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551.
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的“Green/yellow gap”和“Efficiency droop”等方面受到严重限制,极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管,其输出波长位于580 nm附近,半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加,光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化,也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是,器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱,以及n-ZnO∶Ga/p-InGaN异质结能带结构理论,可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合,器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明,n-ZnO∶Ga微米线/p-InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。 相似文献
552.
将壳聚糖在甲磺酸中充分溶胀后,与3,4,5-三甲氧基苯甲酰氯反应,得到壳聚糖改性高分子紫外 线吸收剂。FTIR的表征表明:与壳聚糖相比,改性产物的红外谱图中1 720 cm-1处归属于C=O伸缩振动和 1 160 cm-1处归属于C-O-C对称伸缩振动的吸收峰显著增强,表明了酯化反应的发生。紫外光谱表明:产 物在220nm和274nm处具有较强的吸收峰。通过元素分析计算出不同投料比下所得改性产物的取代度,并 结合紫外光谱测试所得的数据,计算出了改性产物在273 nm处的摩尔消光系数e为8 205.9 L/(mol·cm)。 相似文献
553.
Analysis and Determination of Refractive Index Profiles of O^2+ Ion-Implanted LiNbO3 Planar Waveguide Using Etching and Ellipsometry Techniques 下载免费PDF全文
The refractive index profiles of 3 MeV O^2+ ion-implanted planar waveguides in lithium niobate are reconstructed based on etching and ellipsometry techniques. SRIM2003 code is used to simulate the damage distribution in waveguide. It is demonstrated that the index profile of this kind of waveguide, extending to several micrometres in depth, can be determined by etching in combination with following ellipsometric measurements. A good agreement is found between the simulated damage distributions in waveguide and the index profiles based on experimental data, and the width of refractive index barrier is wider than the result of SRIM2003. 相似文献
554.
555.
利用具有多自旋态的Co离子进行Mn位替代.制备了La2/3Ca1/3Mn1-xCoxO31(0≤x≤0.15)系列样品并研究了体系的结构和输运特性.结果表明,在替代范围内,样品呈现很好的单相结构,各晶格参数随替代量的增大而减小;Co替代导致体系出现电输运反常,具体表现为在居里温度Tc以下电阻-温度曲线的二次金属-绝缘转变(M-I)行为(双峰效应),且随Co替代量的增大,无论是高温峰还是低温峰,其峰值温度均向低温区移动;所不同的是,对Co替代样品而言,随外加磁场增加,高温峰值温度TPH向高温区移动,而低温峰值温度TPL.则保持不变,表现出磁场无关的特征;相应的峰值电阻率对Co替代和外加磁场表现出很强的依赖关系,随Co替代含量的增加,各峰值电阻率增加.而低温峰值电阻对Co替代更为敏感;对照样品磁特性测量结果,证明高温峰对应于未替代体系的M-I转变,低温峰对应的反常变化则与Co3 离子替代Mn4 后在体系中引入氧缺位和高的自旋态相关联. 相似文献
556.
The shower shape of n, n^-, p, p^-, K^+, π^+ and photons, generated by JPCIAE code for 5.5 TeV/A ^208pb+^208pb collisions, incident on the ALICE photon spectrometer (PHOS), is analyzed with the principal component analysis (PCA) method. The efficiency dependence of purity for the photon discrimination is simulated for the deposited energy ranges 0.5-2 GeV, 2-10 GeV, 10-50 GeV and 50-100 GeV. The result shows that in the energy range of 0.5 to 100 GeV, the efficiency of the photon identification can reach 90% with purity of 90%. 相似文献
557.
该文概述了近10年来有关药物中基因毒性杂质监管指南的完善历程与相关检测方法的研究进展。介绍了基因毒性杂质从早期的完全避免到目前的阶段化毒理学关注阈值(TTC)的风险控制理念以及各主流监管机构的具体要求。作为一类重要的基因毒性杂质,磺酸酯主要来源于磺酸及衍生物与低级醇(如甲醇、乙醇、异丙醇等)之间发生的副反应,具有化学结构类型多样化的特点。该文较为详尽地介绍了磺酸酯的形成机理和文献所采用的液相色谱法和气相色谱法,并对色谱方法的选择、预处理方式、衍生化方法及相应痕量水平的灵敏度和回收率等进行了评述。由此期望为合理控制药物中磺酸酯类基因毒性杂质,为保证药物的质量安全性提供有益的指导意见。 相似文献
558.
采用微波合成法制备了多壁碳纳米管负载钴卟啉(CoTMPP/MWNT)电催化剂,利用透射电子显微镜对催化剂微观结构进行了表征,并通过旋转圆盘和旋转环盘技术对电催化剂的氧还原活性进行了评价.结果表明,与有机回流合成法制备的催化剂相比,微波法合成的CoTMPP/MWNT催化剂具有更好的氧还原性能,半波电位正向移动110mV;与多孔碳为载体的CoTMPP/BP2000催化剂相比,多壁碳纳米管为载体的CoTMPP/MWNT电催化剂的起始电位高10mV,还原电流损失低21%,表现出更好的氧还原活性和稳定性.在CoTMPP/MWNT电催化剂表面进行的氧还原过程中电子转移数为3·6,H2O2生成量为18%.MWNT独特的电子特性、强抗腐蚀能力及其与活性钴离子之间的相互作用有助于改善催化剂的氧化还原性能. 相似文献
559.
有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池在制备及使用过程中,甲氨铅碘层中的甲基铵离子易分解为甲基离子/基团和氨离子/基团,其中氨离子/基团可以扩散进入铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)透明电极层,并影响ITO的电学性质.本文通过低能氨离子束与ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程,及其对ITO薄膜电学性质的影响规律.研究结果表明,低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程中,主要与ITO晶格中的O元素结合形成In/Sn—O—N键. ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨离子/基团能够在无择优ITO薄膜表面的各个晶面进行扩散,因此将严重影响其电学性质,导致无择优ITO薄膜电阻率增加约6个数量级.但(100)择优取向ITO薄膜的主晶面为(100)晶面,最外层由In/Sn元素构成,不含O元素.因此(100)择优取向ITO薄膜能够有效地抑制低能氨离子/基团扩散,并保持原始电学性质.最终,(100)择优取向ITO薄膜有望成为理想的有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池用透明电极层材料. 相似文献
560.