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21.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
22.
分析由若干段等截面或者变截面构件组成的压杆平面内稳定问题.从由三段等截面构件组成的压杆平面内稳定问题出发,对两端为变截面、中间为等截面构件组成的压杆的平面内稳定问题进行了分析,得出和两端为等截面构件情况类似的屈曲荷载计算公式.并对两端固接的情况进行了研究分析. 相似文献
23.
We propose a weighted evolving network model in which the underlying topological structure is still driven by the degree according to the preferential attachment rule while the weight assigned to the newly established edges is dependent on the degree in a nonlinear form. By varying the parameter a that controls the function determining the assignment of weight, a wide variety of power-law behaviours of the total weight distributions as well as the diversity of the weight distributions of edges are displayed. Variation of correlation and heterogeneity in the network is illustrated as well. 相似文献
24.
25.
在 1,10 -邻菲罗啉显色体系中 ,引入二阶导数光谱 -峰面积积分技术 ,建立了同时测定痕量铁 ( )和钴 ( )的新方法。该法可有效消除共存离子的干扰 ,提高了准确度和灵敏度。对铁和钴的表观摩尔吸光系数分别为 εFe5 .4 5× 10 6 L·mol-1·cm-1,εCo 1.1× 10 4 L· mol-1· cm-1;铁含量在 0 .0— 8.5 μg·m L-1,钴含量在 0 .0— 7.3μg· m L-1范围内遵守比耳定律。可用于芦荟中铁和钴的同时测定 ,结果令人满意 相似文献
26.
将心磁信号从干扰噪声中加以提取并有效地消除噪声干扰是心磁信号处理中尤为重要的环节 .从改进算法的角度出发,提出互补型自适应滤波器结构以实现心磁信号的消噪处理.该滤波器针对心磁这类非平稳信号进行设计,有效地解决了常规自适应滤波器应用于心磁信号处理时收敛速度和稳态误差的矛盾.通过仿真实验和心磁实验结果表明,该算法能有效地消除心磁信号的背景噪声和工频干扰噪声.同时该算法也可用于其他非平稳信号的消噪处理.
关键词:
自适应滤波
心磁图
最小均方误差 相似文献
27.
28.
29.
Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg1-xCdxTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, DoX, AoX and DoAo transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively. 相似文献
30.
汤宇 《核聚变与等离子体物理》1991,11(2):124-128
一、引 言 输出窗是回旋管的能量输出端口,它的特性直接影响到回旋管的性能和寿命。输出窗的设计包括电特性和热特性的研究。当输出功率增加时,热特性的研究变得非常重要以便寻求合理有效的冷却措施。 输出窗由波导和介质片(块)两部分组成。回旋管的输出波导是圆波导,介质一般做成 相似文献