微乳液法制备CaF2纳米颗粒

目前 ,通过微乳液合成方法已成功地制备出许多种类的化合物纳米微粒[1,2 ] .Bender等[3] 曾用微乳液法制备出掺杂钕的 Ba F2 纳米颗粒 ,并研究了其荧光特性 ,样品的最大发射波长为 1 0 52 nm,荧光寿命为 3 50～ 90 0 ns,在适当的钕掺杂浓度下 ,获得了较高的荧光强度 .Qiu等[4 ] 也于微乳液体系中制备出 Ce F3纳米颗粒 .纳米复合体系 (Mg2 Si O4 ∶Cr)可以用作光放大材料[5] ,其光学增益可以与路径长度相当的单晶体相比拟 .基于掺杂稀土离子的氟化物纳米复合体系存在着巨大的应用前景 ,本文用微乳液技术首次制备出 Ca F2 纳米微粒 ,为研…     

时滞差分系统基于两种测度的极端稳定性

首先引入了时滞差分系统基于两种测度的极端稳定性概念,然后建立了一些关于时滞差分系统（犺０,犺）极端稳定性（极端一致稳定性,极端渐近稳定性,极端一致渐近稳定性）的判定准则．在所得到的定理中,对Δ犞的限制较弱,特别地,Δ犞甚至可以恒为正,从而便于实际应用．     

声光滤光器性能指标的计算和讨论

以可调谐声光滤光器为元件所制造的光谱分析仪,利用声光谱光器的电调谐分光作用,辅以计算机控制,以完成信息的实时处理,其中声光滤光器性能指标的好坏将直接影响光谱分析仪的设计制造本文对用不同切向的氧化碲晶体所制成几种声光滤光器的几项性能指标进行计算的讨论,使在设计制造光谱分析仪时对声光谱光器的声光和电性能先有一个总体认识,以减少不必要的实验和摸索。     

贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究

采用阳极氧化-阴极电沉积两步法: 先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO₂薄膜, 接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt, Ir来制备Ti/TiO₂-Pt修饰电极和Ti/TiO₂-Ir修饰电极. 用XRD, SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化, 结果表明: Pt优先沉积在TiO₂多孔中; 与Pt不同, Ir没有表现出在TiO₂孔中优先沉积的现象, 出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO₂的平带电位不同. 使用SIMS分析了在Ti/TiO₂-(Pt/Ir)修饰电极中Ti, Pt, Ir的浓度分布, 大致算出TiO₂薄膜厚度为750 nm左右. 由极化曲线和阻抗谱结果得出: 掺杂Pt, Ir明显改善了Ti/TiO₂ 电极的电催化性能, 且随着Pt沉积时间的增长, 修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高.     

有限时滞差分方程的稳定性

在本文中,作者建立了一些定理可以确保系统：x(n 1)=f(n,xn）（1）为一致稳定、渐近稳定或一致渐近稳定。在所获得的定理中,不要求△V为常负,这里△V（n,xn)≡V(n 1,x(n 1)-V(n,x(n))=V(n 1,f(n,xn)))-V(n,x(n)),特别地,在定理1中,△V甚至可以恒为正,这大大地改进了已有结果并且更加便于应用。     

贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究

采用阳极氧化-阴极电沉积两步法: 先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO₂薄膜, 接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt, Ir来制备Ti/TiO₂-Pt修饰电极和Ti/TiO₂-Ir修饰电极. 用XRD, SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化, 结果表明: Pt优先沉积在TiO₂多孔中; 与Pt不同, Ir没有表现出在TiO₂孔中优先沉积的现象, 出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO₂的平带电位不同. 使用SIMS分析了在Ti/TiO₂-(Pt/Ir)修饰电极中Ti, Pt, Ir的浓度分布, 大致算出TiO₂薄膜厚度为750 nm左右. 由极化曲线和阻抗谱结果得出: 掺杂Pt, Ir明显改善了Ti/TiO₂ 电极的电催化性能, 且随着Pt沉积时间的增长, 修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高.     

Voltage-controllable magnetic skyrmion dynamics for spiking neuron device applications

Voltage-controlled magnetic skyrmions have attracted special attention because they satisfy the requirements for well-controlled high-efficiency and energy saving for future skyrmion-based neuron device applications.In this work,we propose a compact leaky-integrate-fire(LIF)spiking neuron device by using the voltage-driven skyrmion dynamics in a multiferroic nanodisk structure.The skyrmion dynamics is controlled by well tailoring voltage-induced piezostrains,where the skyrmion radius can be effectively modulated by applying the piezostrain pulses.Like the biological neuron,the proposed skyrmionic neuron will accumulate a membrane potential as skyrmion radius is varied by inputting the continuous piezostrain spikes,and the skyrmion radius will return to the initial state in the absence of piezostrain.Therefore,this skyrmion radius-based membrane potential will reach a definite threshold value by the strain stimuli and then reset by removing the stimuli.Such the LIF neuronal functionality and the behaviors of the proposed skyrmionic neuron device are elucidated through the micromagnetic simulation studies.Our results may benefit the utilization of skyrmionic neuron for constructing the future energy-efficient and voltage-tunable spiking neural networks.     

电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构调控

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了外电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构的调控,发现当层间距d=2.83 ?时异质结结构最稳定,且表现为Ⅱ型间接带隙半导体,其带隙为0.68 eV.通过施加垂直平面方向电场可有效调控PtO2/MoS2异质结电子结构,当外电场为-1V/?时,发生半导体-金属相变...