新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究

本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图，对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验，研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律，为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。     

HgCl2/I2复合催化剂协同催化合成异丙醇钇的研究

以金属钇和异丙醇为原料，以HgCl2/I2为复合催化剂，通过对金属钇的机械加工以增加其比表面，并将异丙醇脱水使其含水量降低至0．05％，体系在82℃回流5h，经过滤、减压蒸馏，得到了白色海绵状异丙醇钇，其产率高达83％，合成时间比文献报道的缩短了19h，产率提高了8％。文章确定了催化剂的最佳用量为20gY加入60mg HgCl2/I2，研究了合成产率与HgCl2/I2催化剂和HgCl2催化剂的依赖关系及异丙醇中含水量对合成产率的影响，并对HgCl2/I2的催化作用机理进行了初步探讨。     

高频强泵浦场激发的等离子体参量不稳定性的特性

本文论证了当泵浦波的强度足够强时,在相当普遍的条件下,对均匀等离子体,唯一可以发生的参量不稳定性是类似于弱场的振荡二束不稳定性(OTSI)。对均匀及弱不均匀等离子体,高频强泵浦场激发的参量不稳定性都是绝对不稳定性。同样的性质在磁化等离子体中也可以得到。 关键词：     

用变形全息透镜实现变形分数傅里叶变换

利用一发散点光源和一束倾斜平行光制作出在两个垂直方向上具有不同焦距的变形全息透镜,且用此全息元件实现了变形分数傅里叶变换。变形全息透镜两个方向上的焦距随全息记录条件和再现条件而变化,分析了用这种全息透镜实现变形分数傅里叶变换的条件。实验表明,用该元件能够方便地实现任意级次的变形分数傅里叶变换。     

SEPARATING SCN~- FROM DESULPHURIZATION WASTE SOLUTION OF COCKING PLANT BY D241 RESIN

1. INTRODUCTION In the process of coking plant, about 30%~35% sulfur is transformed to H2S and some other sulfide, which form impurity in coal gas together with NH3 and HCN. Only 0.1% H2S containing in air can lead to die, so it is very important to carry on desulphurization and decyanation with coal gas [1~3]. Currently desulphurization and decyanation craft technique have Dry Oxidation Technology, Wet Oxidation Technology and Liquid Absorption Technology [2] three main kinds. The…     

空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱

用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子／离子化器，建立了原子／离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子／离子荧光信号强度的影响，测量了系统对Ca的原子／离子荧光光谱的检出限。     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).     

考虑货架存放期的经济批量排产问题的求解

在化工、造纸、制药、钢铁等工业生产中，一台设备或一条生产线可以生产多种产品的情况很常见。在生产中，如何安排各类产品的生产顺序以及生产数量显得十分重要。这类问题通常称作经济批量排产问题，这类问题是生产库存中的经典问题。本文研究的经济批量排产问题考虑了产品货架存放期因素，针对以往研究的不足，本文提出用批量变动方法求解该类问题，由计算结果显示，按照这种排产方法花费的成本要低于其他两种经济批量排产问题常用的方法。     

标的资产价格服从跳-扩散过程的具有随机寿命的未定权益定价

本文在假设被终止或取消的风险与重大信息导致的标的资产价格跳跃的风险为非系统风险的情况下,应用无套利资本资产定价,推导出了标的的资产的价格服从跳-扩散过程具有随机寿命的未定权益满足的偏微分方程,然后应用Feynman-kac公式获得了未定权益的定价公式.     

超细CaO粉炉内喷射脱硫的实验研究

本文对超细ＣａＯ粉炉内喷射脱硫进行了实验研究，分析了可能影响超细ＣａＯ粉炉内脱硫效率的多种因素，实验结果表明：使用预先锻烧生成的超细ＣａＯ粉在并不苛刻的反应条件下脱硫效果很好，颗粒大小、反应区温度、反应时间和Ｃａ／Ｓ比对炉内喷钙脱硫的效率有重要的影响．