常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.     

用于正电子断层扫描成像的68Ga标记PM2.5模拟粒子的制备及其活体示踪

将黑色素纳米颗粒(melanin nanoparticle,MNP)经聚乙二醇(polyethylene glycol,PEG)修饰制备得到PEG-MNP,随后通过与放射性的⁶⁸Ga³⁺离子螯合,高标记产率地制备得到⁶⁸Ga-PEG-MNP,标记产物稳定性良好。进一步将⁶⁸Ga-PEG-MNP通过雾化方式制备得到⁶⁸Ga-PEG-MNP PM_2.5(particulate matter 2.5,size<2.5μm)模拟颗粒,其经雾化小鼠吸入体内后,通过正电子断层扫描(positron emission tomography,PET)成像对小鼠进行全身显影,结果可见雾化的⁶⁸Ga-PEG-MNP PM_2.5模拟颗粒可由气管向肺部双叶区域扩散,并滞留于肺。体内的PET成像结果与离体放射自显影结果高度一致。     

功能碳黑修饰的丝网印刷碳糊电极葡萄糖生物传感器的特性与机理

从碳黑表面引发苯乙烯磺酸钠的原子转移自由基聚合制备了聚(苯乙烯磺酸钠)改性碳黑(CB-g-PSS),并分别以掺杂和沉积两种不同方式修饰电极的生物敏感膜,再在生物敏感膜上吸附固定葡萄糖氧化酶,制作了两种葡萄糖氧化酶传感器,得到了不同的效果.实验结果表明,将CB-g-PSS与成膜材料掺杂制作的生物传感器与无修饰传感器相比,响应灵敏度下降了1/3;将CB-g-PSS沉积修饰丝网印刷碳糊电极制作的传感器与无修饰传感器相比,响应灵敏度提高了2倍,且对1.1～33.3 mmoL/L的葡萄糖待测样本,RSD均＜7%,稳定性良好,有较高的应用价值.通过实验分析了CB-g-PSS以不同方式修饰电极的工作机理,结果表明,选择正确的修饰方式,能够发挥CB-g-PSS的导电效应及纳米效应,使其有利于酶的固定,提高响应灵敏度并改善酶促反应动力学特性.     

高电荷态离子Arq+入射在金属表面形成靶原子X射线谱

本文报道低能高电荷Ar12+、Ar13+ 、Ar14+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量变化的实验结果.结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线.     

新型芯片电泳柱端安培检测系统的构建与评价

自行设计开发了一套便于与电泳芯片集成的一体式柱端安培检测池系统．该系统由整块透明有机玻璃精密加工而成,包括电泳芯片支架和安培检测池两部分,芯片可通过芯片插槽和不锈钢夹具固定在芯片支架上,各种检测用电极可直接通过螺母固定在安培检测池中．以100μmol／L的DA为模式分析物,分别采用直径为100、300和500μm的铂金圆盘电极与表观直径为240μm的碳纤维电极作为工作电极均在该装置上实现了良好组装和高灵敏检测．采用碳纤维工作电极对该系统的检测参数进行了优化．测试结果表明该系统在电化学清洗程序下连续六次测定100μmol／L多巴胺的峰电流相对标准偏差为3．2％,保留时间相对标准偏差为0．5％,DA的检测限为0．4μmol／L（按照S／N=3计）．该系统体积小巧,测试稳定,检测灵敏度较高,工作电极更换方便,适合作为芯片电泳柱端安培检测通用平台．     

低温微捕集/GC-MS测定SF6分解产物组成

SF6气体是一种人工合成的优良绝缘物质,用于高压电器中的绝缘灭弧介质.高压电器在电网中运行时,由于开断产生的高温、高能粒子会使SF6气体发生分解和恢复的过程.     

MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

对本实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未故意掺杂的ＧａＮ单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较宽。低补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较窄。     

200GeV/u的~(238)U+~(238)U核碰撞产生的双轻子谱(M≤4GeV/c~2)的计算

在夸克味动力学的计算中,除包含ｕ、ｄ、ｓ夸克及其反夸克外,还涉及粲夸克及其反夸克（ｃｃ）,采用包含夸克味动力学效应的相对论性流体力学模型,计算了碰撞能量为２００ＧｅＶ／ｕ的２３８Ｕ＋２３８Ｕ核碰撞时形成的膨胀ＱＧＰ及其在相变过程中发射的双轻子谱,轻子对的质量范围Ｍ≤４ＧｅＶ／ｃ２．计算结果与ＣＥＲＮＳＰＳ的实验测量数据进行了定性的比较和分析,得到初步的结论：由于夸克碎块和味动力学效应,Ｊ／ψ→μ＋＋μ－峰值被降低,导致低质量区（阈至１．３５ＧｅＶ／ｃ２）谱的提高．     

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

本文采用常压MOCVD方法在Ti/Si（111）模板上生长了氧化锌（ZnO）薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源。Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680％进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。     

厌氧胶的组成、结构和固化引发机理研究进展

厌氧胶是一种单组分无溶剂的胶粘剂,当有氧气存在时为液态,而当氧气被排除后即迅速成为固态。厌氧胶在机械、电子等领域有着广泛的应用。介绍厌氧胶的组成、结构和固化引发机理的研究进展。