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142.
143.
基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果. 相似文献
144.
用强子–弦级联模型JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器研究相对论性核–核碰撞中带电粒子多重数的赝快度密度对能量和中心度的依赖关系.无需另调任何模型参数的条件下,此模型可以同时较好地描述相对论性pp实验数据及PHOBOS和PHENIX实验组的Au+Au实验数据.本文指出:因〈Npart〉并非严格定义的物理量,致使实验上和理论上确定〈Npart〉有一定任意性,从而使得每参加者核子对的带电粒子赝快度密度随着〈Npart〉的增加可能逐渐增大,也可能逐渐减小,因此用它来区分粒子产生机制是欠妥的. 相似文献
145.
一种视频图像规则圆目标的超分辨率位置测量方法 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种用于视频图像规则圆目标的超分辨率位置测量方法。分析了超分辨率测量的原理 ,并提出和完成了测量方案 ,取得了满意的结果。首先在目标静止时 ,连续采集多帧视频图像 ,通过叠加平均进行降噪 ;其次通过罗伯特微分算子进行边界探测 ,求出目标的大致位置 ;最后通过边界重心拟合法、边界圆拟合法和最小二乘法拟合求出目标的精确位置。理论分析和实验表明 ,完整圆目标时 ,测量精度可达 1/4像素 ;而当目标图像有缺陷时 ,边界圆拟合法和最小二乘法拟合测量误差增加较少 ,边界重心法的测量误差增加较多。在具体情况下 ,算法及参数应该作相应的调整 相似文献
146.
基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术。分析了半像素错位的多幅图像与高分辨率图像各像素灰度值的对应关系 ,并从CCD数字化采样的角度进行了论证。同时 ,结合实际摄像机CCD结构 ,求出了高分辨率图像重建的计算公式 ,并通过实验进行了验证和完善。重建的本质是以原高分辨率图像的 4邻域平均图像为基础 ,增加一定比例的边缘细节信息 ,去接近原高分辨率图像。CCD的动态范围越大 ,图像的灰度级越多 ,那么计算误差就越小 ,图像的边缘细节信息就可以利用更多 ,重建的图像就越接近原高分辨率图像。通过实验和分析表明 ,利用半像素错位的多幅低分辨率图像重建高分辨率图像的原理是正确的 ,方案是可行的 相似文献
147.
148.
以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察。实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(111)晶相择优生长。随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2μm减小到500 nm。不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄膜均在拉曼光谱上呈现出一个强的LO峰和一个微弱的TO峰,峰的强度均随着电沉积温度的升高而增大。同时,光致发光(PL)光谱的分析显示出强的近带边发射峰。CuI粉末在结构及形貌等性质上与CuI薄膜有一定的差异。 相似文献
149.
对面心立方(fcc)、体心立方(bcc)和六角密堆积(hcp)三种不同结构的晶体,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型”,研究其根据费米球确定的费米能级EF与根据自由电子能带模型计算的平均键能Em。研究结果表明,由自由电子能带模型计算所得3种不同结构晶体(因而电子密度也不一样)的平均键能Em等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级,研究结果在深化对平均键能Em物理实质认识的同时,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EF的新方法。 相似文献
150.
建立了环向场线圈的水冷计算模型,根据热传导和对流换热方程进行了数值模拟分析。计算结果表明:指形接头与铜板的界面接触热阻和接触电阻对指形接头的温升影响较大,但在平顶电流为140kA 及其电流平顶7s 时,由焦耳热引起的最高温升40℃以下,故环向场线圈的温度均不会超过80℃,且15min 后TF 线圈温度均降至30℃以下。在平顶电流为190kA 时,线圈通电持续时间可根据界面实测接触热阻、接触电阻以及线圈初始温度来确定。 相似文献