应用抗差估计SITAN算法的水下重力匹配导航方法

水下重力场匹配导航的SITAN算法综合了扩展卡尔曼滤波技术和地形随机线性化技术,具有实时性好、可操作性强等特点.针对其在粗差探测方面的不足,引入抗差估计方法,通过设置调节因子,降低了异常点状态矩阵和增益矩阵等对下一位置点的影响,来改善导航位置精度,增强可靠性.仿真试验结果表明,采用一般SITAN算法的水下重力匹配导航位...     

沉管隧道横向动力响应分析的多体动力学方法

沉管隧道横向地震响应分析是沉管隧道结构抗震设计的重点.根据沉管隧道的结构特点和接头剪力键的节点构造,建立了沉管隧道的多刚体-剪切铰-黏性阻尼铰多体动力学模型,并应用多体动力学中的离散时间传递矩阵法(multibody system discrete time transfer matrix method,MS-DT-TMM)建立了数学模型及表达式,同时编写Matlab程序进行求解实现.设定算例分别采用MS-DT-TMM和传统有限元法(finite element method,FEM)对沉管隧道横向地震响应进行对比分析,两者吻合较好,表明MS-DT-TMM应用于沉管隧道横向动力响应分析的可行性和有效性.     

2-芳香酰氨基-β-D-吡喃葡萄糖的合成及抗菌活性

2-脱氧-2-氨基-β-D-吡喃葡萄糖(β-D-氨基葡萄糖),生物相容性好,能抗肿瘤,且无毒副作用,对人体具有重要意义。例如,它的某些无机盐化合物,β-D-氨基葡萄糖的硫酸盐和盐酸盐是治疗骨头关节炎的一种特效药物,不仅能改善关节功能,还可以帮助消除炎症[1]。作为医药原料,氨基葡萄糖     

Coupling Stacking Orders with Interlayer Magnetism in Bilayer H-VSe_2

Stacking-dependent magnetism in van der Waals materials has caught intense interests.Based on the first principle calculations,we investigate the coupling between stacking orders and interlayer magnetic orders in bilayer H-VSe₂.It is found that there are two stable stacking orders in bilayer H-VSe₂,named AB-stacking and A’B-stacking.Under standard DFT framework,the A’B-stacking prefers the interlayer AFM order and is semiconductive,whereas the AB-stacking prefers the FM ord...     

大学物理实验混合式教学改革与实践——以国防科技大学物理实验教学为例

以虚拟仿真实验、MOOC和实体实验相结合,构建了以线下实体实验为主,虚拟仿真实验为辅的线上线下混合式物理实验教学模式,开展混合式教学与考核方式探索.     

质子束尾波场中利用密度跃变实现电子捕获及加速的粒子模拟

用2D3V粒子模拟程序研究了高能质子束驱动的尾波场加速电子的方案,及其在此方案中应用背景等离子体密度的跃变致使等离子体电子自注入加速相区的可能性。粒子模拟结果显示:密度跃变实现了电子的自注入,并且捕获的电子束处于加速相位,等离子体尾波场纵向电场对捕获的电子束起箍缩作用;捕获的电子束随着传输,表现为窄能谱分布;同时随着密度跃变大小的增大,可以增加等离子体电子的捕获。     

拉曼Mapping研究霓石型稀土独居石矿物分布特征和取向相位

在地球科学等研究领域自动化分析，逐步取代了传统的光学观察法。然而，这些方法获得结果，过于依赖元素组成到矿物组成的转换。同时，也会破坏掉完整描述矿物材料来源和蚀变历史所需的重要信息。因此，利用合适的检测手段，对分析矿物成矿规律及成因具有重要现实性意义。研究利用拉曼Mapping、光学显微镜、自动矿物分析仪(TIMA)三种技术做对比。对具有代表性霓石型稀土矿物分布特征、化学成分、矿物结构及晶体取向等方面进行研究。通过TIMA与光学显微镜研究结果分析可知，独居石矿物多呈自形-半自形不等粒结构，粒度大小不均约为100～500μm之间，部分颗粒有被磷酸盐溶液交代痕迹，可初步判断独居石矿物经多期成矿；氟碳铈矿物呈细粒状分布较散以不规则颗粒包裹在其他矿物中，具有明显的早期成矿特征；易解石矿物以不规则团块状或放射状集合体，具有明显方向性与方解石形成时间一致。利用拉曼光谱技术在微区进行Mapping扫描，通过数据分析得到独居石矿物[PO₄]^3-的P—O对称伸缩模式(ν₁)与P—O对称弯曲振动模式(ν₂)所在峰位面积比...     

应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

异质结构的构筑与堆垛是新型二维材料物性调控及应用的有效策略.基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了4种不同堆叠构型的新型二维Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性质. 4种异质结构型均为Ⅱ型能带结构的间接带隙半导体,光致电子的供体和受体材料由二维In₂Se₃的极化方向决定.光吸收度在可见光区域高达25%,有利于太阳可见光的有效利用.双轴应变可诱导直接-间接带隙转变,外加电场能有效调控异质结构带隙,使AA2叠加构型的带隙从0.195 eV单调增大到0.714 eV,AB2叠加构型的带隙从0.859 eV单调减小到0.058 eV,两种调控作用下异质结的能带始终保持Ⅱ型结构.压缩应变作用下的异质结在波长较短的可见光区域表现出更优异的光吸收能力.这些研究结果揭示了Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结电子结构的调控机理,为新型光电器件的设计提供理论指导.     

Growth behaviors and emission properties of Co-deposited MAPbI3 ultrathin films on MoS2

Hybrid organic-inorganic perovskite thin films have attracted much attention in optoelectronic and information fields because of their intriguing properties. Due to quantum confinement effects, ultrathin films in nm scale usually show special properties. Here, we report on the growth of methylammonium lead iodide (MAPbI₃) ultrathin films via co-deposition of PbI₂ and CH₃NH₃I (MAI) on chemical-vapor-deposition-grown monolayer MoS₂ as well as the corresponding photoluminescence (PL) properties at different growing stages. Atomic force microscopy and scanning electron microscopy measurements reveal the MoS₂ tuned growth of MAPbI₃ in a Stranski-Krastanov mode. PL and Kelvin probe force microscopy results confirm that MAPbI₃/MoS₂ heterostructures have a type-II energy level alignment at the interface. Temperaturedependent PL measurements on layered MAPbI₃ (at the initial stage) and on MAPbI₃ crystals in averaged size of 500 nm (at the later stage) show rather different temperature dependence as well as the phase transitions from tetragonal to orthorhombic at 120 and 150 K, respectively. Our findings are useful in fabricating MAPbI₃/transition-metal dichalcogenide based innovative devices for wider optoelectronic applications.     

钙钛矿型Ba0.97Ca0.03Sn0.08Ti0.92O3-δ作为多硫化物固定剂在锂硫电池中的应用

制备具有氧空位的钙钛矿结构的Ba_0.97Ca_0.03Sn_0.08Ti_0.92O_3-δ（BCST）材料并将其作为多硫化物的固定剂，通过强的化学键合作用抑制多硫化物（LiPS）穿梭。作为促进LiPS转化的催化剂，BCST/KB/S （KB为科琴黑）正极在0.1C下提供了1 164.3 mAh·g^-1的初始放电容量，以及优异的循环稳定性。经过800次的充放电循环后，平均每次循环的容量衰减率仅为0.052%。