乌桕类可可脂结晶过程中表现体积变化

为了解乌桕类可可脂(CTCBE)缓冷结晶横向胀罐爆裂原因，研究CTCBE结晶过程中的膨胀特性，采用流体静力法测试了不同等温结晶条件下CTCBE结晶形成的表观密度和表观体积及其横纵向膨胀状况。结果表明，CTCBE缓冷结晶后形成外部和中部两个晶区。在5-25℃的各等温结晶范围内，当结晶温度增加时，外部结晶区域减小、表观密度变化不大；中部结晶区域增大、表观密度明显减小，CTCBE的表观体积、横向、纵向膨胀率均增大，膨胀横向大于纵向。进一步表明CTCBE在自然缓冷固化的表观体积根本上由其结晶温度决定。为有效防止横向胀罐，自然缓冷固化温度应低于10℃。     

爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电的理论分析

 将爆磁压缩等效为电流源的方法，对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析，得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形（简称负载电流）为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数，脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比，负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间，斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间，从而可能增加充电电压的幅值，提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。     

叶栅全三维粘性反问题的数值解

本文发展了一种解叶栅全三维粘性反问题的新的数值方法.基于非正交曲线坐标与相应的非正交速度分量下完全守恒型的Navier－Stokes方程,全三维反问题规定叶片表面的无量纲压力分布反求叶型。计算中叶片表面的边界条件采用一种特殊的方式来处理，即一方面强加给定的压力分布条件,另方面叶面的几何位置在迭代过程中又是可移动的，其移动速度将与Navier—Stokes方程在当地的解联系起来，从而形成一种解定常问题的新的不定常过程.试算证明了本文方法的可行性。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

The Exact Solutions of Some (2 + 1)-Dimensional Integrable Systems

The equivalence of three (2 1)-dimensional soliton equations is proved, and the quite generalsolutionswitha some arbitrary functions of x, t and y respectively are obtained. By selecting the arbitrary functions, many specialtypes of the localized excitations like the solitoff solitons, multi-dromion solutions, lump, and multi-ring soliton solutionsare obtained.     

The Properties of Light Pressure Force with High Order in Laser Fields

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｂｏｔｈｔｈｅｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌａｎｄｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｎｌａｓｅｒｃｏｏｌｉｎｇａｎｄｔｒａｐｐｉｎｇｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｏｎｅｏｆｔｈｅｍａｊｏｒｆｉｅｌｄｓｉｎａｔｏｍｉｃ,ｍｏｌｅｃｕｌａｒａｎｄｏｐｔｉｃａｌ ｐｈｙｓｉｃｓ[1～ 8] .Ｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｌａｓｅｒｃｏｏｌｉｎｇａｎｄｔｒａｐｐｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔｆｏｒｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｓｕ…     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.     

Concurrence and Wigner-Yanase Skew Information

A measure of entanglement on n qubits is defined in terms of Wigner-Yanase skew information. It is shown that the measure coincides essentially with the concurrence on two qubits. This uncovers the information-theoretic meaning of the concurrence of entangled states.     

硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物.     

催化动力学光度法测定痕量铝

痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。