a.u.-0.04 a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.     

LiFePO4电极放电曲线的阻抗模拟

建立了磷酸铁锂(LiFePO4)电极材料放电曲线的阻抗模型.将不同倍率放电的电位分为欧姆电位降、电荷转移电位降与扩散阻抗电位降三部分,以电极交流阻抗谱图结合理论分析,推导出不同倍率电极电位的表达式.模拟结果显示,拟合值与实验值吻合较好.     

机载多脉冲激光雷达目标信号模拟器的研究

研究多脉冲激光雷达目标信号模拟器,用以评估回波数字信号处理算法及其实现平台的性能。结合信号能量与波形关系指出由激光雷达方程建立回波信号波形模型是不充分的。对空中目标回波脉冲展宽进行建模及数值仿真,得到不同倾角、目标距离及目标尺寸下的波形展宽时间数据。根据展宽前后能量保持不变的性质,利用高斯脉冲函数特征参数求解建立回波波形数学模型。基于目标距离误差及目标回波噪声统计特性建立回波仿真模型,提出了依信噪比发生回波观测信号的方法。对比两种模拟器的信噪比误差、最小模拟信噪比、连续工作时间等性能指标,总结了新型模拟器的优势。     

宽γ辐照剂量范围内硅泡沫本构模型研究

基于实验和理论建模研究了白炭黑增强硅泡沫材料在γ辐照剂量范围为0~1000kGy作用后的单轴压缩力学行为。实验结果表明辐照导致硅泡沫出现明显硬化现象,初始杨氏模量和固定应变下应力幅值均随γ辐照剂量近似线性增加。辐照后硅泡沫泡孔结构完整,硅橡胶基体中高分子交联反应占主导,且交联密度随辐照剂量线性增大。基于实验分析结果,实现了Ogden Hyperfoam超弹本构模型参数与辐照剂量的关联。结果表明初始剪切模量参数与辐照剂量成线性关系,硬化指数和泊松比参数与辐照剂量无关。基于应力应变实验数据拟合得到模型参数,并与未参与拟合的实验数据对比,验证了模型的准确性,表明该模型能够表征宽辐照剂量范围内硅泡沫的压缩力学行为。