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211.
本文对双光子光聚合技术进行了比较全面系统的综述,主要介绍了双光子光聚合的基本原理,国内外双光子光聚合光敏引发体系和具有大的双光子吸收截面有机分子的研究现状以及双光子光聚合技术的潜在应用领域. 相似文献
212.
在常温常压下,利用光电导天线式太赫兹时域光谱仪和自行设计的气室,在0.1~3.0 THz范围内对甲醇气体进行太赫兹时域光谱测试,测试结果表明,甲醇气体在1.0~3.0 THz没有明显的吸收峰,但是在0.1~1.0 THz波段存在明显的吸收峰。为了准确测定甲醇气体的浓度,根据甲醇气体在0.1~1.0 THz范围内的15处不同的位置处的特征吸收峰强度和甲醇气体浓度的关系,对十五组不同浓度的甲醇气体进行检测,获得了在特征吸收峰处的差异曲线。基于误差反向传播(BP)神经网络的函数逼近特点,并利用遗传算法(GA)收敛速度较快,不宜陷入局部极值的优点,采用GA优化BP神经网络的初始的权值和阈值,构建了以预测甲醇浓度为目的的数学模型。结果表明,该网络模型适用于体积浓度范围为0.028 3~0.424 6 m3·L-1的甲醇的浓度预测,两组样本的平均相对标准误差为1.7%,平均回收率为98%,神经网络误差精度10-1,实测值与期望值的相关系数为0.996 77,基本达到理想预测结果。本成果不仅获得了甲醇气体在太赫兹频段的实验数据,而且发现太赫兹时域光谱法和GA-BP神经网络相结合的方法能有效地检测甲醇气体的体积浓度,为检测甲醇气体浓度提供新的方法。 相似文献
213.
Spiral waves have been controlled by generating target waves with a
localized inhomogeneity in the oscillatory medium. The competition between
the spiral waves and target waves is discussed. The effect of the localized
inhomogeneity size has also been studied. 相似文献
214.
215.
以硝酸镁为原料,氨气为沉淀剂,采用一步水热法制备六方片状氢氧化镁,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对产品进行表征,结果表明120℃为较佳温度.采用Morphology程序对氢氧化镁生长习性进行理论分析,计算了其主要显露面族的表面能、表面附着能和晶面面积百分比等相关参数.计算结果表明,氢氧化镁(001)面会成为主要显露晶面,(101)面会成为经常显露晶面,其形貌大部分会呈现正六方片状但其中会掺杂着不规则的六边形片状结构与实验结果吻合.由温度引起的(001)晶面显露程度变化是导致宏观形貌非理想性的重要原因.本文结果为进一步与非理想形貌机理研究奠定了良好的基础. 相似文献
216.
基于R矩阵理论方法,通过构建BeCl_2分子的静态交换势模型(SE),静态交换加极化势模型(SEP)和密耦合模型(CC),在0-10 eV能量范围内首次研究了低能电子与BeCl_2分子的散射动力学过程,预测了弹性散射积分截面,并在三种模型中分别发现一个来自B_(2u)和B_(3u)对称性贡献的势形共振态.讨论了这些共振态随着极化效应的变化,获得了收敛的截面和共振态结果.进一步使用POLYDCS程序首次计算了电子与BeCl_2分子的散射微分截面(DCS)以及动量转移截面(MTCS).当前研究结果将为天体物理和等离子体物理提供重要的截面数据. 相似文献
217.
218.
采用特殊设计的双水电极介质阻挡放电装置,利用光学方法原位、无干扰地测量了大气压空气介质阻挡放电中微放电的单脉冲特性和周期特性,实验上首次发现在介质阻挡放电斑图模式中,微放电在驱动电压的正负半周的放电时刻并不是固定的,相邻两次放电的时间间隔是长短交替的。根据壁电荷对微放电通道相邻两次放电的不同作用,分析了相邻两次放电时刻的联系,很好地解释了相应的实验现象。 相似文献
219.
以方解石矿石为原料,利用制备的重镁水(Mg(HCO3)2)及中间产物氯化钙制备文石型碳酸钙晶须,并采用SEM、XRD及EDS对产品进行表征。探究了重镁水与氯化钙反应过程中反应温度、反应时间、镁钙浓度比、重镁水浓度以及搅拌速度对碳酸钙晶须形貌的影响。通过单因素实验得出了最佳工艺条件:温度40 ℃、反应时间2 h、镁钙浓度比6∶1、重镁水浓度0.14 mol/L、搅拌速度150 r/min。在此条件下,制得了长度为40~65 μm、直径为0.6~1.5 μm、长径比为25~45的文石型碳酸钙晶须。 相似文献
220.
通过化学水浴法生长了铯掺杂ZnO纳米柱阵列(CZO-NRA),将其作为电子传输层(ETL),利用乙醇胺与二甲氧基乙醇共混溶液对CZO-NRA进行表面修饰,制备了倒置聚合物太阳能电池。研究结果表明,适量的铯掺杂提高了纳米柱的c轴择优取向结晶度,减少了ETL中由氧空位和锌填隙原子引起的深能级缺陷,减小了器件的串联电阻,增大了器件的短路电流与填充因子。表面修饰减少了CZO-NRA的表面缺陷,减小了ETL与有源层的接触电阻,抑制了界面载流子复合。与未掺杂的器件相比,表面修饰CZO-NRA器件的能量转换效率由1.27%提高至2.89%。 相似文献