正交各向异性板孔销接触问题的复变函数解法

本文提出一个计及轴销变形与接触区摩擦效应的弹性轴销模型,并采用弹性理论的复变函数解法,研究了正交各向异性无限大板的孔销接触问题.分析表明,板件的孔边应力分布与板件、轴销的材料性能密切相关,而且,摩擦系数的大小对应力分布也存在明显影响.     

关于变形体虚功原理的几个问题

在<关于虚功原理的讨论>中,曾涉及如下一些问题:如何将虚位移分解为刚性虚位移和变形虚位移;切割面内力在刚性虚位移上所作之总功W_(面刚),与该力在变形虚位移上所作之总功W_(面变)之间有何关系;如何理解变形体所接受的总虚变形功W_变,及其与内力总虚变形功W_内之间的关系;等等。下面以梁为例就上述问题发表一些粗浅看法。一、关于虚位移之分解为刚性虚位移和变形虚位移考虑图1(a)所示直梁,在横向分布载荷q与端面力Q_0、M_0、Q_1、M_l的作用下处于平衡状态。现在,使 ...     

含裂纹的圆柱体的弯曲

含裂纹的圆柱体弯曲的研究有十分重要的意义。文献[1]～[4]研究过含径向裂纹或裂纹系的情形,[5]研究过有同心圆弧裂纹的圆柱体的弯曲。本文继续[6]对内部出现在任意位置的直线裂纹的圆柱体在力与裂纹垂直时的弯曲问题,用弹性理论复变函数方法进行了讨论;得到了位移、应力和应力强度因子用级数表示的表达式;对Ah小的这种弯曲问题的应力强度因子给出了好的近似式,分析了它们随裂纹中心的变化规律。最后对裂纹的一个尖端在原点的径向裂纹圆柱体的扭转率和弯曲中心进行了计算,其结果与[1]几乎完全相同。     

Effects of high-dose Ge ion implantation and post-implantation annealing on ZnO thin films

This paper reports that ion implantation to a dose of 1×10¹⁷ ions/cm² was performed on c-axis-orientated ZnO thin films deposited on (0001) sapphire substrates by the sol-gel technique. After ion implantation, the as-implanted ZnO films were annealed in argon ambient at different temperatures from 600-900℃. The effects of ion implantation and post-implantation annealing on the structural and optical properties of the ZnO films were investigated by x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL). It was found that the intensities of (002) peak and near band edge (NBE) exitonic ultraviolet emission increased with increasing annealing temperature from 600-900℃. The defect related deep level emission (DLE) firstly increased with increasing annealing temperature from 600- 750℃, and then decreased quickly with increasing annealing temperature. The recovery of the intensities of NBE and DLE occurs at \sim 850℃ and \sim 750℃ respectively. The relative PL intensity ratio of NBE to DLE showed that the quality of ZnO films increased continuously with increasing annealing temperature from 600 - 900℃.     

高效排阻色谱中蛋白质的保留行为

生物工程和生物医学的发展,蛋白质的分离纯化一直是一个十分活跃的研究领域。高效液相排阻色谱,对于确定蛋白质和多肽的分子量的分布,以及分离纯化蛋白质始终是一个较为理想的方法。当然,研     

云南祖母绿中包裹体的拉曼测量

拉曼光谱是迅速发展起来的物理谱学分析技术,它是对物质结构的分子特征的测量,不同物种由于分子基团不同,结构不同,其拉曼谱特征不同。据此可以获取有用信息,达到测量、鉴定的目的。拉曼光谱仪的应用特点是适用于任意形状的样品：无损、快速、准确;用共焦显微拉曼不仅可以进行微区原位分析,还可以对样品表面下的微小包体测量。本文报道了对云南祖母绿中包体的测量,结果表明包裹体是锐钛矿型的ＴｉＯ２,而不是以往通过化学成份、晶体形态分析所认为的金红石。     

总氮测定过程中空白吸光值偏高的原因分析

使用HJ 636-2012测定水质总氮时,空白吸光值往往偏高。为了寻找最佳的实验条件,使用多元线性回归模型定性评价过硫酸钾和氢氧化钠的纯度、实验用水、碱性过硫酸钾溶液的存放时间、消解条件、冷却时间、消解器皿等因素对空白吸光值的重要性。结果表明:过硫酸钾纯度对空白吸光值影响最显著。为了保证总氮空白吸光值小于0.030,测定总氮时应优先使用经过2~3次重结晶的过硫酸钾以及优级纯的氢氧化钠,碱性过硫酸钾溶液应现配现用;建议消解时间30 min,消解温度123℃,自然冷却时间1.5 h;实验应优先使用超纯水或无氨水;使用哈希消解管代替25 mL比色管。     

GeCl分子激发态的势能曲线和辐射寿命的理论研究

采用考虑Davidson校正、标量相对论效应、芯-价电子关联和自旋-轨道耦合效应高精度的多参考组态相互作用方法计算了GeCl分子的最低解离极限Ge(3Pg)+Cl(2Pu)对应的12个Λ-S电子态的势能曲线. 基于计算得到的势能曲线, 求解一维核运动的Sch?rdinger方程得出束缚态的光谱常数, 这些光谱常数与实验值符合较好. 本文计算了12个Λ-S态的电偶极矩随核间距的变化, 分析了电子态组态成分的变化对电偶极矩的影响. 本文还研究了GeCl分子的辐射跃迁性质, 给出了激发态到基态之间和低激发态之间的跃迁偶极矩和电子态之间的Franck-Condon因子, 并根据计算得到的跃迁偶极矩和Franck-Condon因子计算出了束缚激发态低振动能级的辐射寿命.     

低共熔溶剂在高分子合成中的应用

低共熔溶剂(DES)是由两种或多种物质按一定比例混合而成的低熔点混合溶剂,其熔点显著低于每一个单纯组分的熔点,可被视为一种新的离子液体。与传统有机溶剂相比,DES具有来源广泛、成本低廉、易于制备、毒性低、生物可降解等优点,并已作为一种新型的绿色反应介质被广泛用于萃取分离、无机合成、有机合成和离子凝胶等领域。近年来,DES在高分子合成中的应用也吸引了广泛的研究兴趣。本综述从简述DES及其在有机合成中的应用出发,重点介绍它们用于缩合聚合、自由基聚合、阴离子聚合、电化学聚合、开环聚合和氧化聚合等高分子合成领域的研究进展,并对其发展趋势进行展望。