晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响

GaN基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响. 通过使用三种不同的键合衬底(Al₂O₃衬底, CuW衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290 ℃, 320 ℃, 350 ℃和380 ℃), 并且使用不同的激光能量密度(875, 945和1015 mJ·cm^-2) 进行激光剥离, 制备了不同应力状态的GaN基LED器件. 对不同条件下GaN LED进行弯曲度、Raman 散射谱测试. 实验结果表明, 垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果, 而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小. 激光剥离过程中, 一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响, 但是如果该工艺对GaN 层造成了微裂缝, 则会在一定程度上起到释放残余应力的作用. 使用Si衬底键合后, 外延蓝宝石衬底翘曲变大, 对应制备的GaN基垂直结构 LED中的残余应力为张应力, 并且随着键合温度的上升而变大; 而Al₂O₃和CuW衬底制备的LED中的残余应力为压应力, 但使用Al₂O₃衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大, CuW 衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.     

石墨烯衍生物作为有机太阳能电池界面材料的研究进展

本文综述了石墨烯及其衍生物作为界面材料在有机太阳能电池中的应用, 包括作为阳极界面层、阴极界面层和叠层电池中间层等方面. 氧化石墨烯由于较好的透光性, 易于分散在水溶液中与溶液加工等优点已被应用在有机太阳能电池中. 对氧化石墨烯作为阳极界面层的研究包括通过部分还原或掺杂提高其导电性、通过引入高负电性原子提高其表面功函数, 以及通过与其他材料复合提高性能等. 同时, 本文综述了石墨烯衍生物及复合材料作为有机太阳能电池阴极界面层和叠层电池中间层的研究. 最后本文展望了石墨烯及其衍生物在有机太阳能电池与有机无机复合钙钛矿太阳能电池中的应用前景.     

Zn-Y/BEA上乙醇一步法制1，}3-丁二烯的反应机理及优异催化剂筛选

随着beta分子筛负载双金属催化剂的开发,乙醇一步法制1,3-丁二烯}取得了突破性进展. 然而,从乙醇到丁二烯的反应机理复杂,尚未完全阐明,也缺乏基于中心金属原子的催化剂筛选. 本文采用密度泛函理论计算方法,系统地研究了乙醇在Zn-Y/BEA催化剂上一步法制丁二烯的机理. 结果表明,乙醇脱氢更倾向于在Zn位点进行,决速步骤的反应热仅为0.77 eV;羟醇缩合生成丁二烯更倾向于在Y位点进行,决速步骤的反应热仅为0.69 eV. 基于所揭示的反应机理,选择了六种元素代替Y来筛选用于该反应的Zn-M/BEA(M=Sn、Nb、Ta、Hf、Zr、Ti)的优良组合. 结果表明,与其他六种催化剂相比,Zn-Y/BEA仍是最优选的催化剂,Zn-Zr/BEA、Zn-Ti/BEA和 Zn-Sn/BEA也是乙醇转化为丁二烯的可行催化剂. 本工作不仅揭示了Zn-Y/BEA催化乙醇一步法制丁二烯的反应机理,而且为该反应提供了其他可能的催化剂选择.     

不同厚度镥样品中子俘获反应实验研究

C₆D₆闪烁体探测系统结合脉冲权重技术被广泛应用于中子俘获反应截面测量研究.实验中采用的样品厚度直接影响中子束流时间,同时也影响实验数据的可靠性.本文基于中国散裂中子源反角白光束线(CSNS Back-n)C₆D₆探测系统,对比研究了不同厚度的镥(Lu)样品中子俘获反应截面的实验测量.利用GEANT4蒙特卡罗程序模拟了考虑样品厚度的探测系统光响应,计算出精确的脉冲权重函数.实验中,通过采用较长中子飞行距离和本底测量,得到了高精度的共振区产额分布.通过R矩阵理论分析产额分布,得到了相应的实验共振参数.结果发现,较厚Lu样品因其厚度效应导致共振曲线发生变化,实验共振参数与ENDF/B-Ⅷ.0评价数据库差距较大;然而,较薄Lu样品实验结果能够很好地再现ENDF/B-Ⅷ.0评价数据.     

