基于三次样条插值的艾滋病治疗模型

基于数学建模提供的艾滋病治疗方案中的实验数据,依据病人的初始CD4状态,将实验数据分类筛选,采用一维三次样条插值法描绘各类病人服药时间与病情的关系图形,进而由图形确定最佳治疗终止时间;并建立了CD4与时间的函数关系模型,借助于性价比函数进行疗效、价格的综合比较分析,此模型解法对最佳治疗方案的选择提供了有力依据.     

Differential nonlinear photocarrier radiometry for characterizing ultra-low energy boron implantation in silicon

The measuring of the depth profile and electrical activity of implantation impurity in the top nanometer range of silicon encounters various difficulties and limitations, though it is known to be critical in fabrication of silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices. In the present work, SRIM program and photocarrier radiometry (PCR) are employed to monitor the boron implantation in industrial-grade silicon in an ultra-low implantation energy range from 0.5 keV to 5 keV. The differential PCR technique, which is improved by greatly shortening the measurement time through the simplification of reference sample, is used to investigate the effects of implantation energy on the frequency behavior of the PCR signal for ultra-shallow junction. The transport parameters and thickness of shallow junction, extracted via multi-parameter fitting the dependence of differential PCR signal on modulation frequency to the corresponding theoretical model, well explain the energy dependence of PCR signal and further quantitatively characterize the recovery degree of structure damage induced by ion implantation and the electrical activation degree of impurities. The monitoring of nm-level thickness and electronic properties exhibits high sensitivity and apparent monotonicity over the industrially relevant implantation energy range. The depth profiles of implantation boron in silicon with the typical electrical damage threshold (Y_ED) of 5.3×10¹⁵ cm^-3 are evaluated by the SRIM program, and the determined thickness values are consistent well with those extracted by the differential PCR. It is demonstrated that the SRIM and the PCR are both effective tools to characterize ultra-low energy ion implantation in silicon.     

铜基类金刚石膜功能梯度材料作为散热材料的研究

随着电子技术、信息产业的发展, Cu在微型散热材料、电子封装材料上应用日益广泛. Cu在应用过程中存在强度低、易氧化、易磨损等缺点. 采用等离子体复合沉积技术, 在铜基体上制备了Ti/TiC/DLC功能梯度材料, 改善铜基体与美金刚石(DLC)膜的结合力, 强化了铜的机械性能. 瞬态热反射法检测结果表明, DLC功能梯度材料不会影响铜基体的散热效果.     

比率型-捕食者-两竞争食饵模型的动力学行为

本文研究比率型非自治的捕食者 -食饵模型 .该系统是两个具有竞争关系的食饵种群被一个捕食种群捕食 .我们研究其动力学行为 ,包括持久性 ,全局渐近稳定性 ,周期解 ,概周期解的存在唯一性     

非Chetaev型非完整可控力学系统的Noether-形式不变性

基于函数对时间的全导数采用沿系统的运动轨线方式, 研究非Chetaev型非完整可控力学系统的Noether-形式不变性. 给出非Chetaev型非完整可控力学系统的Noether-形式不变性的定义和判据. 由Noether-形式不变性同时得到了Noether守恒量和新型守恒量. 并举例说明结果的应用. 关键词： 非Chetaev型非完整系统 可控力学系统 Noether-形式不变性 守恒量     

车载360°态势感知系统研究

为了适应复杂的战场空间,提高装甲车辆近距离防护能力和战场生存能力,提出一种车载360°态势感知系统。给出了系统的构成框架,并从总体设计、高吞吐嵌入式图像处理平台架构、实时全景拼接以及目标识别和威胁判断等关键技术进行了分析,提出了解决方法。设计的系统实现了多路高清图像拼接,延时优于190 ms,对于车辆的探测距离达到1 km,具有人员和车辆目标的检测和威胁提示能力,可显著提高装甲车辆近距离态势感知能力。     

马兜铃酸在钴离子注入修饰碳纤维电极上的电化学行为及其应用

马兜铃酸在 0 0 8mol LNa2 HPO4 KH2 PO4 溶液 (pH 6 82 )中 ,于钴离子注入修饰碳纤维电极 (Co CFUE)上 ,产生一个具有电催化性质的还原波。还原波峰电位为 - 0 80V(vs.SCE)。在此电极上 ,马兜铃酸的电化学反应过程是准可逆的。用扫描电子显微镜 (SEM)和俄歇电子能谱 (AES)两种表面技术对钴离子注入碳纤维和普通碳纤维表面进行表征 ,证明由于Co离子的注入 ,改变了碳纤维基体的性质 ,催化了马兜铃酸的还原。该波的一阶导数峰电流与马兜铃酸的浓度在 1 6× 1 0 -7～ 1 4× 1 0 -4 mol L范围内呈线性关系 ,检出限为 7 6× 1 0 -8mol L。用于马兜铃生药的测定 ,回收率在 97 5 %～ 1 0 3 3%之间。     

单空泡与自由液面相互作用规律研究进展

空化与空泡溃灭现象普遍存在于自然界、标识码械和生物医学等领域.空泡与自由面相互作用会产生瞬态强烈耦合,涉及到空泡非球形溃灭、自由面非线性变形及失标识码象,是流体力学领域重要的前沿与基础问题. 本文围绕这一热点,从空泡非球形演化和自由面变形规律角度出发,概标识码纳近年该领域的研究进展与成果. 对于近自由面空泡的非球形演化,基于表征开尔文冲量的无量纲参数,重点关注了体积振荡、射流生成、水锤效应及溃灭标识码生成等关键过程,介绍了关键参数的理论建模方法,获得了空泡溃灭过程中能量分配机制. 针对自由液面变形演化,根据细射流和粗射流生成和发展,归纳了 4 种典型现象及特点:透明水层及水柱生成、不稳定与稳标识码水裙结构. 进一步总结了开尔文冲量理论、界面凹陷奇点概念和泰勒不稳定性等理论模型的建立和应用,讨论了气泡溃灭过程、液面标识码界面稳定性等主要机制. 此外,本文也概述了空泡脉动对球状、圆柱状等非平面液面变形行为的影响,归纳了曲率对于液面变形的影响机制. 最后,针对目前研究状况提出该领域研究中尚未解决的问题,期望对将来的空泡及空泡群与自由液面相互作用深入研究提供借鉴.      

pH值对水热合成纳米锰锌铁氧体生长和磁性能影响

本研究以NaOH为沉淀剂调配不同pH的共沉淀前驱体,通过水热法合成纳米锰锌铁氧体颗粒,并对其生长机理及pH的影响进行研究.结果表明:三组样品主相均为尖晶石结构锰锌铁氧体.pH=10.5,11.5出现α-Fe2 O3和α-FeOOH杂相.在水热反应中,锰锌铁氧体生长过程除溶解-再结晶外还依靠晶粒的定向附着生长.pH=10.5的晶粒溶解-再结晶和定向附着均受到抑制,粒度为14 nm,而较高的pH更利于两种机制,获得更大粒度,其中pH=11的颗粒趋于球形,并存在由定向附着留下的介孔.常温下,饱和磁化强度和矫顽力均随pH上升而增加.     

超高效液相色谱-串联质谱法测定土壤中烷基酚

烷基酚聚氧乙烯醚是最常用的表面活性剂,广泛用于家庭清洁、农药等化工生产行业,迄今为止已有50年的使用历史.