记忆粒子模型中碰撞比α_n的数值获取

本文给出了记忆粒子模型中n态时m粒子的碰撞比分α_n的数值获取方法;讨论了两种不同的初值赋值方法对结果的影响。在记忆粒子模型中采用本方法提供的α_n,计算预平衡发射与实验资料拟合良好。     

预平衡发射研究中的记忆粒子模型

高能的复合系统的激子被分成记忆粒子m与非记忆粒子r两部分.在引入n态m粒子碰撞比a_n后,建立了m与r粒子态-角占据几率的耦合主方程,给出了区分m、r粒子的态密度与发射几率公式.计算结果表明本模型对实验的拟合较广义激子模型有明显改进.     

尝试利用导致连续态的α转移反应提取重核表面的α集团的预形成几率

本文完善了T.Udagawa和T.Tamura等人^[1]发展的参数化方法, 利用EFR-DWBA程序分析导致连续态的²⁰⁸Pb(¹²C, ⁸Be)²¹²Po的α转移反应的实验双微分能谱, 从中提取了在²¹²Po核表面α粒子的预形成几率, 结果与由α衰变实验数据提取的预形成几率在计算误差范围内一致.     

由重离子引起的融合裂变和准裂变过程中断点拉长度研究的一个简单模型

本文假定在断裂过程中碎片相对运动动能可以忽略,绝热近似条件得到满足,并且碎片只有旋转对称的四极形变,从而得到决定断点处碎片运动的三个方程。求解这一简单的代数方程组,可以得到断点拉长度,并得到出射碎片的总动能。计算结果与重离子引起的融合裂变和准裂变(深部非弹性散射的全阻尼)过程中出射碎片的平均总动能的许多实验资料符合。     

广义激子模型理论中的初值问题

本文在高炮弹入射条件下,由首次碰撞组态的统计性质的讨论,给出了复杂粒子入射引起的预平衡过程的初值问题的完整表述.     

~(12)C轰击~(12)C,~(27)Al,~(nat)Ca反应中发射α粒子的测量与分析

我们测量了69.5MeV~(12)C轰击~(12)C,~(27)Al,~(nat)Ca反应中出射的α粒子的能谱和角分布.用快粒子激子模型理论计算了包含平衡和前平衡出射的α粒子成份.在这三个反应中它们构成α产额的绝大部分,其中前平衡发射的α粒子估计分别占11％、14％、16％.尚有一部分来自其它反应机制的贡献.     

12C轰击12C,27Al,natCa反应中发射α粒子的测量与分析

我们测量了69.5MeV ¹²C轰击¹²C,²⁷Al,^natCa反应中出射的α粒子的能谱和角分布. 用快粒子激子模型理论计算了包含平衡和前平衡出射的α粒子成份. 在这三个反应中它们构成α产额的绝大部分, 其中前平衡发射的α粒子估计分别占11%、14%、16%. 尚有一部分来自其它反应机制的贡献.     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO₃半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO₃半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO₃半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础     

预平衡统计模型中复杂粒子发射的研究

本文提出了预平衡发射过程中准复合系统概念. 考虑了中子、质子的可区分性, 由细致平衡原理给出了复杂粒子发射几率公式, 证明了因子[γ_βω(π_β, 0,ν_β, 0, E—U)/g_π,ν]的存在. 计算表明, 理论结果与实验拟合良好, 在能谱高能部份有明显改善.     

非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析

本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。