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81.
气相色谱分析电合成法制备对氟苯甲醛 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了对氟苯甲醛的气相色谱分析条件,选用8%OV-210为固定相测定对氟苯甲醛的含量。方法的标准偏差小于1%,回收率为100.9%~103.3%,方法快速、准确,适合于对氟苯甲醛合成工艺中的产品分析。 相似文献
82.
83.
介绍由两同心圆组成的等投影面积五象限声-电测量装置的工作原理。当声波与声-电转换器的主要测象限垂直时,其声波在主要测象限内产生的声-电电压最强。根据声-电电压的变化大小来确定声源的方向,实现自动跟踪。 相似文献
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85.
86.
为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%~100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带. 相似文献
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采用微乳液法制备Na Lu(WO4)2-x(Mo O4)x∶8%Eu3+(x=0,0.5,1.0,1.5,2.0)/y%Eu3+,5%Tb3+(y=1,3,5,7,9)系列荧光粉。通过X射线衍射(XRD)表征,所制样品的X射线衍射峰与标准卡片PDF#27-0729基本吻合,表明所制的样品为白钨矿结构,属于四方晶系。扫描电镜(SEM)显示制备的纳米粒子是梭子状的,粒径大约是110 nm。激发发射光谱显示,在Eu3+离子掺杂物质的量分数为8%时,Na Lu(WO4)(Mo O4)∶Eu3+发光强度最大。Na Lu(WO4)2-x(Mo O4)x∶8%Eu3+(x=0,0.5,1.0,1.5,2.0)荧光粉在nMo/nW比达到1∶1(x=1)时发光强度最大,强烈的红光发射表明该材料可用于白光LED材料。该荧光粉在268、394和466 nm波长光激发下分别发出橙红色、黄色和淡黄色光,可以满足不同光色需要。Na Lu(WO4)(Mo O4)∶y%Eu3+,5%Tb3+(y=1,3,5,7,9)荧光粉,随着y值增大,从绿光区(x=0.278,y=0.514)进入白光区(x=0.356,y=0.373),(x=0.278,y=0.313),同时观察到Tb3+到Eu3+有效能量传递。 相似文献
89.
Qian-Rui LÜ Jing LI Zhi-Peng LIAN Hao-Yan ZHAO Gui-Fang DONG Qiang LI Li-Duo WANG Qing-Feng YAN 《物理化学学报》2017,33(1):249-254
Organic-inorganic hybrid perovskite methylammonium lead iodide (CH3NH3PbI3) generally tends to show n-type semiconductor properties. In this work, a field-effect transistor (FET) device based on a CH3NH3PbI3 single crystal with tantalum pentoxide (Ta2O5) as the top gate dielectric was fabricated. The p-type field-effect transport properties of the device were observed in the dark. The hole mobility of the device extracted from transfer characteristics in the dark was 8.7×10-5 cm2·V-1·s-1, which is one order of magnitude higher than that of polycrystalline FETs with SiO2 as the bottom gate dielectric. In addition, the effect of light illumination on the CH3NH3PbI3 single-crystal FET was studied. Light illumination strongly influenced the field effect of the device because of the intense photoelectric response of the CH3NH3PbI3 single crystal. Different from a CH3NH3PbI3 polycrystalline FET with a bottom gate dielectric, even with the top gate dielectric shielding, light illumination of 5.00 mW·cm-2 caused the hole current to increase by one order of magnitude compared with that in the dark (VGS (gate-source voltage)=VDS (drain-source voltage)=20 V) and the photoresponsivity reached 2.5 A·W-1. The introduction of Ta2O5 as the top gate dielectric selectively enhanced hole transport in the single-crystal FET, indicating that in the absence of external factors, by appropriate device design, CH3NH3PbI3 also has potential for use in ambipolar transistors. 相似文献
90.