轴对称组合弹性体初应力分析(超元法)

一、形成超元刚度矩阵的递推公式 如图1(a)所示,将弹性体的所有节点分割成1,2,3三个区域。设1,2,3区节点的位移矢量依次为{U_1},{U_2}和{U_3},相应的载荷矢量为{P_2},{P_2}和{P_3},且{P_2}=0,则以1,3区节点为边界节点的超元刚度方程为     

关于一类凹极小问题的锥分解算法

本文讨论了线性约束下，变量分离的凹函数与线性函数之和的全局极小问题，针对Ｒ．Ｈｏｒｓｔ等人于１９９２年提出的锥分解算法，进行了改进，简化了一些算法步骤，改善了算法的收敛性质，我们证明了有限步终止于最优点的假敛结果，算法已制成软件，经实例计算证明了算法的构思。     

光学在建設中的应用

导言几世纪来好些科学家做了光的研究,近代苏联学者С.И.瓦维洛夫进一步研究了光的微观结构。根据这些研究,可以说:光是电磁波的一种。在电磁波的范围中,从长波到短波可以分为:无线电波,波长从几十千米到0.5毫米;红外线,波长从0.5毫米到750毫微米;可见光,波长从750毫微米到400毫微米;紫外线,波长从400毫微米到10毫微米;X-射     

Z箍缩Al等离子体X特征辐射谱线数值模拟及考虑叠加效应后的修正

采用基于细致能级的非局域热动平衡模型,对"强光一号"装置10174发次Z箍缩铝等离子体特征辐射谱进行细致的分析和计算,提取电子密度约为3.5×1021cm-3.数值计算结果显示,采用单一等离子体状态参数不能很好地描述等离子体辐射特征谱线.在进一步的分析计算中,本文初步考虑高温区域和低温区域等离子体特征辐射谱线的叠加效应,将等离子体划分为高温高密度和低温低密度两部分,分析了两部分等离子体辐射对总辐射谱的贡献,并给出了修正后的等离子体辐射谱线.考虑叠加效应后,Heα伴线显著增强,计算结果改善明显.     

CO2激光局域辐照对熔石英损伤特性的影响

研究了CO₂激光局域辐照对熔石英损伤特性的影响, 发现当辐照中心温度较低时(1139 K), 辐照对损伤阈值没有明显影响, 但辐照中心温度较高时(1638 K), 辐照对损伤阈值有明显的影响, 损伤阈值随距离辐照中心间距的增大而减小, 在残余应力产生光程差最大处附近, 损伤阈值降到最小, 随着与辐照中心间距的进一步增加, 损伤阈值略有上升. 对导致此现象的原因做了分析. 由于残余应力的存在, 在辐照中心发生再损伤产生的裂纹后, 裂纹先沿径向扩展, 在残余应力产生光程差最大处附近, 裂纹转而向切向扩展, 这可能与径向和环向张应力随半径的变化有关. 在采用热处理炉退火消除残余应力时, 必须注意元件的洁净处理, 否则退火会出现析晶现象, 对损伤阈值和透射率造成不良影响. 关键词： 2激光局域辐照')" href="#">CO₂激光局域辐照 熔石英 损伤特性     

光纤CAN网络节点数计算方法

为电动汽车通信网设计了一种中继型节点的光纤CAN(Fibre--CAN)环型总线网络．采用塑料光纤(POF)作为传输介质，用波长为660nm的红光光电收发器件实现光电转换．在对中继型节点的传输延迟进行详细的分析后，结合CAN协议定义的位周期，给出了基于传输延时的网络最大节点数的计算方法．并对该方法进行了实验验证，实验结果与理论计算具有良好的一致性，表明该方法的有效性．     

双谱线光强法测试单色器带宽

提出了用同一空心阴极灯发出的两根邻近的任意强度比的谱线测试原子吸收分光光度计的单色器的通带宽度的方法。     

乙酸乙烯酯活性的测定方法

在高分子物的聚合过程中,尽管在同一条件下进行聚合,但由于单体纯度不同,所获得的聚合体性能往往各不相同。确定单体的纯度是否符合使用的要求,最简便而可靠的方法是测定其活性。测定活性的方法繁多,但一般往往要求专门的特殊设备,或规定完全除去单体中的稳定剂,花费的时间较长。本文所介绍的方法较为简单,卽以测定单体聚合时显示出诱导期     

Preparation of p-type ZnO:(Al, N) by a combination of sol--gel and ion-implantation techniques

We report the preparation of p-type ZnO thin films on (0001) sapphire substrates by a combination of sol--gel and ion-implantation techniques. The results of the Hall-effect measurements carried out at room temperature indicate that the N-implanted ZnO:Al films annealed at 600\du\ have converted to p-type conduction with a hole concentration of $1.6\times10¹⁸cm^-3, a hole mobility of 3.67cm²/V.s and a minimum resistivity of 4.80cm.\Omega$. Ion-beam induced damage recovery has been investigated by x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL) and optical transmittance measurements. Results show that diffraction peaks and PL intensities are decreased by N ion implantation, but they nearly recover after annealing at 600\du. Our results demonstrate a promising approach to fabricate p-type ZnO at a low cost.     

高分子物玻璃化温度的测定——膨胀法

高分子物由高弹状态向玻璃状态转化时(或相反的转化时)所处的温度称力玻璃化温度Tc。在此温度,高分子物的许多性能,如膨胀系数、比热、导热系数、密度、折光率、硬度、介电常数、弹性模量等,均将发生突然的变化。高分子物在Tc以上才具有粘弹性能,Tc以下则失去弹性变为脆硬物质。在多数情况下,Tc代表材料的使用极限