InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

本文采用常压MOCVD方法在Ti/Si（111）模板上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，使用二乙基锌为Zn源，去离子水为O源。Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发，然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶，接着在680％进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明，本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。     

MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

对本实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未故意掺杂的ＧａＮ单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较宽。低补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较窄。     

不对称茂金属[Me~2C(Cp)(Ind)]ZrCl~2催化剂制备支化聚乙烯的 研究

本文报道以[Me~2C(Cp)(Ind)]ZrCl~2为主催化剂,MAO为助催化剂,仅以乙烯为单体制备支化聚乙烯的结果。     

200GeV/u的~(238)U+~(238)U核碰撞产生的双轻子谱(M≤4GeV/c~2)的计算

在夸克味动力学的计算中,除包含ｕ、ｄ、ｓ夸克及其反夸克外,还涉及粲夸克及其反夸克（ｃｃ）,采用包含夸克味动力学效应的相对论性流体力学模型,计算了碰撞能量为２００ＧｅＶ／ｕ的２３８Ｕ＋２３８Ｕ核碰撞时形成的膨胀ＱＧＰ及其在相变过程中发射的双轻子谱,轻子对的质量范围Ｍ≤４ＧｅＶ／ｃ２．计算结果与ＣＥＲＮＳＰＳ的实验测量数据进行了定性的比较和分析,得到初步的结论：由于夸克碎块和味动力学效应,Ｊ／ψ→μ＋＋μ－峰值被降低,导致低质量区（阈至１．３５ＧｅＶ／ｃ２）谱的提高．     

厌氧胶的组成、结构和固化引发机理研究进展

厌氧胶是一种单组分无溶剂的胶粘剂,当有氧气存在时为液态,而当氧气被排除后即迅速成为固态。厌氧胶在机械、电子等领域有着广泛的应用。介绍厌氧胶的组成、结构和固化引发机理的研究进展。     

应用刚果红-壳聚糖褪色反应光度法测定微量阳离子表面活性剂

在pH 10.5的B-R(或pH 9.0的氨水-氯化铵)缓冲溶液中,溴化十六烷基三甲胺和氯化十六烷基吡啶能使刚果红与壳聚糖(体系Ⅰ)或刚果红与羧甲基壳聚糖(体系Ⅱ)生成的有色物质产生灵敏的褪色反应,在530 nm波长处,其褪色程度△A与溴化十六烷基三甲胺及氯化十六烷基吡啶用量呈线性关系,溴化十六烷基三甲胺和氯化十六烷基吡啶的质量浓度分别在0.2～3.6 mg·L-1(体系Ⅰ)和0.08～3.2 mg·L-1(体系Ⅱ)范围内呈线性,表观摩尔吸光率εCTMAB=2.08×104L·mol-1·cm-1,εCPC=2.52×104L·mol-1·cm-1(体系Ⅰ);εCTMAB=2.22×104L·mol-1·cm-1,εCPC=2.55×104L·mol-1·cm-1(体系Ⅱ),拟定的方法用于水样中微量阳离子表面活性剂的测定,测得方法的回收率在99.1%～100.8%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在1.2%～3.0%之间.     

新型芯片电泳柱端安培检测系统的构建与评价

自行设计开发了一套便于与电泳芯片集成的一体式柱端安培检测池系统．该系统由整块透明有机玻璃精密加工而成,包括电泳芯片支架和安培检测池两部分,芯片可通过芯片插槽和不锈钢夹具固定在芯片支架上,各种检测用电极可直接通过螺母固定在安培检测池中．以100μmol／L的DA为模式分析物,分别采用直径为100、300和500μm的铂金圆盘电极与表观直径为240μm的碳纤维电极作为工作电极均在该装置上实现了良好组装和高灵敏检测．采用碳纤维工作电极对该系统的检测参数进行了优化．测试结果表明该系统在电化学清洗程序下连续六次测定100μmol／L多巴胺的峰电流相对标准偏差为3．2％,保留时间相对标准偏差为0．5％,DA的检测限为0．4μmol／L（按照S／N=3计）．该系统体积小巧,测试稳定,检测灵敏度较高,工作电极更换方便,适合作为芯片电泳柱端安培检测通用平台．     

神经元的形态分类和识别——2010年全国研究生数学建模竞赛C题论文

根据神经元的空间几何特征参数,研究神经元的空间形态分类方法,将神经元根据几何形态分类识别.首次提出利用模糊C均值算法(FCM)建立了模糊聚类分析模型,对所给的神经元样本进行了分类,这一模型用来对神经元进行分类比较合理,且计算结果准确.同时,还利用相关分析原理分析了不同动物神经系统中同一类神经元的形态特征有着很高的相似度.     

碳酸铯修饰Al作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件

以Cs₂CO₃修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq₃)作为发光层、MoO₃修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs₂CO₃为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs₂CO₃修饰的Al电极功函数明显低于Mg:Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs₂CO₃为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs₂CO₃阴极的有效电子注入。