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991.
原子物理学课程的教学改革与实践   总被引:2,自引:0,他引:2  
郭振华 《物理》2002,31(9):613-618
文章首先对原子物理学课程进行定位,指出原子物理学是普通物理的一部分,它属于近代物理,并概述了原子物理学课程的特点;文章接着对原子物理学课程的教学体系与教学内容的改革方面的一些重要问题分别进行了讨论;文章最后详述了原子物理学的教学改革与实践以及在教学中培养分析问题和解决问题的能力方面的尝试。  相似文献   
992.
武振华  李华  严亮星  刘炳灿  田强* 《物理学报》2013,62(9):97302-097302
本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw<70 Å并且衬底厚度Lb<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw>70 Å或者衬底厚度Lb>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考. 关键词: 分数维方法 GaAs薄膜 极化子 低维异质结构  相似文献   
993.
本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。  相似文献   
994.
田华  范希武  许少鸿 《发光学报》1988,9(4):297-303
本文研究了在室温下经Er离子注入ZnSe晶体的电致发光.报导了三价稀土离子在ZnSe MIS结二极管中的发光.阐明了Er3+离子是在高电场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率.  相似文献   
995.
利用Nal闪烁谱仪测量了在探测器与放射源间某个距离下对应的计数率.对测量的数据分别利用等精度最小二乘法和未知参数逼近法进行了处理,观察到在某些未知参数下,最小二乘法引起的误差很大,利用未知参数逼近法得到的值能和真实值较好接近,从而验证了辐射强度与距离平方反比率.  相似文献   
996.
CPU散热器换热特性的实验研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
本文对两种不同类型的CPU散热器,整体平直翅片与分段式的平直翅片,在不同加热功率、不同流速下的强迫风冷的传热性能进行了实验研究,得出换热系数主要和来流速度有关,而与加热功率关系不大的结论,并将二者的换热性能进行了对比。结果表明,翅片2的换热系数随流速的变化更强烈,在其他相同条件下,其换热系数甚至可以达到翅片1的两倍。  相似文献   
997.
大气红外辐射传输的简便算法与MODTRAN的比较   总被引:2,自引:0,他引:2  
以红外辐射的传输理论为基础,考虑高度、倾斜以及气象条件等因素,建立了大气光谱透过率、平均透过率的理论模型与计算方法。利用以此算法为基础的程序进行了模拟计算,可得到3.0~12.0μm的红外大气透过率。将此结果与MODTRAN的计算结果做了比较,在目标高度为20km的范围内,两者吻合较好。该算法简单,便于实际应用。  相似文献   
998.
测定了LaNi5-xAlx(x=0.0、0.1、0.2、0.3)的氘化与去 氘化热力学参数,评价了LaNi5-xAlx中铝含量对氘化与去氘化热力学函 数的影响。研究结果表明,合金的坪台压力和吸氘容量随x的增加而降低;坪率随x 的增加而增加;热力学焓变与熵变随x的增加而减少;滞后系数Hf随x的增加而减少 。  相似文献   
999.
为实现准等熵压缩的波阻抗梯度飞片的实验研究   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
采用粉末冶金方法,制备出波阻抗沿厚度方向呈特定分布的WMoTi体系梯度飞片,在二级轻气炮上进行了梯度飞片击靶实验的初步研究.结果表明,利用梯度飞片可以实现对靶样品的准等熵压缩,击靶后产生的波阵面是平缓、连续上升的,明显不同于冲击压缩的陡峭波阵面,靶面压力峰值最高达到了167GPa.波阻抗按二次函数分布的梯度飞片能够获得最佳的击靶波形 关键词: 波阻抗梯度飞片 准等熵压缩  相似文献   
1000.
基于载流子的注入、传输和复合过程,建立了双层有机发光器件的电致发光延时理论模型;讨论了电致发光延时随电压、注入势垒、内界面势垒、阳极区厚度及LiF缓冲层(BL)厚度的变化关系。结果表明:(1)低电压下,EL延时由复合过程主导,而高电压下,输运过程起着更重要的作用;(2)当δe/δh2时,M/O界面属于欧姆接触,电流是空间电荷限制的,注入势垒的变化对复合时间trec影响较大,当δe/δh2时,M/O界面成为接触限制,注入势垒的变化对trec几乎没有影响;(3)当内界面势垒超过0.3eV,H′h对trec的影响明显变弱,复合延迟时间基本上由电压和其它因素控制;(4)当电压较小时,随Lh/L的增大,trec增大;当电压超过某一值后,trec几乎不随Lh/L的变化而变化;(5)对于LiF/Ag阴极,在不同的偏压下,LiF的厚度在3.1nm左右时的复合时间最短,对应的EL延迟时间也最短,这与实验中从电致发光效率的角度得出的LiF最佳厚度一致。  相似文献   
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