Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.     

腔靶转换区辐射温度测量及定标关系

对近年来的激光腔靶实验的辐射温度作了综合分析和研究。对多种不同类型的柱型腔靶,在波长1.06μm的各种激光条件(不同的能量和脉宽)下,测量了腔靶转换区的辐射温度,并研究了辐射温度作为入腔激光能量、脉宽及腔靶转换区内表面积函数的定标关系。     

159TbII超精细结构光谱测量

利用具有光谱高分辨和选择性激发等特点的共线快离子束激光光谱学方法研究了^159TbⅡ亚稳态4f^95d^7H8^0和激发态4f^96p3/2(15/2,3/2)的超精细结构光谱，所有光谱线可以很好地分辨；并由实验测量得到的高分辨超精细结构光谱，给出了相应能级的超精细结构常数。     

键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。 关键词：     

黑洞靶内辐射场温度的时空分布实验研究

介绍了黑洞靶腔内辐射场时空分布。实验采用两束1.053 μm波长激光脉冲,对打圆柱型黑洞靶。三台亚千X射线能谱仪从不同方位通过激光入射口或诊断口观测腔内壁不同位置辐射状况。实验结果对注入激光能量归一,给出腔内辐射场时空分布。     

高重复频率激光在非掺杂氧化铋玻璃中诱导TiO2晶体析出

使用聚焦后的800nm,150 fs,250 kHz的高重复频率飞秒脉冲激光研究它在非掺杂氧化铋玻璃内部三维选择性的诱导析晶.通过拉曼光谱测定发现析出的晶体是TiO2且为金红石相.研究表明,经过250 kHz的飞秒激光辐照一段时间后,玻璃内部由于脉冲能量的连续累积会使得激光辐照区域出现热累积效应,达到玻璃的析晶温度后诱导晶体析出.通过连续移动激光束,可以实现连续刻写TiO2晶线,通过EDX测试显示聚焦区域出现了由于热累积效应而形成热驱动使得离子发生迁徙.实验结果表明这种方法适用于在透明介质材料中三维选择性刻写晶体以制备集成光学器件.     

Effect of high temperature band gap of GaN annealing on strain and nanoparticles

<正>Black-coloured GaN nanoparticles with an average grain size of 50 nm have been obtained by annealing GaN nanoparticles under flowing nitrogen at 1200℃for 30 min.XRD measurement result indicates an increase in the lattice parameter of the GaN nanoparticles annealed at 1200℃,and HRTEM image shows that the increase cannot be ascribed to other ions in the interstitial positions.If the as-synthesised GaN nanoparticles at 950℃are regarded as standard,the thermal expansion changes nonlinearly with temperature and is anisotropic;the expansion below 1000℃is smaller than that above 1000℃.This study provides an experimental demonstration for selecting the proper annealing temperature of GaN.In addition,a large blueshift in optical bandgap of the annealed GaN nanoparticles at 1200℃is observed,which can be ascribed to the dominant transitions from the C（Γ₇） with the peak energy at 3.532 eV.     

LaⅡ5d~(21)G_4→4f5d~1F_3超精细结构光谱测量

利用少有的共线快离子激光光谱学方法研究了LaⅡ的超精细结构 ,测量了 5d2 1G4 态→ 4f5d1F3 态的超精细结构光谱 ,分别得出了相应的磁偶极矩和电四极矩的超精细相互作用常数 .     

Characterization of ZnO:AI films deposited by r.f.magnetron-sputtering at low temperature

Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates.     

四-(二甲氨基苯基)卟啉及其金属配合物的合成及光谱性能研究

以丙酸、乙酸、硝基苯为溶剂一步法合成了四-(二甲氨基苯基)卟啉(T(DMAP)P),并采用氯仿-N,N二甲基甲酰胺为溶剂合成了其与Zn2+,Mn2+,Tb3+三种离子的配合物,考察了溶剂种类、温度、时间对反应的影响,探讨了卟啉与金属盐反应两者用量的最佳比例,在较温和条件下合成了卟啉金属配合物,避免了高温合成金属卟啉不稳定现象。利用元素分析,IR,UV-Vis等方法确定了目标化合物的组成和结构。考察了不同浓度及温度下卟啉配合物的电导率并计算了其摩尔电导率。实验结果发现,卟啉与铽离子配合物摩尔电导率远大于锌、锰配合物。实验研究了不同金属离子对反应的影响,重点考察了卟啉及其金属配合物的分子光谱性能的差异。与四苯基卟啉相比,T(DMAP)P及其金属配合物UV-Vis光谱均发生红移,探讨了该现象产生的原因。