Blumlein主放电开关中绝缘结构对沿面闪络电压的影响北大核心CSCD

Blumlein主放电开关作为关键部件被大量地应用于强流电子直线感应加速器等大型脉冲功率装置中,其中绝缘子在主开关中起隔离水或油与气体的作用。设备在高电压脉冲下长时间或高频次作用时,绝缘子气体侧会出现沿面闪络现象,严重影响直线感应加速器的可靠运行。对Blumlein主放电开关中的绝缘结构进行了电场仿真计算,通过对绝缘子的几何结构和电极形状的优化设计,有效调控了绝缘子表面和电极表面的电场分布,试制了不同构型的绝缘子,开展了在标准雷电波脉冲条件下的沿面闪络研究。研究结果表明,优化后的绝缘子的最低和最高沿面闪络电压相比原始结构分别提升了约35.9%和37.2%。     

Dynamic polarizabilities of the clock states of Al+

The dynamic polarizabilities of ${\rm 3s}^2\,^1{\rm S}_0$ and ${\rm 3s}{\rm 3p}\,^3{\rm P}_0^{\rm o}$ states of Al$^+$ are calculated using the hybrid configuration interaction and many-body perturbation theory method, and multiconfiguration Dirac-Hartree-Fock method in this work. Five ultraviolet magic wavelengths for the Al$^+$ clock transition ${\rm 3s}^2\,^1{\rm S}_0$-${\rm 3s3p}\,^3{\rm P}_0^{\rm o}$ are predicted. Although the suitable lasers are not available presently, the potential precision measurement on these magic wavelengths for the Al$^+$ clock transition would be used to extract the ratios of several certain transition matrix elements with high accuracy, and then help to improve the precision and reliability of the estimate of the BBR shift of the Al$^+$ clock transition. The differential dynamic polarizabilities at certain wavelengths are evaluated, which are useful to assess the ac Stark shift of the Al$^+$ clock transition frequency and helpful in the clock experiments to suppress the ac Stark shift of the clock transition as possible as it can.     

Spontaneous emission from an atom in a photonic crystal with two coherent bands

The dynamic and the radiative properties of an excited three-level atom embedded in an anisotropic photonic crystal with two coherent bands are investigated.The relative position of the atom in a Wigner-Seitz cell is described with a position-dependent parameter θ(r0),which is used as the coherent parameter for the two bands.The result shows that the dynamic properties of the atomic system are not only determined by atomic transition frequencies,but also affected by the gap width and the coherence of the two bands.In addition,the spontaneous emission spectrum of the atomic transition in free space is discussed.The center and the intensity of the spectrum can be obviously manipulated via the coherent parameter.     

高效率GaN基高压LED芯片的制备及COB封装

为提升GaN基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度.当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优.当注入电流为20 mA时,正向电压为50.72 V,输出光功率为373.64 mW,电光转换效率为36.83％.采用镜面铝基板和陶瓷基板进行了4颗芯片串联形式的COB封装.镜面铝基板的热导率和反射率均高于陶瓷基板,可提升HV-LED器件在大注入电流和高温时的发光性能.当注入电流为20 mA且基板温度为20℃时,镜面铝基板封装的HV-LED器件的正向电压是198.9 V,发光效率达122.2 lm/W.     

LED的COB封装热仿真设计

通过对COB封装中常用的陶瓷基板和金属基板这两类不同的基板材料进行有限元热仿真模拟,获得各自芯片到基板的仿真热阻,再使用红外热成像仪得到两种基板各自的表面温度分布情况并计算出实际热阻。仿真热阻与实际热阻的一致性表明了所采用的仿真计算方法的可用性。利用有限元仿真对COB封装的热管理方案进行了优化分析。研究表明:相对于金属基板,陶瓷基板由于无绝缘层这一散热瓶颈,其芯片到基板的热阻值约为金属基板封装方案的1/2;而且陶瓷基板有着更大的热管理优化空间,能更好地满足大功率LED封装的散热需要。     

大口径衍射光栅10 ps激光损伤阈值测量（英）

在采用啁啾脉冲放大技术的高功率短脉冲激光装置中,终端衍射光栅的损伤阈值是限制装置输出能力的瓶颈之一。提出了测量大口径光栅损伤阈值的方法。该方法通过在线监测采集大口径光斑的同发近场光强分布情况和相应的光栅损伤图像,并经过一系列后期图像数据处理,建立起能量与损伤点的对应关系,经过一个测试光斑便可获得所有通量下的光栅损伤特性。该测量方法对光斑均匀性没有硬性要求,为损伤测量装置中难以解决的光斑均匀性问题提出了新的应对思路和方法。