血吸虫病化学治疗的研究Ⅷ 带有硷性侧链苯(月弟)酰氯的合成

对位上带有二甲氨甲基、二乙氨甲基及β-乙氨乙巯基的硝基苯用盐酸与锡或铁屑还原成相应苯胺(IIa,b,e)。后者与按照已知方法制备的对β-二乙氨乙基及β-二乙氨乙氧基苯胺(IIc,d)都在18%盐酸溶液中用亚硝酸重氮化,并与三氯化锑生成复盐,再脱氮分解成为苯酰氯(Ⅰ)。除β-二乙氨乙氧基化合物(Id)以外,其余的产率均尚称满意。将粗制苯(月弟)酰氯溶于热水中,加入浓盐酸使其重行析出,反复处理,便足纯化。     

三氟乙酸金属盐的快原子轰击质谱研究

本文报道了Ｍ（ＯＯＣＣＦ３）ｍ（Ｍ＝Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ）在三乙醇胺中的正负离子ＦＡＢ谱。谱的主要特征反映了该化合物在溶液中的离解行为，可作为这类盐质谱鉴定的依据。     

氯化稀土中放射性核素的鉴别和测定

独居石是稀土、钍和铀的共生矿物,含有钍系、铀镭系和锕铀系等三个放射系的几十种核素,其中寿命较长的放射性核素有:~(234)U、~(235)U,~(238)U、~(231)Pa、~(228)Th、~(?)Th、~(232)Th、~(227)Ac、~(226)Ra、~(228)Ra、~(210)Pb、~(21(?))Po等。从独居石中提取稀土元素,不可避免地夹带一些放射性元素。稀土产品中带有放射性杂质,使用时易引起环境污染,这是人们十分关心的问题。锕和稀土同是ⅢB族元素,化学性质相似,很难分离。因此,通常认为氯化稀土中放射性杂质是:~(22(?))Ac     

143,145Nd+ 4f45d6K\-9/2→(23229.991)o\-9/2跃迁超精细结构光谱

利用共线快离子束-激光光谱学方法测量了143,145Nd+ 6K\-9/2→(23229.991)o\-9/2跃迁的超精细结构光谱,得到了上、下能级的超精细相互作用常数.     

基于离子液体-石墨烯-二茂铁的高灵敏电化学免疫传感器检测CEA

研究了在PBS缓冲介质中,一种检测癌胚抗原的新型免标记免疫电化学传感器的制备,将石墨烯、二茂铁的高效催化及壳聚糖的优良生物相容性和成膜性、离子液体的导电性等优势充分结合构建了电化学免疫传感器。通过循环伏安法及交流阻抗对修饰的电极进行表征,在最优条件下,癌胚抗原的质量浓度在0.2～50.0 ng/mL的范围内与差分脉冲伏安法峰电流呈良好的线性关系,回归方程为Δi=0.38-1.31ρ,相关系数分别为0.9967,检测限为0.06 ng/mL,该传感器可用于人血清样品的测定。     

几种非环单萜衍生物的制备及表征

分别以香叶醇、橙花醇及芳樟醇为原料,经SeO2和t-BuOOH氧化、NaBH4还原得到8-羟基香叶醇、8-羟基橙花醇及8-羟基芳樟醇;利用乙酰化反应和苯甲酰化反应分别制备了这三个二醇化合物的乙酰化和苯甲酰化衍生物;并利用气相色谱-电子电离质谱仪(GC-EIMS)和液相色谱-电喷雾质谱仪(LC-ESIMS)分析了合成产物的光谱性质.结果显示,以GC-EIMS表征合成产物时,除苯甲酰化衍生物呈现较弱的分子离子峰外,其他几个产物均无分子离子峰信号.     

Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated. Based on the measured current-voltage and capacitance-voltage curves, the polarization sheet charge density and relative permittivity are analyzed and calculated by self-consistently solving Schrodinger＇s and Poisson＇s equations. It is found that the values of relative permittivity and polarization sheet charge density of AlN/GaN diode are both much smaller than the ones of AlGaN/GaN diode, and also much lower than the theoretical values. Moreover, by fitting the measured forward 1-V curves, the extracted dislocations existing in the barrier layer of the AlN/GaN diode are found to be much more than those of the AlGaN/GaN diode. As a result, the conclusion can be made that compared with AlGaN/GaN diode the Schottky metal has an enhanced influence on the strain of the extremely thinner AlN barrier layer, which is attributed to the more dislocations.     

同位素标记及未标记的1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸和2-甲基-D-赤藓糖醇-4-磷酸的合成方法

萜类化合物构成了最大的一个天然产物家族,结构复杂多变,且有许多重要的生理活性.2-甲基-D-赤藓糖醇4-磷酸(MEP)途径是近年来发现并建立的一条萜类化合物的生物合成途径,其中所涉及到的酶均可作为靶标来进行新抗菌素的筛选.综述了以化学合成及酶催化合成方法制备MEP途径中关键中间体1-脱氧-D-木酮糖5-磷酸和2-甲基-D-赤藓糖醇4-磷酸的进展,并着重介绍了同位素标记的这两个化合物的制备方法.     

基于混沌和随机共振的微弱信号检测

推导了分数阶线性振子系统响应的一阶稳态矩的频率不变性和相移特性, 并通过理论分析得出, 在随机共振机制下, 分数阶线性振子对系统响应一阶稳态矩的幅值具有放大作用. 构造Duffing混沌振子检测器, 利用混沌系统对参数摄动的敏感性以及对噪声的免疫能力实现弱信号检测. 数值模拟证实, 该方法可以有效地从噪声背景中将微弱正弦信号检测出来, 并且相对传统的混沌检测方法能显著降低信噪比检测门限.     

射频磁控溅射法生长MgxZn1-xO薄膜的结构和光学特性

用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x≤0.30)薄膜.x射线衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,没有形成任何显著的MgO分离相,MgxZn1-xO薄膜的择优取向平行于与衬底垂直的c轴;c轴晶格常数随着Mg含量的增加逐渐减小.在MgxZn1-xO薄膜的光透射谱中出现锐利的吸收边,由透射谱估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度由3.32eV(x=0)线性地增加到3.96eV(x=0.30).