巯基改性聚丙烯腈纤维的制备与表征

以L-半胱氨酸盐酸盐(L-CMHC)为改性试剂,对聚丙烯腈(PAN)纤维进行接枝改性,合成了一种新型含巯基纤维(cys-PAN)。探讨了反应温度、反应时间、L-CMHC的质量浓度、PAN纤维与L-CMHC的质量比等因素对纤维合成的影响,得出cys-PAN纤维的优化合成条件为:反应温度125～130℃、反应时间4.5h、L-CMHC的质量浓度0.04g/mL、PAN纤维与L-CMHC的质量比1∶0.5～1∶1。红外光谱、拉曼光谱等结构表征结果证明,巯基被成功接枝在PAN纤维骨架上;热失重分析结果表明,合成的纤维具有良好的热稳定性;间接碘量法测得优化条件下合成的cys-PAN纤维的巯基含量为1.56mmol/g。     

Differential nonlinear photocarrier radiometry for characterizing ultra-low energy boron implantation in silicon

The measuring of the depth profile and electrical activity of implantation impurity in the top nanometer range of silicon encounters various difficulties and limitations, though it is known to be critical in fabrication of silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices. In the present work, SRIM program and photocarrier radiometry (PCR) are employed to monitor the boron implantation in industrial-grade silicon in an ultra-low implantation energy range from 0.5 keV to 5 keV. The differential PCR technique, which is improved by greatly shortening the measurement time through the simplification of reference sample, is used to investigate the effects of implantation energy on the frequency behavior of the PCR signal for ultra-shallow junction. The transport parameters and thickness of shallow junction, extracted via multi-parameter fitting the dependence of differential PCR signal on modulation frequency to the corresponding theoretical model, well explain the energy dependence of PCR signal and further quantitatively characterize the recovery degree of structure damage induced by ion implantation and the electrical activation degree of impurities. The monitoring of nm-level thickness and electronic properties exhibits high sensitivity and apparent monotonicity over the industrially relevant implantation energy range. The depth profiles of implantation boron in silicon with the typical electrical damage threshold (Y_ED) of 5.3×10¹⁵ cm^-3 are evaluated by the SRIM program, and the determined thickness values are consistent well with those extracted by the differential PCR. It is demonstrated that the SRIM and the PCR are both effective tools to characterize ultra-low energy ion implantation in silicon.     

基于三次样条插值的艾滋病治疗模型

基于数学建模提供的艾滋病治疗方案中的实验数据,依据病人的初始CD4状态,将实验数据分类筛选,采用一维三次样条插值法描绘各类病人服药时间与病情的关系图形,进而由图形确定最佳治疗终止时间;并建立了CD4与时间的函数关系模型,借助于性价比函数进行疗效、价格的综合比较分析,此模型解法对最佳治疗方案的选择提供了有力依据.     

基于时空注意力机制的双向长短期记忆神经网络的股指预测研究

股票市场是一个高噪音的混沌系统，其外部属性之间的相关性问题以及在长期预测时外部影响对股价波动的加剧，导致对股票市场进行准确预测是一项富有挑战性的工作。为解决上述问题，本文利用基于注意力机制的双向长短期记忆神经网络(BiLSTM)对香港恒生指数收盘价进行有效性的实证检验。其中，空间注意力机制用于捕捉输入指标之间的相关性并为其赋予区别权重，时间注意力机制用于描述数据的时间相关性以解决长期预测中的时间依赖问题并为时间步赋予区别权重，BiLSTM神经网络用于拟合数据并构建预测模型。本文还比较了四种基于注意力机制的神经网络方法和六种基线方法，实验结果表明，与当下流行的股票指数预测方法相比，基于双维度注意力机制的BiLSTM可以在短、中、长期预测中均实现更准确的股票指数收盘价预测。     

