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61.
采用高温固相反应法合成了一系列Dy~(3+)、Sm~(3+)单掺杂和共掺杂铝方柱石发光材料,详细地研究了Dy~(3+)、Sm~(3+)掺杂对铝方柱石的结构和发光性质的影响。XRD结果表明Dy~(3+)、Sm~(3+)离子单掺杂和共掺杂样品均形成了单相的铝方柱石结构化合物,并没有改变基质的晶体结构。发光光谱表明,通过调节Dy~(3+)、Sm~(3+)离子的掺杂比例,发光颜色可实现从黄色到黄白色的可控调节。此外,发射和激发光谱表明,Dy~(3+)与Sm~(3+)离子之间存在有效的光谱重叠,暗示着Dy~(3+)→Sm~(3+)的能量传递。荧光寿命衰减结果进一步证实Dy~(3+)与Sm~(3+)离子之间是一种无辐射共振能量传递方式。 相似文献
62.
使用四甲氧基硅烷(TMOS)和二甲基二甲氧基硅烷(DiMe-DMOS)为共先驱体,采用溶胶-凝胶的有机掺杂,制备对pH具有宽程响应的敏感膜。详细考察了包埋溴酚蓝和溴酚绿的敏感膜对pH的响应值、响应时间、泄漏和可逆性等响应性能指标,并进行了溴酚蓝和溴酚绿在水相与膜内吸收光谱的研究。 相似文献
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沿直线分布电荷体系电场线的解析解 总被引:1,自引:1,他引:1
通过求解电场线所满足的微分方程,得到了沿直线分布电荷体系电场线的严格解析解,根据所得电场线簇方程,讨论了各种沿直线分布电荷体系的电场线特点,并在计算机上利用Mathematica软件绘出了相应的电场线分布图. 相似文献
66.
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69.
椭偏法表征四面体非晶碳薄膜的化学键结构 总被引:2,自引:0,他引:2
采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧(FCVA)技术,在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。通过分光光度计和椭偏(SE)联用技术精确测量了薄膜厚度,重点采用椭偏法对不同偏压下制备的ta-C薄膜sp3 C键和sp2 C键结构进行了拟合表征,并与X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱的实验结果相对比,分析了非晶碳结构的椭偏拟合新方法可靠性。结果表明,在-100V偏压时薄膜厚度最小,为33.9nm;随着偏压的增加,薄膜中的sp2 C含量增加,sp3 C含量减小,光学带隙下降。对比结果发现,椭偏法作为一种无损、简易、快速的表征方法,可用于ta-C薄膜中sp2 C键和sp3 C键含量的准确测定,且在采用玻璃碳代表纯sp2 C的光学常数及拟合波长选取250~1700nm时的椭偏拟合条件下,拟合数值最佳。 相似文献
70.