3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

硫属铅化合物PbE(E=Te,Se)微晶的元素溶剂热反应合成与表征

以元素单质Pb片,Te粉,Se粉为原料,乙二胺为螯合剂,采用元素溶剂热反应合成出不同形貌的PbE(E=Te,Se)微晶.对所得反应物进行了X射线衍射分析,透射电镜(TEM)与扫描电镜(SEM)的分析,光致荧光光谱的表征.分析了反应条件对合成PbE(E=Te,Se)微晶的影响,讨论了其反应过程及机理.结果表明当反应温度为180℃时,反应12h可获得高度结晶的树枝状PbTe微晶以及立方状PbSe微晶.     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.     

Synthesis, Crystal Structure and Biological Activity of Novel Dichloroacetyl Oxazolidine Herbicide Safeners

A series of novel N-dichloroacetyl oxazolidine herbicide safeners was synthesized and characterized by IR, 1H NMR, 13C NMR, elemental analysis and X-ray diffraction. The preliminary biological test shows that the compounds could protect maize against injury caused by chlorsulfuron to a certain extent.     

高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ_c＝１．５×１０^４Ａ·ｃｍ^-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ_0∥＝０．２１ H^-0.3(eV),Ｕ_0⊥＝０．１5 H^-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。 关键词：     

齐次群上新Hardy空间的分子特征及其应用

建立了齐次群上伴随于Herz空间和Beurling代数的Hardy空间的分子分解理论．作为其应用．研究了中心强奇异Calderon-Zygmund算子在这些空间上的有界性．     

Bernstein算子导数与高阶光滑性

借助于r阶光滑模ωφ^r(f,t)φ是一般的步权函数，给出了Bernstein算子导数与函数高阶光滑性之间的等价关系。     

钢球质量监测最佳抽检方案的确定

本文介绍概率抽样法在钢球生产过程中的应用,通过此法确定钢球生产中各工序质量监测的最佳抽检方案,以确保产品被接受的概率最大。     

关于L-fuzzy拓扑分离性的弱同胚不变性质

本文研究了一种新的弱同胚不变性质，它更具有一般性；证明了目前文献中所论述的各种分离性都是弱同胚不变性质，并且否定回答了王国俊提出的两个分离性问题。