分子印迹技术在黄曲霉毒素检测中的最新研究进展EI北大核心CSCD

黄曲霉毒素(AFT)是由黄曲霉和寄生曲霉等某些菌株产生的一类真菌毒素,主要包括B1,B2,G1,G2,M1,M2,GM,P1,Q1,毒醇等,其中B1的毒性最大,致癌性最强,其广泛存在土壤、动植物、各种坚果、谷物,奶,食用油及其制品中,因此,食品中超痕量及痕量的黄曲霉毒素的检测方法受到高度关注。由于农产品样品基质复杂,而黄曲霉毒素含量和限量极低,高效特异性样品前处理技术是高灵敏精准检测黄曲霉毒素的关键之重。近年来分子印迹技术在样品前处理和核心识别元件等方面发展迅猛,在黄曲霉毒素痕量检测方面凸显出一定优势。综述了近几年来分子印迹技术在黄曲霉毒素前处理及快速检测等方面最新研究进展,并展望了分子印迹技术在黄曲霉检测应用的发展前景。     

微波消解-石墨炉原子吸收光谱法测定固定污染源废气样品中铜、镍、镉的含量北大核心CSCD

用滤筒采集固定污染源废气样品,将滤筒剪碎,置于微波消解管中,加入体积比3∶1的盐酸-硝酸混合液5.0 mL和水20.0 mL,于200℃消解15 min.在所得消解液中加入水10 mL,静置0.5 h进行浸提,过滤,用水定容至50 mL.所得样品溶液采用石墨炉原子吸收光谱法测定其中铜、镍、镉的含量.铜、镍、镉3种元素优化的测定条件如下:灰化温度依次为1100,1200,500℃,灰化时间均为20 s,原子化温度依次为2000,2400,1500℃,原子化时间依次为5,5,4 s.结果表明:铜、镍、镉的质量浓度在一定范围内与其对应的吸光度值呈线性关系,检出限(3.143s)依次为2,3,0.06μg·L^(-1).用此法测定煤飞灰中重金属成分分析标准物质(总量)(RMU010),测定值与认定值基本一致.平行测定某实际煤飞灰样品6次,测定值的相对标准偏差为2.6%~7.0%.采集某固定污染源废气样品7个,按本方法测定,测定值的相对标准偏差小于20%,说明采集方法具有一定稳定性.     

基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器

提出一种在AlGaN基PIN器件的p-GaN表面上沉积Pt,形成肖特基势垒(SB)-PIN异质结器件,器件的能带和载流子的输运发生了变化,这种新型光电探测器实现了双波段紫外探测,可分别工作在光伏和光电导模式下。器件在275 nm波长的紫外光照射的负偏置电压下,工作模式为光伏探测,当入射光功率密度为100μW/cm²,偏置电压为-10 V时,器件得到最大响应度(0.12 A/W);当偏置电压为-0.5 V时,器件得到最大探测率(1.0×10¹³ cm·Hz^1/2·W^-1)。器件在正偏置电压工作模式下可作为高响应、高增益的光电导探测器,当偏置电压为+10 V时,用275 nm和365 nm波长的紫外光照射(光功率密度为100μW/cm²),器件的响应度分别为10 A/W和14 A/W,外量子效率分别为4500%和4890%。所设计的双波段多功能器件将极大地扩展基于AlGaN的紫外探测器的用途。     

异质Stackelberg寡头竞争下创新产品技术许可策略研究

基于异质产品Stackelberg寡头竞争模型,建立了拥有新产品创新技术在位厂商与潜在竞争对手间的技术许可博弈模型.模型中假设潜在竞争对手可以接受许可,也可通过自我研发创新技术进入市场参与竞争.根据潜在竞争对手研发成本的高低,研究了创新厂商的最优两部制收费策略.研究结果表明:潜在竞争者总会接受创新技术许可,最优许可策略依赖于研发成本、市场参数以及产品的替代系数.     

子空间Parseval框架的一个基本恒等式

本文研究了子空间框架的一个基本恒等式.利用算子理论的两个基本结果,得到了子空间Parseval框架的基本恒等式,同时给出了恒等式的几种变形,包括一般子空间框架的情况.