UNIFORM GROOVE-DEPTH RAC BY USING TRANSDUCER WEIGHTING

A new weighting method,transducer weighting.for the uniform groove-deph RAC is proposed in thispaper.The weighted input and output transducersform a weighting transversal filter In addition,the groove-width weighting,which can be used as an auxiliary is also discussed. By using the new methods,two uniform groove depth RACs have been designed and fabricated,Thesidelobe suppressions achieved are 31 dB and 32 dB.respectively.The results are considered satisfactorybecause the phase compensation by metal strip was not applied.     

基于半解析法的钢绞线丝间摩擦学性能研究

为探究钢绞线丝间摩擦学性能,考虑钢绞线丝间摩擦接触和往复滑动行为等因素,基于曲杆理论、Archard磨损理论等,建立了周期弯曲钢绞线丝间摩擦学性能求解模型,采用半解析法实现快速求解,并通过与曲杆理论、有限元仿真结果对比以及磨损试验验证模型有效性,进而研究钢绞线丝间磨损深度、摩擦接触滑移等摩擦学性能参数的分布规律,分析载荷幅值、几何结构以及材料属性等对其丝间摩擦学性能的影响.结果表明：钢绞线丝间磨损发生在弯曲中性层外侧,钢丝未接触或接触但未发生滑移之处不发生磨损;弯曲载荷越大,磨损越严重;侧丝半径、捻角越大,丝间接触压力与接触变形均增大,故而磨损加剧;总磨损深度随钢绞线材料的弹性模量和泊松比增大而增大.     

液氮温区Y-Ba-Cu-O超导薄膜的研究

我们采用了rf磁控反应溅射的方法,在单晶ZrO_2YSZ和多晶SrTiO_3等基片上成功地制备了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。所获得的零电阻转变温度达81K。膜厚为1—2μm。 本文对膜的成分、基片、R-T曲线和热处理过程等作了叙述。     

光纤环形外腔半导体激光器频偏特性研究

本文给出了在环形光纤外腔光反馈之下半导体激光器频偏特性的小信号分析理论.分析表明,尤其在千兆赫以下的调制频段中,耦合腔相移、内外腔光耦合强度及内外腔光场相位失谐对频偏功率比均有显著影响.可望用作强度调制直接检测高速率、长距离光纤通信系统中的光源.     

Eu(p-PBA)_3phen1/2H_2O的高分辨光谱和Raman光谱Eu(p-PBA)3phen1/2H2O的高分辨光谱和Raman光谱*张颖唐波金林培(北京师范大学化学系,北京100875)吕少哲黄世华(中国科学院激发

配合物Ｅｕ（ｐ－ＰＢＡ）３ｐｈｅｎ１／２Ｈ２Ｏ（ｐ－ＰＢＡ：对苯基苯甲酸酸根离子；ｐｈｅｎ：邻菲咯啉）在紫外光激发下，能发出很强的红色荧光．以Ｅｕ（Ⅲ）离子为光谱探针，７７Ｋ下测得其高分辨激发和发射光谱，选择激发配合物的５Ｄ０能级，得到两组不同的发光光谱，表明配合物中Ｅｕ（Ⅲ）离子有两种不同的化学环境．配合物的喇曼光谱中，羧基阴离子的反对称伸缩振动和对称伸缩振动谱带是明显分裂和带肩峰的宽带，说明配合物中羧基同时存在多种配位方式     

Yb：YAG晶体的生长缺陷及位错走向

用同步辐射透射白光形貌和应力双折射法研究了沿（111）方向生长的Yb:YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb:YAG晶体中的生长缺陷主要有：生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。     

冲蚀与气蚀复合磨损试验研究

通过改造MCF-30型冲蚀腐蚀试验机,建立了水、沙、气三相流冲蚀磨损试验装置;试验研究了水、沙混合流场中试样的磨损特征,通过扫描电子显微镜观测了三相流冲蚀磨损表面,并借助计算机模拟分析水、沙混合条件下产生气蚀破坏的条件.结果表明:合理的设计可以实现冲蚀与气蚀的复合磨损模拟试验;形成三相流共同作用下的冲蚀与气蚀复合磨损重要条件为介质中含有较多气体,并且在试样中有气泡溃灭.三相流磨损模拟试验与仿真为进一步开展三相流气蚀与冲蚀磨损研究奠定了基础.     

溅射法快速沉积YBCO超导薄膜的研究北大核心CSCD

溅射法制备高温超导YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜材料目前存在的主要问题是沉积速率慢,制备效率低,大面积薄膜均匀性差.本文中,设计了多工位盒型靶直流溅射镀膜系统,提高了YBCO薄膜沉积速率和制备效率,一次工艺流程可沉积六片产品,总薄膜沉积速率最高可到250nm/h.基片自转与公转相结合,提高了薄膜的面内均匀性,同时研究了公转速度与自转速度的关系以及它们对薄膜生长的关系,发现只有在基片公转速度合适的情况下才能生长出性能好的薄膜.LaAlO3(LAO)单晶基片上YBCO薄膜临界电流密度超过2.8MA/cm2(77K,500nm,0T),薄膜微波表面电阻Rs(10GHz,77K)﹤0.2mΩ,1.8英寸内薄膜面内厚度起伏小于3%,双面薄膜一致性好,能够满足微波器件应用的要求.     

“强光一号”等离子体开关及负载稳定性分析

"强光一号"等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定,通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明,在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子体密度重复性极差在10%左右,而开关区间累积等离子体密度极差超过100%。开关区间累积等离子体密度和阴极重粒子发射会对POS断路性能产生显著影响。计算表明开关区间累积等离子体密度差异对POS断路电流阈值影响达到200kA,与运行数据统计结果一致;在断路电流阈值相同的条件下,阴极物质逸出对二极管电压影响显著,MCNP程序计算结果表明,产生辐射剂量差别可以达到80%,与统计数据相当。     

LaAlO3晶体中相变与缺陷研究

从室温到800℃范围内用锥光干涉图实时观察LaAlO₃晶体中的相变,发现在560℃存在由三角相转变为立方相的相变,并由X射线衍射法得到证实,同时对孪晶的形态,畴区的结晶学取向规律,孪晶的密集度以及畴和包裹体的双折射像在T_c附近的变化规律进行了系统的研究。 关键词：