PFCVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系

本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀，含氧量均较低(3%以下)，任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加，固是界面正电荷密度与陷阱密度均在10'z/cmz量级，膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射，当Si/N比为1.25^-0.81时，膜的击穿场强为3.0~8. 5 MV/cm.     

产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

由脉冲M O S 结构的I一C 瞬态确定体产生寿命和表面产生速度

本文建议利用MOS结构对阶跃电压的I-t和C-t响应,采用由Rabbani提出的较精确的体产生区模型测量体产生寿命和表面产生速度,既不需要在瞬态曲线上求斜率,也不需要知道样品衬底的掺杂浓度.因此不仅可使计算简单,而且还可以减少误差.本方法原则上适用于确定掺杂不均匀样品的两个产生参数.