富镧混合稀土-镍贮氢材料CO,O2和H2O中毒的表面特征

本文用UPS,XPS研究了贮氢材料MlNi₅(Ml=La,Ce,Pr,Nd)的CO,O₂和H₂O的中毒,在UPS谱中,我们观察到在E_F以下峰α(0.3eV)和峰b(1.2eV)强度随中毒气体暴露量增加有显著变化,并向低动能端位移,逐渐形成肩峰,与此同时,峰c(6eV)和峰d(9.5eV)的强度随暴露量增加而增加,并有能量位移,配合XPS分析,分别确定相应的化学态。氧中毒后的MlNi₅,经300℃加氢还原,从UPS谱可以看到峰α,b强度增加;H₂O和CO中毒后,在超高真空条件下,分别经300℃加热处理,和Ar⁺剥离方法,均获得类似的效果,XPS分析进一步证实了这些结果。实验给出了贮氢材料MlNi₅中过渡金属镍的d电子与气体自由分子轨道间电荷转移的信息,为在实际应用中认识此类贮氢合金的表面催化中毒和再生提供了依据。 关键词：     

高压合成立方氮化硼用的新触媒材料的研究

 本文研究了合成立方氮化硼用新触媒材料Mg₃B₂N₄及Ca₃B₂N₄的制备方法，并对它们的稳定性及其催化作用进行了讨论。氮化硼原料的结晶状态及合成温度、合成时间、气流量等对新触媒的合成有着重要的影响。本文还在高温高压下利用新触媒进行了立方氮化硼的合成实验，结果表明，与碱土金属触媒相比新触媒具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂志含量低、破碎强度高等优点，是一种应用前景很大的触媒材料。     

稀土焦绿石化合物R2Fe4/3W2/3O7的高温高压稳定性研究和X射线相分析

 本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术，研究了R₂Fe_4/3W_2/3O₇（R=Er、Yb、Dy）化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa，1 200 ℃条件下，六方相R₂Fe_4/3W_2/3O₇化合物按两种方式分解，而直接由R₂O₃，Fe₂O₃和WO₃原料出发，经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同，均为R₂WO₆、RFeO₃、WO₃和Fe₂O₃的多相聚合物。同时给出了R₂Fe_4/3W_2/3O₇六方相高温高压下的稳定区范围。     

Cd1-xZnxTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响

采用传统Bridgman方法和加入accelerated crucible rotation technique的Bridgman(缩写为ACRT-B)方法生长的Cd_1-xZn_xTe(x=0.04)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷.为了减少甚至消除这些缺陷,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火.从Cd-Te和Cd_0.96Zn_0.04Te的PT相图出发,详细讨论了CdZnTe晶体的气固平衡条件,并 关键词： 1-xZn_xTe')" href="#">Cd_1-xZn_xTe 退火 气-固平衡     

应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

异质结构的构筑与堆垛是新型二维材料物性调控及应用的有效策略.基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了4种不同堆叠构型的新型二维Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性质. 4种异质结构型均为Ⅱ型能带结构的间接带隙半导体,光致电子的供体和受体材料由二维In₂Se₃的极化方向决定.光吸收度在可见光区域高达25%,有利于太阳可见光的有效利用.双轴应变可诱导直接-间接带隙转变,外加电场能有效调控异质结构带隙,使AA2叠加构型的带隙从0.195 eV单调增大到0.714 eV,AB2叠加构型的带隙从0.859 eV单调减小到0.058 eV,两种调控作用下异质结的能带始终保持Ⅱ型结构.压缩应变作用下的异质结在波长较短的可见光区域表现出更优异的光吸收能力.这些研究结果揭示了Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结电子结构的调控机理,为新型光电器件的设计提供理论指导.     

KT-5C托卡马克上不同限制器偏压下等离子体p约束改善的实验研究

在KT-5C托卡马克上,采用多块组合的可偏压限制器控制等离子体边缘电场.进行了改善等离子体的边缘参数及其机制的研究.实验显示,限制器的正、负偏压都能改变等离子体电位,但正偏压更有效,能有效地建立边缘电场,进而抑制边缘扰动改善等离子体约束.利用可移动静电探针,测得正偏压期间边缘电子温度T_e(r)、电子密度n_e(r)、空间电位V_p(r)分布变陡,与计算得到的边缘粒子通量Г(a_(?))减少,整体粒子约束时间τ_p增加结果是一致的.     

4f轨道的成键性质

本文介绍了目前国内外关于镧系配合物４ｆ轨道成键行为研究的现状与进展,对其理论和研究方法进行了系统的总结,归纳了４ｆ轨道的成键规律。     

超形变原子核全同带的判断与角动量增量顺排量子化

给出了一个新的从能量角度判断超形变带全同带的方法,并运用这种方法分析了100多条超形变带.给出了全同带数目随判断参数的变化关系.还引进了量子化区间的概念,从统计角度分析角动量增量顺排的量子化问题,得出了全同带增量顺排随判据加严而趋向于量子化的性质,而正常形变全同带则不具有这一性质.讨论了新方法与粒子转子模型之间的关系.     

纳米晶类钙钛矿型锰氧化物导电性的高压研究

研究了纳米晶类钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3Mn0.95Fe0.05O3和La0.7Ca0.3MnO3在不同压力、高温处理后的导电性质.结果表明,在室温高压成型样品具有很高的电阻率,居里温度TC附近磁电阻效应很小 随处理压力的增加,电阻率先是降低,至11GPa时达最低点,之后升高.高温处理过的样品经一定压力处理后,其电阻随温度变化曲线的金属绝缘体转变峰向低温跃变,并伴随电阻率的大幅增加. 关键词：     

如何划分菲涅耳衍射和夫琅和费衍射

在讨论光的衍射时,一般总是把它分为菲涅耳衍射和夫琅和费衍射、但如何划分?根据是什么?这问题看法很不统一.在一般经典的光学著作中都是以所取的近似程度来划分的,而目前在一些现代光学的书中却划分得比较简单,提出了近场衍射即菲涅耳衍射和远场衍射即夫琅和费衍射的概念. 关于光在平面屏幕上的衍射问题早在1882年就由基尔霍夫得出了菲涅耳-基尔霍夫衍射公式式中U(P)为光在P(x,y)处的复振幅分布.∑为衍射孔,r0表示点光源P0(x0,y0)到孔上P1(xl,y1)点的距离,r表示观察点P到P1处的距离n为衍射孔的外法线. 后来索末菲又于1896年,首次给出了…