用三源热共蒸法制备的二十厘米长涂层导体及其显微结构

用真空三源热共蒸发法制备了二十厘米长的涂层导体,其宽度为1厘米, 超导层宽度为0.9 厘米,厚度为600纳米.使用直流四引线法测试,导体在77K时的临界电流大于120安培,相应的临界电流密度大于每平方厘米220万安培.表征电流-电压曲线超导转变陡峭度的n值为35.显微结构观察表明其膜层显微形貌与单晶衬底上的薄膜极其相似.X射线衍射研究表明超导薄膜的相成分纯,面内FWHM为Δφ=6.23°,面外FWHM为Δω=3.84°,表明涂层的优良织构.在此文章将详细报告导体的制备和显微结构及物理测试结果.     

便携式近红外漫反射中药质量监控仪的研制

介绍了便携式近红外漫反射中药质量监控仪的设计思想、基本结构、测试条件和使用方法。该光谱仪具有体积小、重量轻、成本低等特点,现场监控中药质量是非常便利的。     

First-Principles Study of Structural and Electronic Properties of Layered B2CN Crystals

Based on the hexagonal BN structure, six possible layered B~ CN structures are constructed. Their total energies, lattice constants as well as electronic properties are calculated using the ab initio pseudopotential density functional method within the local density approximation. The calculated results show that the B2 CN-V configuration with AA stacking sequence is the most stable among the six B2CN layered structures. The characteristics of electronic structures indicate that the B2 CN-V shows metallicity, which mainly comes from -B1-C-B1-C- chains.     

利用宇宙线对BESⅢ量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的测量

利用宇宙射线进行探测器模型的性能测试是高能物理普遍采用的方法，其中最重要的步骤之一就是确定宇宙线入射的准确位置和径迹．多数采用丝室探测器来进行宇宙线的精确定位，需要很高的造价和复杂的电子学系统．本文介绍一种简单的定位方法，采用塑料闪烁体条加波移剂光纤编码读出的方式，可以实现精度为1cm的定位．据此建立了一套实验装置，对BESⅢ电磁量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的光输出强度和不均匀性进行了测量．     

不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质

利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时。宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布^[1]。     

Numerical Simulation of Shear-Horizontal-Wave-Induced Electromagnetic Field in Borehole Surrounded by Porous Formation

Seismoelectric fieM excited by purely torsional loading applied directly to the borehole wall is considered. A brief formulation and some computed waveforms show the advantage of using shear-horizontal （SH） transverseelectric （TE） seismoelectric waves logging to measure shear velocity in a fluid-saturated porous formation. By assuming that the acoustic field is not influenced by its induced electromagnetic field due to seismoeleetric effect, the coupling governing equations for electromagnetic field are reduced to Maxwell equations with a propagation current source. It is shown that this simplification is valid and the borehole seismoelectric conversion efficient is mainly dependent on the electrokinetic coupling coefficient. The receivers to detect the conversion electromagnetic field and to obtain shear velocity can be set in the borehole fluid in the SH-TE seismoelectric wave log.     

平面反射镜表面散射光干涉

激光束照射到表面被粘污的反射镜上会产生干涉环,入射光束和反射光束在被粘污表面产生散射光干涉.随着入射角的变化,光束在反射镜玻璃片内光程改变,引起干涉环从中心冒出或缩进,干涉环级数的变化与入射角的平方成正比.     

部分相干光被环形透镜聚焦而产生的焦移

 从理论上研究部分相干光被一环形透镜聚焦,在焦点附近的轴上点的光强分布。研究结果表明,当部分相干光被一环形透镜聚焦时,最大聚焦光强不在几何焦点,而是位于透镜与几何焦点之间,出现焦移现象。并且,焦移量不仅依赖于透镜外半径的菲涅耳数,还依赖于部分相干光的空间相干度和中心拦截比。透镜的菲涅耳数越小,焦移越大;部分相干光的空间相干度越低,焦移越大。当菲涅耳数一定时,环形透镜的中心拦截比越大,焦移越大;当空间相干度很小时,情况就变得比较复杂。     

光电子技术在205所40年的发展

扼要介绍205所自1962年以来在各个发展阶段的主要技术定向及科研任务。着重论述光电子系统总体技术、微光夜视技术、光纤技术及光电计量测试技术的发展状况、研究成果及应用前景．阐述205所在我国光学领域各个主要方面所处的领先地位及科研能力，分析、论证光电子技术在现代兵器中的重要作用及205所在新形势下的努力方向和发展前景。     

直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。