在空心聚苯乙烯微球表面电沉积Au-Cu双壳层

PS/Au/Cu双壳层核壳复合微球是在自制的电沉积装置中首先在空心聚苯乙烯微球模板上电沉积金形成PS/Au微球,然后再电沉积Cu。首先,PS/Au微球保持了较好的球形度,其中沉积层Au粗糙度低,且厚度达到5.6 μm。由于Au和铜有相同的面心立方晶体结构,所以Cu沿着Au的晶体结构在PS/Au表面沉积。微球断面Au-Cu结合非常紧致,Cu的厚度为8.62 μm,Au的厚度为4.04 μm。PS/Au/Cu微球和Au-Cu双壳层的形貌、厚度,成分和粗糙度是通过3D体式显微镜,SEM、EDS和XRD表征,其结果显示PS/Au/Cu微球及双壳层Au-Cu均匀细致,粗糙度低。     

ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形

采用常压MOCVD方法在Al2O3(00．1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00．2)面和Al2O3(00．6)面及ZnO(10．2)面和Al2O3(11．6)面X射线双晶(w／2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。     

常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

以去离子水（H2O）和二乙基锌（DEZn）为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN／Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（DCXRD）、光致发光谱（PL）对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究。双晶衍射表明,ZnO非对称（1012）面ω扫描的半峰全宽（FWHM）仅为420arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为10^3／cm^2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当。在ZnO薄膜的低温15K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线。     

近紫外LED用黄色荧光粉Sr3SiO5：Ce3+, Li+的发光特性

采用高温固相法快速降温合成Sr_3-2xSiO₅：xCe³⁺,xLi⁺荧光粉。用X射线衍射仪和荧光分光光度计测试荧光粉的样品结构和发光性能。在1 420 ℃下煅烧得到四方相结构的Sr₃SiO₅：Ce³⁺,Li⁺。样品的激发光谱分布于270~500 nm的波长范围,有两个激发带,峰位分别位于328 nm和410 nm,表明样品可以被近紫外光有效激发。样品的发射光谱分布于420~650 nm,发射峰位于528 nm处。在410 nm左右的近紫外光激发下,宽带发射的峰位于528 nm。Ce³⁺的最佳掺杂量x（Ce³⁺）为0.8%,并且发光强度随掺杂浓度的增加先升高后降低,出现浓度猝灭。根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭的原因是Ce³⁺的电偶极-电偶极相互作用。     

在空心聚苯乙烯微球表面电沉积Au-Cu双壳层

PS/Au/Cu双壳层核壳复合微球是在自制的电沉积装置中首先在空心聚苯乙烯微球模板上电沉积金形成PS/Au微球,然后再电沉积Cu。首先,PS/Au微球保持了较好的球形度,其中沉积层Au粗糙度低,且厚度达到5.6 μm。由于Au和铜有相同的面心立方晶体结构,所以Cu沿着Au的晶体结构在PS/Au表面沉积。微球断面Au-Cu结合非常紧致,Cu的厚度为8.62 μm,Au的厚度为4.04 μm。PS/Au/Cu微球和Au-Cu双壳层的形貌、厚度,成分和粗糙度是通过3D体式显微镜,SEM、EDS和XRD表征,其结果显示PS/Au/Cu微球及双壳层Au-Cu均匀细致,粗糙度低。