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1.
用气压浸渗工艺制备了体积分数40%~50%Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料,使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒,其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm.测定了这些复合材料的静、动态压缩性能,并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤,结果表明,与基体材料相似,这些复合材料表现出明显的应变率敏感性;当增强颗粒平均粒径小于60μm时,材料的累计损伤基本与应变率无关,而主要取决于材料的应变.材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的.较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤,并随着颗粒体积分数的增加,材料的流动应力和损伤率都相应增加. 相似文献
2.
无穷维线性空间中的非游荡算子 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究无穷维线性空间一类具有混沌特性的线性算子;非游荡算子。这是无穷维线性混沌系统中一类有广泛意义的算子,同时本文给出了非游荡算子紧集上的超循环分解。 相似文献
3.
Influenza A viruses of different subtypes isolated in different years and from differentparts of China were examined for temperature-sensitiveness (ts ) in their early egg passages.The validity of ts character has been confirmed by ti1e results of parallel tests in chickembryos and in cell cultures. From 12 strains of the old H1N1 subtype isolated between1949 and 1957, no ts strain was detected. Two out of 6 strains of new H1N1 isolated afterFebruary 1979 were found to be ts. For the H3N2 subtype, only 8 out of 23 strainsisolated between 1968 and 1978 were ts, but the proportion increased abruptly to 13 out of15 strains isolated in 1979--1980. We also found 6 out of 16 strains of the R2N2 subtypeto be ts. Two H2N2 and one H3N2 strains examined were found to be composed of mixedts and ts~ particles. By rocombination- complementation test against 7 standard ts strains ofWSN virus with known genetic lesions, the ts lesion of the H3N2 strain Hong Kong/8/68was located on the nucleoprotein gene, whereas that of the H1N1 strain Tianjin/78/77 waslocated on the matrix protein gene. 相似文献
4.
5.
6.
7.
Under investigation in this paper is a(3 + 1)-dimensional variable-coefficient Kadomtsev–Petviashvili equation, which describes the propagation of surface and internal water waves. By virtue of the binary Bell polynomials,symbolic computation and auxiliary independent variable, the bilinear forms, soliton solutions, B¨acklund transformations and Lax pair are obtained. Variable coefficients of the equation can affect the solitonic structure, when they are specially chosen, while curved and linear solitons are illustrated. Elastic collisions between/among two and three solitons are discussed, through which the solitons keep their original shapes invariant except for some phase shifts. 相似文献
8.
研究了匀强及非匀强磁场中反铁磁体Heisenberg XXX链的近邻和次近邻纠缠.结果表明对基态情形,纠缠随磁场B变化呈现阶梯型结构,这可用来构建量子纠缠"放大器"或量子纠缠"开关".对有限温度情形,引进一非匀强磁场Bi=(-1)iB可以使近邻格点间纠缠在某些区域明显增大,而次近邻格点间纠缠则完全消失;同时引进非匀强磁场Bi=(-1)iB还可以使近邻格点纠缠的临界温度Tcn增大,且Tcn随B的增大而升高,这意味着我们可以通过调节B的大小而在任意温度下得到纠缠. 相似文献
9.
10.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献