一种用于强激光系统的高比能脉冲电容器

 为了满足“神光-Ⅲ”原型装置能源系统的需要,桂林金属膜电容器厂研制成功一种高比能脉冲电容器,其尺寸为295 mm×138 mm×730(830) mm,额定电压25 kV,额定电容及偏差为55 μF,0~5 %,损耗角正切值(2.5 kV,50 Hz)小于 0.1%,比能达0.56 J/cm³ 。对该型电容器进行性能测试,所得电容偏差都在2%~5%范围,损失角正切值小于0.05%;极间耐压试验全部通过,极-地耐压试验全部通过。寿命试验中,放电电流5 kA,1×10⁴次充放电后,电容量下降1.8%。该型电容器目前已投入运行,工作情况良好。     

UPLC-QTOF-MS法研究甘油三酯作为水生环境中农药污染的潜在生物标志物

以鲫鱼为代表性研究对象,采用超高效液相色谱-四极杆飞行时间质谱(UPLC-QTOF-MS)技术,分别研究了3种农药(敌百虫、高效氯氰菊酯和吡虫啉)对其体内代谢的影响.通过Masslynx软件在MSE模式下采集数据,使用UNIFI软件进行自动检测和数据过滤,并将差异性物质与在线代谢组数据库进行比较,鉴定出甘油三酯类(TGs)物质具有明显差异.其中,吡虫啉对TGs代谢的影响最大,且肝脏的代谢差异比大脑更显著,低浓度的急性暴露诱导肝脏中的TGs积累,其含量与暴露浓度之间的关系符合Michaelis-Menten方程的增长趋势.结果表明,TGs可在短时间内(≤2 h)灵敏地反映农药吡虫啉的低浓度(≤20 ng/m L)暴露,可作为考察吡虫啉对水生生物毒性的潜在生物标记物,有助于建立一种快速、灵敏的预警方法.     

150 fs~10 ps脉宽下熔石英激光损伤的仿真与分析

基于约化电子数密度增长速率方程,建立了熔石英导带电子数密度随脉冲持续时间变化的模型。利用电子数临界密度这一概念,得到了150 fs~10 ps脉宽下,熔石英激光损伤阈值范围。分析表明,5~10 ps,雪崩电离仍然起主要作用,而光致电离提供的初始电子使雪崩电离不再依赖材料原有的初始电子;当脉宽减小到约为4 ps时,光致电离与雪崩电离作用相等;之后,光致电离起主要作用。通过仿真出的损伤阈值拟合,得到了该脉宽区间下新的脉宽定律：熔石英的损伤阈值正比于脉宽的0.38次方;考虑温度对熔石英损伤阈值的影响,熔石英的损伤阈值正比于脉宽的0.34次方。     

关于保险精算函数的几点讨论

对目前精算教材中的有关保险精算函数作了较为细致的分析和比较,较为深入地讨论了均衡净保费的责任准备金计算的未来法及过去法的联系.     

X荧光光谱法测定锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量

报道了一种准确度高、分析步骤简单的锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量的X射线荧光光谱方法（XRF）．设计制备了标准样品,研究了仪器测试条件下元素峰位的选择和背景扣除方法．结果表明：X荧光光谱法在不破坏样品的前提下完成对二氧化锡和铅含量的同时测定,重复实验10次,Pb实验相对标准偏差为0．37％;SnO2实验相对标准偏差0．61％。     

cBN晶体的Raman光谱测量

 用R1000激光共聚焦Raman光谱仪研究了高温高压合成棒中的立方氮化硼（cBN）晶体、原材料六方氮化硼（hBN）和催化剂。Raman光谱测量结果表明：伴随cBN晶体生长的散射峰,出现了两条全新的Raman散射峰（约1.088 cm^-1和约1.368 cm^-1）。该散射峰所对应的物质可能是在高温高压条件下hBN向cBN转变时生成的不完全产物——BN的一种新相。这一结果将有助于进一步讨论cBN的生长机理。     

元素的起源与0号元素

论述元素的起源是以中子为起点,中子是特殊的0号元素。以中子的衰变特点、核反应的特点、与质子类同的特点、与稀有气体元素类同的特点以及中子星的存在、四中子的发现等论据,提出应当把中子看作元素并纳入元素周期表中。建议给这个特殊的元素命名为"中"。     

Image charge effect on the light emission of rutile TiO_2(110) induced by a scanning tunneling microscope

The plasmon-enhanced light emission of rutile TiO_2(110) surface has been investigated by a low-temperature scanning tunneling microscope(STM). We found that the photon emission arises from the inelastic electron tunneling between the STM tip and the conduction band or defect states of TiO_2(110). In contrast to the Au(111) surface, the maximum photon energy as a function of the bias voltage clearly deviates from the linear scaling behavior, suggesting the non-negligible effect of the STM tip on the band structure of TiO_2. By performing differential conductance( dI/dV) measurements, it was revealed that such a deviation is not related to the tip-induced band bending, but is attributed to the image charge effect of the metal tip, which significantly shifts the band edges of the TiO_2(110) towards the Femi level(E_F) during the tunneling process. This work not only sheds new lights onto the understanding of plasmon-enhanced light emission of semiconductor surfaces, but also opens up a new avenue for engineering the plasmon-mediated interfacial charge transfer in molecular and semiconducting materials.