半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器新进展

本文作者曾于1991年4月采用国产元器件建立了国内第一台半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器,当时增益为5.6dB.经过进一步的技术改进措施,依然是采用全部国产元器件,其增益已高达17.4dB.于1992年10月30日在上海市科委主持下,通过了以学部委员张煦教授为主任的鉴定委员会鉴定,得到好评     

关于Fuzzy聚类分析及其在脊髓灰质炎中的应用

本文用Fuzzy数学的观点探讨了Fuzzy聚类分析，并通过对脊髓灰质炎病毒抗体水平的Fuzzy聚类分析，获得了良好的聚类效果，为该项问题的研究提供了科学依据。     

关于纽曼投影式含义的考证

在构象异构的教学活动中我们发现,教师对纽曼(Melvin S.Newman)投影式含义的理解存在歧异,于是我们带着这个问题做了一点考证。大凡基础的有机化学教科书,在介绍构象概念之后,一般均介绍了构象式的画法。构象的书面表示法,概括起来有三种:一是球棍式,二是萨哈斯(Sawhorse)投影     

天津市分析测试协会召开第一届学术年会

天津市分析测试协会第一届学术年会于89年12月15日至16日在市科学会堂举行。市科委副主任梁肃同志、市科协学会部部长李青同志出席了开幕式。参加学术年会的有60个单位     

邻苯二酚紫-溴化十六烷基吡啶分光光度法测定钢中钼

常用的硫氰酸盐光度法测定钢中钼灵敏度较低。对微量钼且须富集或萃取。近年来,对阳离子表面活性剂存在下,邻苯二酚紫光度法测定钼已有报导。本文采用在溴化十六烷基吡啶(CPB)存在下,邻苯二酚紫(PV)分光光度法直接在水溶液中测定钼。并用抗坏血酸(AK)、KF-EDTA掩蔽共存元素的干扰。对六种含钼量为0.005-0.56％的普碳钢及低合金钢标样测定均获得满意结果。本方法钼浓度在25—150微克/50毫升范围内符合比尔定律,比现行的硫氰酸盐光度法更为快速、灵敏、简便,适于测定普碳钢及低合金钢中钼的含量。 1.主要试剂:(1)10％AK(现用现配);     

谈高三总复习课

我想就高三化学总复习课谈几个具体问题:(一)复习内容由于总复习时间短,按教学大纲规定只有十六课时,复习范围却包括全部高中教材,这些教材又是学生已学过的,这就给总复习课带来两个困难:(1)复习内容和时间有矛盾;(2)学生上复习课的积极性有问题。这些都要求教师慎重地考虑选择复习课的内容。教学大纲对总复习的要求是:按照元素周期表的分类来复习元素和它们的重要化合物。我认为这并不是说要在课堂上把各类元素又按教科书一样重述一遍,这样做时间上既不允许,学生也得不到多大好处。体会教学大纲的精神,我认为复习的重点应当是如何把全部高中教材用周期表、原子结构等理论知识来系统化,在理论知识的基础上加深认识,从而获得巩固的知识。     

含鎢礦石中錫的極譜法測定

本文述說在5±0.5N之鹽酸底液中錫有穩定正常的還原波,而鎢酸在此酸度絕大部分形成沉澱。在溶液中未完全沉澱之痕量鎢所產生的還原波在錫波後0.17伏恃處,僅使錫波波尾微陡斜,而不影響錫之波高测量。並且此陡形可因延長沉澱放置時間而消除。因此可不用事先分離鎢而直接测定合鎢礦石中錫之含量。     

蓄热式热氧化炉固态二次污染物成分分析及形成机理初探

以制药工业企业三床式蓄热式热氧化炉（Regenerative Thermal Oxidizer, RTO）处理VOCs废气工程实例为研究对象,对RTO底部固态二次污染物的主要成分进行了分析,推断了固态二次污染物可能的形成机理,提出了预防性措施。结果表明：该固态二次污染物主要成分为含水率2.87%、三乙胺盐酸盐含量93.37%,邻苯二甲酸含量2.35%,其他1.41%;基于成分分析,推断固态二次污染物（三乙胺盐酸盐）的形成机理可能是由于未参与燃烧反应的三乙胺与含氯有机物经过高温焚烧产生的HCl在进出气室内相遇混合而成;基于固态二次污染物形成机理,提出了对含氯有机物单独收集处理或者采用四床式RTO等预防性措施。     

金华火腿微生物研究 Ⅰ火腿微生物的人工接种及缩短生产周期的初步试验

为探索火腿微生物的活动与火腿质量的关系,以及如何缩短生产周期,我们进行了如下工作:火腿微生物的分离及人工接种;模拟缩短生产周期;通过火腿游离氨基酸测定以评定质量.初步试验结果表明:以分离而得的青霉4号菌株接种和以1%苯甲酸钠抑菌的两组质量较好;缩短火腿生产周期的模拟试验有一定成效,由原来的8—10个月缩短到4个月;经火腿的游离氨基酸分析表明,质量与常规生产的相比较无显著差异.     

Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application

After compositing with SiO_2 layers, it is shown that superlattice-like Sb/SiO_2 thin films have higher crystallization temperature(~240°C), larger crystallization activation energy(6.22 e V), and better data retention ability(189°C for 10 y). The crystallization of Sb in superlattice-like Sb/SiO_2 thin films is restrained by the multilayer interfaces. The reversible resistance transition can be achieved by an electric pulse as short as 8 ns for the Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm)-based phase change memory cell. A lower operation power consumption of 0.09 m W and a good endurance of 3.0 × 10~6 cycles are achieved. In addition, the superlattice-like Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm) thin film shows a low thermal conductivity of 0.13 W/(m·K).