微机动力学光度法测定不同低聚合度硅酸的研究及其在甘蔗中存在量分析的应用

依据单、双和三硅酸与钼酸形成杂多酸的反应速度的不同, 建立了同时测定这三种硅酸的微机动力学光度法。此法应用于甘蔗中低聚合度硅酸的测定, 结果满意。     

害嗜鳞螨[Lepidoglyphus destructor (Schrank,1781)]形态的研究——(无气门目Astigmata甜食螨科Glycyphagidae)

<正> 一前言害嗜鳞螨[Lepidoglyphus destructor(Schrank)]属蜱螨亚纲(Acari)无气门目(Astig-mata)食甜螨科(Glycyphagidae)嗜鳞螨属(Lepidoglyphus),是一种常见为害贮藏食物的螨类之一,经常与粗脚粉螨(Acarus siro),普通肉食螨[Cheyletus eruditus(Schrank)]等混合发生,我们曾     

3-取代酚酮5位偶联产物的溴氧化成环反应

报道了采用溴氧化3-异丙烯基(艹卓)酚酮和3-肉桂酰基(艹卓)酚酮合成杂环并(艹卓)酮化合物的新方法。3-异丙烯基(艹卓)酚酮5位偶联产物1a～1f和3-肉桂酰基(艹卓)酚酮5位偶联产物3a～3d分别在吡啶介质中与过量溴作用生成5-取代苯偶氮基-7-溴-3-甲基-8-氢环庚并呋喃-8-酮2a～2f和6-取代苯偶氮基-2-苯基-8-溴-4,9-二氢环庚并吡喃-4,9-二酮4a～4d。     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法,在n⁺-Si衬底上淀积SiO₂/Si/SiO_{2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n⁺-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n⁺-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n^＋-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是：反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n⁺-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光. 关键词： 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿}     

周期载荷下Nb3Sn温度裕度及变形研究

国际热核聚变反应堆ITER和国内聚变工程实验堆CFETR装置上的CICC运行于复杂的电磁环境中,为应对12 T及更高电磁场的影响,其上的中心螺线和环向磁体已采用Nb_3Sn超导材料,作为A15型的Nb_3Sn材料对应变变化较敏感。而应变下温度裕度和变形等是影响低温(4.2/4.5 K)下超导体稳定运行的重要参数,为获得真实运行情况下磁场与电流产生的电动力所导致的周期应变对温度裕度等的作用,本文采用周期电磁载荷来模拟应变作用,利用温度裕度与刚度的数学计算方法,对Nb_3Sn超导体的温度裕度和变形进行测试对比分析。结果显示分流温度和温度裕度随载荷周期增加而减小,其中分流温度在1～1 000载荷周期快速变小,温度裕度在2 000～3 000载荷周期急剧减小;同时载荷周期导致股线刚度减小和股线变形增加。由此可见,载荷周期产生的应变导致Nb_3Sn性能退化降级。     

EAST�����п������HALO������ģ�����

基于EAST超导托卡马克实验装置,给出了HALO电流计算方法和计算过程,并通过自由能方法模拟得出了等离子体电流、HALO电流在等离子体破裂过程中随时间的演化过程。     

CICC超导体数字模拟设计

CICC超导体是大型低温超导磁体的首选导体,在大电流和快速变化磁场环境以及给定稳定性裕度等条件下,开展CICC超导体结构的优化设计及稳定性分析的研究就显得非常重要。因此文中针对CICC导体设计,提出数字模拟设计的想法,并将数字模拟设计结果与工程设计值进行了比较和分析,二者基本吻合。     

磺氨酸作为一种绿色和可循环使用的催化剂催化β-烯胺酮的合成

磺氨酸作为一种绿色催化剂可有效催化β-烯胺酮的合成. 该方法具有产率高、反应时间短、条件温和、操作简单等优点,同时催化剂可循环使用。     

退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律.研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180 h后,CdZnTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由1010 Ω·cm减小至～107 Ω· cm.同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关.在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(ρ)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化.     

Stability analysis and control synthesis of uncertain Roesser-type discrete-time two-dimensional systems

We study the stability analysis and control synthesis of uncertain discrete-time two-dimensional(2D) systems.The mathematical model of the discrete-time 2D system is established upon the well-known Roesser model,and the uncertainty phenomenon,which appears typically in practical environments,is modeled by a convex bounded(polytope type) uncertain domain.The stability analysis and control synthesis of uncertain discrete-time 2D systems are then developed by applying the Lyapunov stability theory.In the processes of stability analysis and control synthesis,the obtained stability/stabilzaition conditions become less conservative by applying some novel relaxed techniques.Moreover,the obtained results are formulated in the form of linear matrix inequalities,which can be easily solved via standard numerical software.Finally,numerical examples are given to demonstrate the effectiveness of the obtained results.