Field-enhanced carrier-generation effect of deep-level centers in semiconductors

A general theory on the field-enhanced carrier generation of deep-level centers in semiconductors is put forward in order to explain the relevant phenomena observed in some experiments. It is concluded that generally both the Coulombic and the non-Coulombic emissions control the generation process of carriers from deep-level centers. On the basis of this, a theoretical relationship between the generation current density and the effective generating width is derived. Further it is shown that the present theory is better than the previous ones in which the non-Coulombic emission was ignored in explaining the experimental results and the latter can be considered a special case of the former.     

用MOS 结构同时测定少子复合寿命和产生寿命

本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的反型少子被扫回半导体表面,MOS结构则进入深耗尽态。此后,在不变的栅压下,通过空间电荷区的少子产生,MOS结构将逐渐弛豫回到加脉冲前的强反型态。本文指出,由前一过程可确定少子复合寿命,而由后一过程可确定产生寿命,文中并分析讨论了界面态对测量结果的影响。     

电场增强载流子的产生研究

本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生.深能级中心的载流子发射几率对电场的依赖性采用Poole-Freakel模型.我们得出了产生电流密度与产生宽度之间的一般手系.通过选择合适的参数,可以使理论结果与实验测量之间在整个测量范围内相当好地符合.关于温度对电场增强载流子产生特性的理论预言也被实验结果所证实.     

感应反型层太阳电池的开路电压分析

本文应用数值计算方法研究了感应反型层太阳电池的开路电压与衬底掺杂水平、介质层固定正电荷密度及表面复合速度等的函数关系.研究结果表明,表面复合对开路电压的影响与衬底的掺杂水平有关,并且随着固定正电荷的增加而减弱.     

用准平衡能带模型研究MIS结构场增强非平衡瞬态

本文研究了线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/V瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,还考虑了深能级中心的电场增强产生载流子效应.在研究中我们采用了较简单的准平衡能带模型来分析有效产生区宽度.文中对于位于禁带中部的深能级中心的MIS结构给出了具体的结果.     

Description of non-equilibrium phenomena in pulsed MOS capacitors

A theoretical investigation of the non-equilibrium phenomena of pulsed MOS capacitors is presented. Unlike treated previously, a time-dependent minority carrier generation rate of bulk traps is considered and an improved model for the generation width is applied. A differential equation is found, which describes the change of the space-charge region in the non-equilibrium transients. The dependence of MOS capacitance and current on the width of the space-charge region is ascertained. In such a manner we can describe the non-equilibrium transients of pulsed MOS capacitors more accurately than in previous works.     

衬底温度对PECVD氮化硅膜性质的影响

本文研究了PECVD氮化硅膜的性质与衬底温度的关系,对不同衬底温度的膜的折射率、腐蚀速率、介电特性进行了讨论;本文还指出,膜的导电机理符合Poole-Frenkel发射.C-V曲线的显著滞后效应表明,膜中存在高密度的陷阱。     

硅MIS/IL太阳电池反型层 薄层电阻的精确算法

本文提出了一种直接求解泊松方程计算MIS/IL太阳电池的反型层薄层电阻的方法.这种方法既不采用耗尽近似，也不忽略反型电荷对电势的影响，因而它是精确的.文中通过计算实例比较了这种精确算法与耗尽近似计算方法的结果，并进行了讨论     

太阳电池扩散区结构和它的短路电流

本文研究了硅扩散结太阳电池扩散区的结构和它的短路电流的关系.结果表明扩散区对短路电流的贡献依赖于扩散区厚度、表面复合速度和扩散区中的内建场梯度等因素.木文通过计算实例指出:被腐蚀减薄的扩散区结构的优劣需要具体评价，同时提供了这种具体评价的理论和方法。     

PFCVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系

本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀，含氧量均较低(3%以下)，任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加，固是界面正电荷密度与陷阱密度均在10'z/cmz量级，膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射，当Si/N比为1.25^-0.81时，膜的击穿场强为3.0~8. 5 MV/cm.