振动噪声等高图的电驱动桥噪声预测及优化*

在项目开发前期通过优化电驱动桥扭矩特性的设计,可以规避噪声大问题。根据电驱动桥台架在对应扭矩下的振动噪声特性,提出了一套稳定高效的测试流程和分析方法。首先设计了一套完整的试验流程,制定了精准的数据分析方法。然后绘制出能够全面反映电驱动桥振动噪声特性的等高图。最后利用电驱动桥台架的振动噪声等高图,准确评估电驱动桥加速工况下振动噪声风险,为主机厂和电驱动桥零部件企业提供电驱动桥扭矩特性设计前期指导。利用该方法成功识别到某电驱动桥匀速及加速工况下电机及齿轮的啸叫问题。通过优化电驱动桥扭矩特性设计,电机48阶噪声峰值降低了8.5dB(A),确认该方法准确可靠,具备推广应用价值。     

对角线传递蕴含按序列对角线分布混沌

本文介绍了按序列对角线分布混沌的概念.运用Kuratowski-Mycielski定理,证明了对角线传递系统有稠密的Mycielski按序列对角线分布混沌集.     

过模慢波结构频率反射特性及谐振腔的影响

利用有限元方法求解:S-参数矩阵,研究了过模慢波结构对圆波导TM01,TM02模的反射特性,分析了在慢波结构末端加入谐振腔后,由于两端口的不对称性而造成的对反射特性影响。结果表明,在TM01的π模频率附近,慢波结构和谐振腔组成的系统对无谐振腔一侧端口入射TM01模的反射增大,而对有谐振腔一侧端口入射TM01模的反射减小。根据计算结果,解释了普通多波切伦柯夫振荡器所用慢波结构周期数较多的原因,说明了在多波切伦柯夫振荡器中引入谐振腔后,不但可以减少所用慢波结构周期数,而且有利于提高微波输出效率。     

PEO型精密超声声速仪

木文介绍用脉冲回波重合法精密测量超声声速的仪器.超声脉冲发射、接收、以及显示部分组装成整机,使操作方便,性能稳定可靠.主控信号使用特制的步进为0.1Hz、频率稳定度为10~(-9)/s的PZS-1型频率综合仪,更提高了测量精度.     

BOCHNER TECHNIQUE IN REAL FINSLER MANIFOLDS

Using non-linear connection of Finsler manifold M, the existence of local coordinates which is normalized at a point x is proved, and the Laplace operator A on 1-form of M is defined by non-linear connection and its curvature tensor. After proving the maximum principle theorem of Hopf-Bochner on M, the Bochner type vanishing theorem of Killing vectors and harmonic 1-form are obtained.     

余弦值竟大于1

立体几何课本尸.145第3题:如图,AB和平面a所成的角是0,,AC在平面a内,Ac和AB的射影AB‘成角02,设艺刀月‘一0,求证:eoso一eoso:=eoso. 根据上述结论.若设0~300,02~450,则,/” 了︸ 。eosoCOS口l一了-了万 COS口2了了一丁一护百丫万2>1D\e2这不是说余弦值大于1吗?本期“数学诡辩”揭底题设条件不对,e必须大于0,、久.(证略)余弦值竟大于1@林金钟$福建省永太一中~~     

电光全内反射调制

研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。     

群胚上的Dirac结构及泊松约化

本文详细讨论了李双代数胚中的Dirac结构、群胚上的Dirac结构。利用Dirac结构的特征对的概念,给出了作用不变Dirac结构,拉回Dirac结构等概念的新的刻画。最后利用Dirac结构的有关性质,讨论了泊松齐性空间和泊松群胚作用的约化。     

关于群胚作用和李双代数胚态射

在这篇文章中，我们讨论了李双代数胚之间的态射，得到了一些李双代数胚之间态射的性质．研究了泊松群胚在泊松流形上的泊松作用，以及这个泊松作用与被作用流形的切李双代数胚到作用泊松群胚的切李双代数胚之间的态射的关系，得到了一些有用的结论。     

Strongly Correlated Effect in TiS2

The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation （GGA） as well as the on-site Coulomb interaction correction （＋U）. The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.