与Bell多项式相关的一个新的矩阵反演及其应用

利用经典Lagrange反演公式, 本文给出了一个新的Bell矩阵反演, 由此建立了Bell多项式的一些新的性质, 其中包括一个Bell矩阵反演的封闭形式和经典Fa\`{a} di Bruno公式的一个逆形式.     

基于超高效液相色谱-质谱红花药材指纹图谱的建立

以红花为研究对象，建立超高效液相色谱-质谱（UPLC-MS）指纹图谱分析方法，为红花药材质量鉴别提供借鉴.通过考察检测波长、梯度洗脱条件、提取溶剂、提取方法等因素，在最优条件下对20个产地的红花样品进行分离分析.色谱柱：Thermo Hypersil Gold C₁₈，100 mm×2.1 mm，1.9 μm，流动相：0.1%甲酸水溶液（A）-乙腈（B）；流速：0.3 mL/min；柱温：30℃；检测波长：270 nm；进样量：2 μL，质谱条件：鞘气流速：45 arb，辅助气流速15 arb，雾化电压：3.3 KV，离子传输管温度：350℃，辅助气加热温度：400℃.试验结果：共确定了67个共有峰，通过UPLC-MS指认了其中11个共有峰，对20批不同产地的红花药材指纹图谱进行了相似度评价，其相似度在0.687~0.971之间.建立的UPLC-MS指纹图谱可为红花药材的质量控制提供参考依据.     

GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。     

桥环菁染料 1,1-((N)-甲基-4-吡啶基)-3-((N)-甲基-4-吡啶亚基)-4.5-二取代-1,4-环戊二烯甲基硫酸盐及具有不对称(N)-烷基的桥环菁染料

1,3-二(4-吡啶基)丙烷用硫酸二甲酯甲基化生成双吡啶盐(2),该吡啶盐(2)和α-二酮在碱性条件下缩合生成1-(N-甲基-4-吡啶基)-3-(N-甲基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯甲基硫酸盐(3),得率良好。1,3-二(4-吡啶基)丙烷用不同的卤代烷分步烷基化得不对称的双吡啶盐(5),(5)用上述方法和α-二酮反应得不对称桥环菁染料(6)。本工作还测定了桥环菁染料的可见和荧光光谱,并讨论了染料(3)的质子化过程和pK_b值。     

桥环菁染料II:1-(N-烷基-4-吡啶基)-3-(N-烷基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯菁染料的合成和质子化及荧光性质研究

本文报道带有疏水长链的桥环菁染料的合成。并研究这类菁染料的质子化过程和平衡常数、取代效应, 以及胶束、糖淀粉和环糊精对染料的可见光谱及质子化过程的影响, 本文也考察了桥环菁染料的荧光光谱, 这些研究在理论上和实际应用有一定意义。     

采用密度泛函理论与分子动力学对聚甲基丙烯酸甲酯双折射性的理论计算

双折射性是各种光学材料的重要性能之一,具有高双折射率的光学材料在诸多研究及工业领域的应用越来越广泛.然而,作为常用的光学薄膜及光波导材料之一的聚合物材料的双折射性通常却很弱,只能通过实验对其双折射率进行大致的表征,缺乏对其双折射率的系统性理论计算,从而限制了提高聚合物双折射性的研究.本文建立了从聚合物的单体分子结构到多分子链的系统性的双折射率理论计算方法,并借助此方法研究了导致聚合物弱双折射性的限制因素.以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为研究对象,运用密度泛函理论研究了其本征双折射率,这里的本征双折射率是指分子链完全取向时其单体单元的双折射率.计算结果表明其本征双折射率高达0.0738左右,并且通过计算给出了PMMA单体单元的平均双折射率色散曲线.采用分子动力学方法研究了该聚合物(包含20个分子链)的材料双折射率.理论计算结果表明,尽管该聚合物具有较大的本征双折射率,但是由于聚合物中分子链取向度极低,聚合物材料最终表现出来的双折射率只有0.00052.本文建立的研究方法及研究结果为研究增强聚合物材料双折射性提供了理论依据.     

高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响

研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD) SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也不相同.如果源漏与栅交叠,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆叠栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的. 关键词： k栅介质')" href="#">高k栅介质 肖特基源漏(SBSD) 边缘感应势垒屏蔽(FIBS) 绝缘衬底上的硅(SOI)     

高师物理师范生教育科研素质培养的 探索与实践

在国家教育政策和法规框架下, 依据高等师范教育和基础教育改革与发展要求, 结合云南师范大学的 办学任务和特色, 梳理了云南师范大学物理与电子信息学院物理师范生科研素质培养实践的指导思想和基本思 路; 介绍了培养体系、 具体做法以及取得的一些代表性成果; 总结了探索和实践获得的认识     

高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究

采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+ xBi_4Ti_3O_(12) (0≤x≤0.01)系统陶瓷.对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理.研究了不同Bi_4Ti_3O_(12)掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO_3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响.结果表明:掺杂Bi_4Ti_3O_(12)后,BaTiO_3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi_4Ti_3O_(12)具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到T_c=150 ℃.随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大.     

芳杂环二腈及其聚合物Ⅲ.若干含苯并噻唑环的芳香族二腈的合成

合成了下列五种含苯并噻唑环的芳香族二腈也合成了三个与此有关的单腈化合物.在合成这些化合物中,不少中间物也是新化合物.所有这些化合物的氰基红外吸收峰皆在2232cm^-1左右.