过渡金属氧化物掺杂对铜锰氧化物催化CO氧化性能的影响

以乙酸铜和乙酸锰为铜锰前驱体,以NH4HCO3为沉淀剂,相应金属硝酸盐为掺杂剂,采用共沉淀法制备了不同过渡金属氧化物掺杂的铜锰氧化物催化剂.采用N2物理吸附、X射线衍射,氢气-程序升温还原和原位红外漫反射光谱等方法对催化剂进行了表征,考察了系列催化剂上CO反应性能.结果表明,掺杂过渡金属氧化物可以调变催化剂对CO的吸附能力,进而影响催化剂性能.     

三维荧光法测定水中的4-氯苯酚

对三维荧光法测定水中的4-氯苯酚进行了研究,并与传统的比色法进行了比较。4-氯苯酚的三维荧光光谱图中荧光特征峰位于λex/λem=280 nm/310 nm处,在pH 1~8时,荧光较强且稳定。4-氯苯酚质量浓度为0.01~2.0 mg/L时,荧光强度与浓度的线性相关系数R2为0.9997,检出限为0.0096 mg/L。方法可用于自来水及地表水中的4-氯苯酚的测定,回收率在94.3%~106.0%。     

虾仁中氯霉素残留量的气相色谱测定

建立了用配有电子俘获检测器(ECD)的气相色谱仪来测定虾仁中的氯霉素含量的方法.试样用乙酸乙酯提取,正己烷去杂,硅胶柱纯化,BSTFA+TMCS(99:1)试剂硅烷化.以GC ECD方式测定,外标法定量.当添加水平为0.2×10-9～1.0×10-9μg/kg时,回收率为70%～110%;相对标准偏差为1.0%～5.0%;线性相关系数r大于0.998.     

纳米Pd/ZSM-5的原位法制备及催化肉桂醛加氢

采用共沸精镏辅助的原位法成功合成了高度分散的Pd纳米颗粒负载在ZSM-5中(Pd/ZSM-5-IS)分子筛催化剂。通过XRD、TEM、XPS等手段对Pd/ZSM-5-IS的样品进行了表征,并考察反应压力、反应温度、反应时间对肉桂醛加氢催化性能的影响。结果表明:原位法制备的Pd/ZSM-5-IS催化剂比浸渍法制备的Pd/ZSM-5-IM催化剂具有更高的催化稳定性,其主要归因于Pd纳米颗粒进入ZSM-5的晶内介孔有效防止活性位点的损失和聚集。当反应温度为80℃,反应压力为1 MPa,反应时间为3 h时为最佳反应条件,肉桂醛的转化率为87.23%,苯丙醛的选择性为76.68%。     

聚甲基丙烯酸甲酯掺杂Ce3+的飞秒激光三维信息存储

用飞秒激光(200 fs,1 kHz,800 nm)脉冲在掺杂稀土离子Ce3 的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜中进行了光存储实验研究,包括对样品的吸收光谱、激光照射前后的电子旋转共振(Electron spin resonance,ESR)光谱的测量和讨论。结果表明掺杂稀土离子Ce3 的聚甲基丙烯酸甲酯膜具有较低的写入阈值,有利于高速、并行的三维光存储。实验结果采用传统光学显微镜并行读出。给出了四层存储结果(点间距和层间距分别是4μm和16μm),并讨论了脉冲能量的大小对空腔尺寸的影响,进行高密度存储时,在保证读出信号灰度值足够大的情况下,应选择尽量小的激光脉冲写入能量。实验结果表明这种材料可以应用于三维光信息存储。     

双荧光层靶Kα线强度比诊断靶内超热电子温度

 利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比诊断了靶内超热电子的温度,即通过实验测量复合靶中两种不同材料荧光层辐射出的Kα特征线强度比,结合ITS3.0程序模拟结果,对超热电子温度进行诊断。将诊断结果与实验中利用电子磁谱仪测量的超热电子温度进行了比较,二者基本一致。结果表明,选取适当的荧光层靶厚,可以利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比对靶内的超热电子温度进行诊断。     

光学仿真设计实践能力培养训练的思考与探索

教学团队本着"重理论建模、强仿真设计、突创新实践、促科学探索"的教育理念,依托"数学物理方法与仿真"和"空间光通信创新实验"两门课程,重点开展了小班教学大学生光学仿真设计实践能力培养训练的思考与探索,通过近几年的教学研究与实践,其构建的光学仿真设计"阶梯次"能力训练教学实践培养模式,对培养大学生具有"宽泛的专业知识、科学的探索能力、仿真设计能力强和综合素质能力高"的创新型设计人才具有突出教学效果.     

The effect of electronic orbital interactions on p-type doping tendency in ZnO series： First-principles calculations

The electronic structures and optical properties of B3 ZnO series of Znelectronic structures, optical properties, pseudopotential plane-wave method, \\ \hspace*{1.9cm} p-type doping tendency,electronic structures, optical properties, pseudopotential plane-wave method, \\ \hspace*{1.9cm} p-type doping tendencyProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No~10625416).2007-04-252007-06-18The electronic structures and optical properties of B3 ZnO series of Zn4X4-yMy（X ：O, S, Se or Te; M = N, Sb, C1 or I; y = 0 or 1） are studied by first-principles calculations using a pseudopotential plane-wave method. The results show that Zn d-X p orbital interactions play an important role in the p-type doping tendency in zinc-based Ⅱ-Ⅵ semiconductors. In ZnX, with increasing atomic number of X, Zn d-X p orbital interactions decrease and Zn s-X p orbital interactions increase. Additionally, substituting group-V elements for X will reduce the Zn d-X p orbital interactions while substituting group-VII elements for X will increase the Zn d-X p orbital interactions. The results also show that group-V-doped ZnX and group-Ⅷ-doped ZnX exhibit different optical behaviours due to their different orbital interaction effects.     

Strongly Correlated Effect in TiS2

The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation （GGA） as well as the on-site Coulomb interaction correction （＋U）. The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.