多层导体超导电缆的交流输电特性

在完成设计和制造我国第一组并网运行的超导电缆系统的工作中，我们对不同结构的超导电缆短样样品的交流载流特性进行了系统的研究，内容包括层电流均流特性、电缆失超特性、失超恢复特性、电缆载流能力和抗短路冲击能力等．结果表明，对多层螺旋导体结构的超导电缆，影响其输运电流在各导体层分布的主要因素是邻近效应．由于其零电阻特性，在相同的结构中，超导体表现出比常规导体大得多的临近效应．显著的邻近效应使多层导体结构的超导电缆的均流问题变得更加复杂．此类超导电缆有很强的抗短路电流冲击能力，能够承受高于额定电流20倍以上的短路电流，并且有很好的超导性能恢复能力．由于交流超导电缆的电压与电流相位差对电阻的变化非常敏感，所以可以被用作判断失超的预警参数用来避免热溃式失超的发生．     

Bi2Sr2CaCu2O8掺杂MgB2的磁通钉扎特性

为了研究超导材料中高温超导相颗粒的钉扎行为,在Ar气保护条件下,采用固相反应法制备了质量百分比为0,3,5和10%Bi2Sr2CaCu2O8含量的MgB2块状样品.用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品进行了显微结构分析;用物理性能综合测试系统振动样品磁强计(最大磁场9T)测量了所有样品在不同磁场下的直流M(T)曲线,并测量了不同温度下的准静态磁化曲线,通过Bean临界态模型分析出Jc(H)曲线.随着掺杂量的增大掺杂后Tc基本不变,转变宽度略为增大;相比于未掺杂样品,掺杂量为3 wt%样品抗磁信号和临界电流密度有较大提高.显微结构分析结果表明,部分Bi2Sr2CaCu2O8分解为Cu2O和其它杂相,有部分Bi2Sr2CaCu2O8颗粒保留在样品内部,成为有效的钉扎中心.最后本文对超导体中的高温超导相颗粒的钉扎行为进行了分析.     

GdBCO超导体的顺磁性及低温下磁通分布的动态观测

本文研究了100～300K之间Gd1．8Ba2.4Cu3．4O7-δ（简写为GdBCO）超导体的顺磁性，对GdBCO的磁化强度随磁场和温度的变化分别在100K和0．1T进行了测试，GdBCO的顺磁性遵从朗之万顺磁性理论．在磁光显微镜下，低温12K场冷下，我们观察了从0mT～29mT磁通线进入GdBCO的超导体的过程，以及磁通线在GdBCO超导体中的分布。     

YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体（coated conductor）所需要的高强度、低磁性的立方织构基带，本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at％W合金基带．为评估基带中立方织构的发展，用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究，结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致．研究结果表明，在实验中所用的工艺参数范围内，随总加工率和热处理温度的提高，基带中立方织构百分数明显增高．提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量．实验中得到了较好的和实用的工艺制度，用这种工艺可以制作出具有99％～100％立方织构百分数，并具有很好一致取向度的Ni5W基带．     

Zn取代Cu抑制YBa2Cu3O7-y超导电性的机理研究

通过精心制备样品,系统地研究分析YBa₂Cu₃O_7-y体系的超导转变、电阻率、热电势、晶体结构,以及氧含量等随Zn浓度变化的规律。并指出,Zn取代Cu导致CuO面上Cu的数目减少,载流子浓度下降;正是以Zn杂质为中心的正常芯及随之产生的渗流性破坏抑制了YBa₂Cu_3-xO_7-y的超导电性;以Zn杂质散射为基础的渗流超导电性模型与实验结果一致。     

EFFECT OF THERMAL TREATMENTS ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF UNDOPED AND WO3 DOPED Y-Ba-Cu-O SYSTEM

Undoped and WO₃-doped Y-Ba-Cu-O ceramics have been slowly cooled in flowing oxygen or quenched in air from 900℃ to room temperature, after sintering at 900℃ for 3Oh in flowing oxygen. The ac susceptibility measurements show that the T_c of the quenched WO₃-doped Y-Ba-Gu-O superconductor can reach 88K, while the undoped Y-Ba-Cu-O ceramic quenched in air is a non-superconductor. X-ray diffraction data show that WO₃ does not enter into the YBa₂Cu₃O_7-x lattice but forms all impurity phase. The WO₃-doped YBCO specimens quenched in air consist of orthorhombic YBa₂Cu₃O_7-x phase and an impurity phase which increases with increasing WO₃ content. Raman spectra chow that oxygen contents are different for undoped and WO₃-doped samples. It la suggested that suitable doping with WO₃ can change the oxygen content and reduce the effect of thermal treatments on the superconductivity of Y-Ba-Cu-O system.     

KLiSO4单晶的电学性质

我们证实了KLiSO₄为Li离子导体。通过测定样品中的电位分布,确定其载流子为间隙Li离子和Li空位。其电流弛豫在一定时域内遵从负幂次衰减规律。与之对应,在一定频域内存在与频率成负幂次关系的介电色散。在相变温度附近,本底电流、直流电导率和表观介电常数除发生跃变外还出现一个尖锐的小峰。此峰只有在变温速率较慢时才能观察到,表明该相变具有弛豫过程。 关键词：     

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

本文研究了77K温度下GaAs_0.15P_0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN₁的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN₁的热助能量转移过程。对N_x能级和NN₁能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。 关键词：     

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中²⁸Si⁺注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 关键词：     

N-(1-H-苯并三唑基-3-氧)-(E)-3-甲氧基-巴豆酸酰胺的合成、晶体结构及量子化学计算

以(E)-3-甲氧基-巴豆酸和1-羟基苯并三唑为原料合成了标题化合物,通过~1H NMR等进行了表征,并通过XRD衍射测定了晶体结构,晶体属于单斜晶系,P2_1/c空间群。晶胞参数为a=1.4001(3)nm,b=1.0014(2)nm,c=1.5699(3)nm,α=90°,β=100.13(3)°,γ=90°,D+x=1.429g/cm~3,Z=8,F(000)=976,μ=0.11mm~(-1),最终偏差因子R_1=0.063,ωR_2=0.141。使用Gaussian 03程序,用量子化学中的密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311G(d,p)基组下计算了该化合物的优化结构参数、电荷分布、分子总能量。算得的键长键角数据和单晶衍射数据相符合。结果表明计算得到的分子几何优化结构可靠,所用的计算方法可靠。