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251.
Graded-index ZrO2 films has been fabricated on K9 glass by glancing angle deposition. Because the index mismatch at the interface has been reduced, the film results in wideband high-transmission antireflection. From 400nm to 1200nm, the film reflection is lower than 0.8% and the lowest value is 0.2% at 432nm. 相似文献
252.
本文研究了100~300K之间Gd1.8Ba2.4Cu3.4O7-δ(简写为GdBCO)超导体的顺磁性,对GdBCO的磁化强度随磁场和温度的变化分别在100K和0.1T进行了测试,GdBCO的顺磁性遵从朗之万顺磁性理论.在磁光显微镜下,低温12K场冷下,我们观察了从0mT~29mT磁通线进入GdBCO的超导体的过程,以及磁通线在GdBCO超导体中的分布。 相似文献
253.
一种新型桥路型HTSFCL的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在研究一种新型桥路型高温超导限流器的限流原理的基础上,研制开发了一台三相600V、故障电流峰值100A的实验室样机.本文介绍了该限流器的功率电路、控制器、低温容器和高温超导磁体等部分的结构特点和功能.在三相系统中进行了各种短路故障限流实验,结果表明该限流器有较强的限流能力和重合闸能力,说明新型高温超导限流器的研究对改善电网动态性能和提高电网电能质量有十分重要的意义. 相似文献
254.
GaN非线性光学效应研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。 相似文献
255.
介绍了RIBLL终端LASCAR闪烁体阵列探测器的工作原理和结构特点. 描述了为满足放射性核束实验的要求而对阵列所作的重要改进. 给出了LASCAR构型优化改造的工作设想和实施步骤. The principles and structure characteristics of LASCAR scintillator array detector at RIBLL terminal are described. Special emphases are laid upon the latest progress for the development of LASCAR array detector to meet the requirements of the RIB experiments. The working plan and steps for optimizing configuration of the LASCAR multi unit neutron scintillator array detector are also presented. 相似文献
256.
场效应器件低温特性与低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz~850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB. 相似文献
257.
258.
遗传算法是一种行之有效的优化算法,具有很强的自适应性、鲁棒性和全局搜索能力,但其亦存在着未成熟收敛及进化缓慢等问题.为提高遗传算法的寻优性能并考虑到磁体工程实际问题,本文对遗传算法作了改进,并与局部优化算法序列二次规划算法相结合形成一种优势互补的混合算法,并将其应用于3.2T传导冷却Bi系高温超导磁体的优化设计中,取得了良好效果. 相似文献
259.
260.
MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射 总被引:1,自引:1,他引:1
通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。 相似文献