钇钼钨硅杂多配合物的合成稀土多元渗及导电性

用降解法合成了未见报道的标题配合物.通过化学分析、ICP和TG曲线确定了其化学式为K10H3[Y(SiW9Mo2O39)2];利用IR、XRD、183W-NMR、循环伏安等手段对其结构进行了表征.结果表明,杂多阴离子为α-型Keggin结构.采用稀土多元渗的方法对配合物进行了气相热扩渗,ICP和XPS测试表明,微量的稀土元素La,Sm和Dy可以渗入到配合物的体相,并与组分元素发生键合作用;导电性的测试结果表明,室温扩渗后,试样的电导率提高了约104倍,有望成为具有实际应用的固体电解质.     

斜投影-子空间夹角算法快速分析农药中阿维菌素

采用斜投影-子空间夹角算法快速分析农药中阿维菌素的含量。用斜投影算法从阿维菌素对照品中提取阿维菌素B_(1a)纯光谱数据,用子空间夹角判据计算农药中阿维菌素的含量。阿维菌素的质量浓度在4~14μg/mL范围内与用斜投影法提取的阿维菌素B_(1a)纯光谱吸光度呈良好的线性关系,相关系数r=0.9994。斜投影-子空间夹角算法加标回收率在98.80%~101.67%之间,测定结果的相对标准偏差小于2%(n=6)。用该方法与高效液相色谱法对同一样品进行测定,两种方法测定结果相接近,相对误差小于2.20%。该方法满足快速检测农药中阿维菌素含量的分析要求。     

高灵敏度高选择性气敏材料--金属酞菁配合物

酞菁配合物是一类重要的光电功能材料.由于它的特殊结构使其成为高灵敏度高选择性气敏材料,具有极好的应用前景.本文在介绍酞菁配合物的结构特点、合成方法、气敏特性及其最新研究进展的基础上,讨论了酞菁配合物的气敏机理及膜结构、中心金属和取代基对气敏性的影响,并对酞菁配合物作为气敏材料的发展趋势进行了展望。     

双轴晶体光学参量放大的研究

介绍了新近提出的光学啁啾脉冲参量放大技术,并以高增益、宽谱带的双轴非线性晶体LBO为例,研究了抽运光和信号光的相位匹配的关系、增益、增益带宽、匹配角的选择,以及增益随晶体长度变化的趋势和双曲正割和高斯脉冲输入非线性晶体前后变化的情况。     

非均匀钹式换能器平面阵指向性特性研究

针对钹式基阵工作频率低、布阵紧凑导致阵元之间互干扰严重、指向性能退化的现象,本文在均匀平面基阵的基础上提出强度可调节的非均匀平面基阵,建立了基阵指向性能的数学模型,通过数值计算的方法分析阵元间距和中心阵元声强度变化对基阵指向性能的影响。研究给出了主瓣宽度、旁瓣个数、栅瓣个数随阵元间距的变化规律,总结了在各种工作频率下,基阵可用的最大阵元间距。研究结果表明:中心阵元强度增大时,基阵的总体指向性稍有降低。所以当通过调整阵元间距和强度来优化基阵指向性能时,应综合考虑它们对基阵其它性能的影响,以获得最佳的总体性能。     

SOI环形光波导谐振腔双层石墨烯调制器（英文）

在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制器,其集成了石墨烯的宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,通过理论计算,其3dB调制带宽可以达到100GHz。同时,基于微环谐振腔的石墨烯电光调制器结构可以方便的与光互联系统中的波分复用器相集成,从而提升片上光互联系统的集成度和降低技术复杂性。     

CFETR中性束注入系统概念设计

为了满足中国核聚变工程实验堆(CFETR)对等离子体加热和电流驱动的要求,从总体布局、束传输 系统、束源系统三方面进行了中性束注入系统的概念设计。利用参数计算的方法,根据聚变等离子体的要求明确 了中性束注入系统的性能指标和基本布局;利用束传输空间分布程序评估了束传输性能,确定了各功能部件的空 间布局结构;在此基础上,确定了束源系统的性能指标和引出系统布局方式,结合当前研发进展,明确了束源的 基本技术方案。由此完成了中性束注入系统参数指标、束传输关键尺寸、束源性能指标等设计要求,为后续工程 设计奠定了基础。     

嵌锁式CFRP方形蜂窝夹芯梁低速冲击响应及失效机理

采用嵌锁组装工艺制备了碳纤维/树脂基复合材料方形蜂窝夹芯梁,实验研究了低速冲击载荷下简支和固支夹芯梁的动态响应及失效机理,获得了不同冲击速度下夹芯梁的失效模式,分析了其损伤演化过程和失效机理,探讨了冲击速度、边界条件、面板质量分布以及槽口方向等因素对夹芯梁破坏模式及承载能力的影响。研究结果表明,芯材长肋板槽口方向对夹芯梁的失效模式有较大影响,槽口向上的芯材跨中部分产生了挤压变形,而槽口向下的芯材跨中部分槽口在拉伸作用下出现了沿槽口开裂失效,继而引起面板脱粘和肋板断裂;同等质量下,较厚的上面板设计可以提高夹芯梁的抗冲击能力,冲击速度越大,夹芯梁的峰值载荷和承载能力越高;固支边界使得夹芯梁的后失效行为呈现出明显的强化效应,在夹芯梁跨中部分发生初始失效后出现了后继的固支端芯材和面板断裂失效模式。     

High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfO_x inserting layer

The impacts of HfO_x inserting layer thickness on the electrical properties of the ZnO-based transparent resistance random access memory(TRRAM) device were investigated in this paper. The bipolar resistive switching behavior of a single ZnO film and bilayer HfO_x/ZnO films as active layers for TRRAM devices was demonstrated. It was revealed that the bilayer TRRAM device with a 10-nm HfO_x inserted layer had a more stable resistive switching behavior than other devices including the single layer device, as well as being forming free, and the transmittance was more than 80% in the visible region. For the HfO_x/ZnO devices, the current conduction behavior was dominated by the space-charge-limited current mechanism in the low resistive state(LRS) and Schottky emission in the high resistive state(HRS), while the mechanism for single layer devices was controlled by ohmic conduction in the LRS and Poole–Frenkel emission in the HRS.