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以液氦作为冷源,结合G-M低温制冷机,实现-196~-269℃深冷温度环境,探索深冷低温冲击试验方法。结果表明,试样从低温环境中取出后置于大气环境中,温度出现快速回升。对于不同试验低温,可采用不同方法进行试验。试验温度T=4.2K时,可采用制冷机预冷+液氦持续喷淋的方法进行降温。试验温度10≤T77K时,可采用玻璃容器填充气凝胶粉体对试样进行绝热保温处理;或根据试验温度以及回温测试结果,以一定的过冷温度补偿值保证试验温度。过冷温度补偿方法可满足常规冲击试验的要求,但需要相对较大的过冷温度补偿值;玻璃容器填充粉体包裹试样,可减缓试样温度回升,但对材料冲击吸收能量有一定影响,可用多试样冲击试验并进行修正以反映材料冲击韧性水平。 相似文献
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Optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal produced by multi-energy C ion implantation 下载免费PDF全文
We report the fabrication of a planar waveguide in the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal by multi-energy C ions at room temperature. The waveguide is annealed at 200℃, 260℃, and 300℃ in succession each for 30 min in an open oven. The effective refractive index profiles at transverse electric(TE) polarization are stable after the annealing treatments. Damage distribution for multi-energy C ion implanted in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal is calculated by SRIM 2010. The Raman and fluorescence spectra of the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal are collected by an excitation beam at 633 nm and 473 nm, respectively. The results indicate the stabilization of the optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal. 相似文献
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可见/近红外高光谱成像技术对鸡蛋种类无损判别 总被引:2,自引:0,他引:2
利用高光谱技术对鸡蛋种类判别进行研究,为鸡蛋种类无损判别提供科学方法。本研究利用400~1 000 nm高光谱系统采集3种鸡蛋样本的高光谱图像,对原始光谱进行预处理;应用CARS、GAPLS和IRF对预处理后的光谱数据提取特征波长;分别建立基于全光谱和特征波长的KNN和PLS-DA鸡蛋判别模型。结果表明:Detrend法为最优预处理方法;利用CARS、GAPLS和IRF分别选出31、52和71个特征波长;基于IRF提取的特征波长的PLS-DA模型最优,校正集正确率97.02%,预测集正确率85.71%。表明基于高光谱成像技术采集的鸡蛋反射光谱对种类无损判别是可行的。 相似文献
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基于变形单壁碳纳米管能量色散关系,计算了碳纳米管最低导带的电子速度及有效质量随形变系数变化的各种曲线,以此推测碳纳米管输运性质的稳定性问题.计算结果表明:对于特定类型的碳纳米管,只当其形变发生在某特定方向、且处于低形变(形变系数ε≤002 )区时,电子平均速度vmean及平均有效质量m*mean随形变改变才会很小(相对改变量≤2%),这意味着此时的碳纳米管低偏压电子输运性能是基本稳定的.而其他形变情形,电子平均速度vmean或电子平均有效质量m*mean或两者随形变变化明显,甚至有跃变,这意味着其低偏压电子输运性能是不稳定的,甚至极不稳定.
关键词:
变形单壁碳纳米管
电子速度
电子有效质量
输运性能稳定性 相似文献
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碳化钼催化剂的XPS研究 总被引:5,自引:0,他引:5
用程序升温碳化法在CH4/H2气流中,由前驱体MoC2/C出发,制备了活性炭担载斩高分散Mo2C/C催化剂,并用XPS和XRD等方法考察了制备温度,钼含量,钝化处理和氢还原活化对催化剂表面状态的影响,680℃碳化制得的具有高甲烷活性的Mo2C/C催化剂表面钼中以Mo^4+组分为主,Cls单峰位于284.5eV未发现反映C-Mo键合的低结合能的Cls峰,600℃氢还原后,表面的O/Mo原子比仍在0. 相似文献
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利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。 相似文献