低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究

采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400 ℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术 (PAT)、X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。     

中国战略性新兴产业国际竞争力评价

以"新钻石模型"为基础,从产业环境、产业支撑和产业创新等3个维度构建战略性新兴产业国际竞争力评价指标体系.运用2005~2014年的面板数据对战略性新兴产业进行因子分析.评价结果显示,电子及通信设备制造业与医药制造业国际竞争力明显高于计算机及办公设备制造业与医疗仪器设备及仪器仪表制造业.航空航天器及设备制造业国际竞争力有很大提升潜力.电子及通信设备制造业创新能力表现突出,但战略性新兴产业整体创新能力较低.     

非晶态超导体的转变温度Tc与原子质量的关系

本文探讨非晶态超导体的T_c与原子质量M之间的关系,发现在具有相同价电子数的同族元素中,超导T_c与原子质量的立方根成反比,即T_c∝l/M^1/3。讨论了晶态超导体的T_c问题,其中包括高T_c氧化物超导体。 关键词：     

金属玻璃(Cu1-xNix)33Zr67合金的低温电阻率

本文研究了金属玻璃(Cu_1-xNi_x)₃₃Zr₆₇合金的低温电阻输运特性。在较宽的温区(2—273K)测试了电阻率,测量结果符合Mooij判据。样品电阻率随温度的变化行为与双能级隧道模型符合较好。 关键词：     

约瑟夫森隧道结微波感应效应的实验和理论研究

在实验中观察到半波长约瑟夫森隧道结微波感应阶梯高度随微波电压振幅近似地按贝塞耳函数的二次方变化,并且奇数号码阶梯有时不出现,对于上述现象本文做了理论解释。     

聚乙撑二氧噻吩导电聚合物上吗啡的电化学检测

在水相中电沉积制备得到了聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）导电聚合物膜,研究了沉积电量、沉积电位等因素对聚合物膜的电化学活性及其在水溶液中检测吗啡的电化学响应的影-向．结果表明．沉积电量为20～40mC,沉积电位为1．2V（相对于Ag／AgCl电极）时所得的聚合物膜对吗啡具有最高的电化学响应．在此基础上,研究了PEDOT膜修饰电极在不同浓度的吗啡水溶液中的电化学检测,发现在0．05～6mmol·L^-1浓度范围内具有很好的线性响应．最低检测限为0．05mmol·L^-1,相关系数达0．995．     

MCM-41负载多联吡啶化合物及其Eu(Ⅲ)配合物的合成与光谱性质

合成出一种新的磷酸根取代多联吡啶化合物6-(4-甲基磷酸苯基)-2,2’-二联吡啶(2)及其Eu(III)的三元配合物[Eu(DBM)3(2)](3)(DBM为二苯甲酰甲烷),通过Si-O-P键将化合物2及配合物3负载到无机介孔材料MCM-41上,并研究了它们的电子光谱性质变化。电子光谱表明,化合物2在溶液中吸收     

胍基化试剂的制备及其应用木

制备了两种胍基化试剂:N-硝基-1-(3,5-二甲基吡唑)脒1,N,N'-二叔丁氧羰基硫脲2,将一系列胺类化合物分别与两种胍基化试剂作用,制得新化合物1a-1J,2a-2j,并对两种胍基化试剂的性能进行了比较.所有新化合物的结构均经IR,1H NMR和元素分析证实.     

Nb3Sn超导材料的高场钉扎行为

本文利用线性回归分析法处理扩散和气相沉积Nb₃Sn带材样品以及青铜法多芯Nb₃Sn线材样品在高场(²2T)下的临界电流测试数据,得到J_c-B曲线和钉扎力随磁场变化的经验规律。该规律与Kramer模型的钉扎力公式不一致,有待提出新的理论模型加以说明。 关键词：